模封方法及半导体封装结构技术

本公开提供了模封方法及半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括衬底、至少两个设置于衬底上的裸晶片和封装层，每个裸晶片设置于衬底上表面，裸晶片上表面设置有玻璃，而封装层包覆各裸晶片及其上表面设置的玻璃，各裸晶片上表面设置的玻璃的上表面暴露在封装层外，且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离衬底上表面的高度不同。而为了模封得到上述半导体封装结构的两种模封方法利用胶带或者保护层以平均分布各玻璃上表面的高度差异带来的压力不平均，可以减少或避免现有CIS产品中可能存在的脱模或玻璃破裂问题，进而提高CIS产品良率。

【技术实现步骤摘要】
模封方法及半导体封装结构
本公开涉及半导体封装
，具体涉及模封方法及半导体封装结构。
技术介绍
在CMOS(ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体)图像传感器(CIS，CMOSImageSensor)产品中，一般包括至少两个平行设置的裸晶片，每个裸晶片的上表面还可对应设置有障壁(Dam，或称为围墙、阻隔坝、拦坝)，障壁上再对应设置有玻璃以保护裸晶片。为了满足裸晶片的工作需求，玻璃的上表面需要露出封装材(Moldingcompound)表面。然而，由于制程变异的原因，设置在不同裸晶片上的不同玻璃高度可能不同。当用较硬的离型膜贴在玻璃上进行模封制程时，如果障壁的杨氏系数(Young'smodulus)较低，即障壁较容易发生形变，继而模封(Molding)制程过程中，模流对障壁产生的压力，即模压，可能造成障壁发生形变而高度变矮，进而该障壁上的玻璃高度也相应变矮，即可能导致封装材残留在该高度变矮的障壁之上的玻璃上表面，即导致发生脱模(Moldbleeding)，即残留的封装材盖住本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模封方法，包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和至少两个设置于所述衬底上裸晶片，每个所述裸晶片的上表面设置有玻璃，且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离所述衬底上表面的高度不同；/n使用胶带覆盖所述半导体结构的上表面，其中，所述胶带由粘合层和PI膜组成，所述粘合层接触各所述裸晶片上设置的玻璃；/n使用模具及封装材模封所述半导体结构，其中，所述模具接触所述PI膜；/n移除所述模具；/n移除形成于所述PI膜上的封装材；/n移除所述胶带。/n

【技术特征摘要】
1.一种模封方法，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和至少两个设置于所述衬底上裸晶片，每个所述裸晶片的上表面设置有玻璃，且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距离所述衬底上表面的高度不同；
使用胶带覆盖所述半导体结构的上表面，其中，所述胶带由粘合层和PI膜组成，所述粘合层接触各所述裸晶片上设置的玻璃；
使用模具及封装材模封所述半导体结构，其中，所述模具接触所述PI膜；
移除所述模具；
移除形成于所述PI膜上的封装材；
移除所述胶带。


2.根据权利要求1所述的模封方法，其中，所述移除形成于所述PI膜上的封装材，包括：
研磨掉形成于所述PI膜上的封装材。


3.根据权利要求2所述的模封方法，其中，所述移除所述胶带，包括：
用喷嘴吸住并撕掉所述胶带。


4.根据权利要求3所述的模封方法，其中，所述使用模具及封装材模封所述半导体结构之前，所述方法还包括：
使用压制件压制于所述半导体结构上，以利用所述压制件将所述胶带往所述半导体结构中玻璃方向压制更深的深度。


5.根据权利要求1所述的模封方法，其中，所述裸晶片上表面设置有玻璃，包括：
所述裸晶片上表面依次设置有障壁和玻璃。


6.根据权利要求5所述的模封方法，其中，所述障壁的水平纵向截面为中空封闭形状。


7.根据权利要求5或6所述的模封方法，其中，所述半导体结构还包括打线，所述打线穿过所述障壁且一端连接所述裸晶片另一端连接所述衬底。


8.一种模封方法，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和至少两个设置于所述衬底上裸晶片，每个所述裸晶片的上表面设置有玻璃，且至少两个所述裸晶片上设置的玻璃距...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永兴，褚福堂，黄文彬，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71