铜离子浓度监控方法技术

本发明专利技术的监控方法包括以下步骤：提供一含有铜离子的待测溶液；提供一监控装置；于一特定电位区间内，借由该监控装置测定该待测溶液的一循环伏安曲线，该循环伏安曲线具有一峰电流值；提供复数组浓度已知的铜离子标准溶液，于该特定电位区间，借由该监控装置测定该复数组标准溶液的循环伏安曲线，每一浓度的标准溶液的循环伏安曲线具有一峰电流值，以该复数组标准溶液的铜离子浓度值及其相对应的循环伏安曲线的峰电流值确定一线性方程式，该线性方程式为Y＝AX+B，其中Y表示该峰电流值，A表示该线性方程式的斜率，X表示铜离子浓度，B表示该线性方程式的截距；以该线性方程式及该待测溶液的循环伏安曲线的峰电流值，确定该待测溶液的铜离子浓度。

【技术实现步骤摘要】
铜离子浓度监控方法
本专利技术有关一种借由循环伏安法定量测定铜离子浓度的监控方法。
技术介绍
在制备液晶显示面板与印刷电路板的制程中，往往需要使用各种蚀刻溶液来进行金属材料的蚀刻。蚀刻过程中产生的金属离子会不断累积于蚀刻溶液中，当蚀刻溶液中金属离子的浓度升高到一定程度后，就会使得蚀刻溶液不堪使用，而成为蚀刻废液。目前在工业中广泛使用的蚀刻液体有酸性氯化铜蚀刻液和碱性氯化铜蚀刻液两种。酸性氯化铜蚀刻液使用氯化铜作为蚀铜剂，并使用酸性氧化系统进行蚀铜剂的再生。碱性氯化铜蚀刻液使用氯化铜与氨水络合反应所生成的二价铜氨络合物Cu(NH3)4Cl2作为蚀铜剂，并与氧气、NH4+和Cl-反应，进行蚀铜剂的再生。而随着蚀刻的进行，板件上的铜会被咬蚀而形成一价铜Cu(NH3)2Cl，因一价铜不溶于水，使二价铜的浓度随着咬时而逐渐降低，导致蚀刻速度受到影响。在本领域中，随着厂商与产业别的不同，所用的蚀刻溶液配方与可容忍的金属离子浓度都不尽相同。以国内某些薄膜电晶体液晶显示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldispl本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种铜离子浓度监控方法，其特征在于，其包括以下步骤：/n提供一含有铜离子的待测溶液；/n提供一监控装置；/n于一特定电位区间内，借由该监控装置测定该待测溶液的一循环伏安曲线，该循环伏安曲线具有一峰电流值；/n提供复数组浓度已知的铜离子标准溶液，于该特定电位区间，借由该监控装置测定该复数组标准溶液的循环伏安曲线，每一浓度的标准溶液的循环伏安曲线具有一峰电流值，以该复数组标准溶液的铜离子浓度值及其相对应的循环伏安曲线的峰电流值确定一线性方程式，该线性方程式为Y＝AX+B，其中Y表示该峰电流值，A表示该线性方程式的斜率，X表示铜离子浓度，B表示该线性方程式的截距；以及/n以该线性方程式及该待测溶...

【技术特征摘要】
1.一种铜离子浓度监控方法，其特征在于，其包括以下步骤：
提供一含有铜离子的待测溶液；
提供一监控装置；
于一特定电位区间内，借由该监控装置测定该待测溶液的一循环伏安曲线，该循环伏安曲线具有一峰电流值；
提供复数组浓度已知的铜离子标准溶液，于该特定电位区间，借由该监控装置测定该复数组标准溶液的循环伏安曲线，每一浓度的标准溶液的循环伏安曲线具有一峰电流值，以该复数组标准溶液的铜离子浓度值及其相对应的循环伏安曲线的峰电流值确定一线性方程式，该线性方程式为Y＝AX+B，其中Y表示该峰电流值，A表示该线性方程式的斜率，X表示铜离子浓度，B表示该线性方程式的截距；以及
以该线性方程式及该待测溶液的循环伏安曲线的峰电流值，确定该待测溶液的铜离子浓度。


2.如权利要求1所述的铜离子浓度监控方法，其特征在于，该监控装置具有一容置槽，该容置槽配置有一流入口及一流出口，并有一工作电极、一辅助电极、一参考电极、一安培计及一伏特计配置于该容置槽内，该伏特计连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑文锋，许吉昌，孙尚培，许宏玮，
申请(专利权)人：先丰通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71