一种氮化硅光纤结构件的制备方法技术

本发明专利技术涉及陶瓷材料技术领域，尤其涉及一种氮化硅光纤结构件的制备方法。本发明专利技术提供了一种氮化硅光纤结构件的制备方法，包括以下步骤：将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度<4mm，直径>250mm；所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。利用所述制备方法制备得到的氮化硅光纤结构件不易变性、不易开裂，且所述制备方法的成品率高，可以实现批量稳定化的生产。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硅光纤结构件的制备方法
本专利技术涉及陶瓷材料
，尤其涉及一种氮化硅光纤结构件的制备方法。
技术介绍
氮化硅陶瓷作为工程陶瓷材料，具有重量轻、强度大、耐腐蚀、低膨胀、抗氧化、抗热震和自润滑等特性，使得其在机械、化工、冶金、纺织、电子和航空航天领域被广泛应用。太阳能是未来最清洁、安全和可靠的能源，利用太阳能的最佳方式是光伏转换，由于氮化硅光纤结构件的耐受温度可超过800℃，在超低温、高温等恶劣环境下依然能够保持优异的综合性能，使以氮化硅光纤结构件的应用开发形成的光伏产业迅猛发展。但是在氮化硅光纤结构件的制备过程中，由于氮化硅在烧结过程中会存在严重的颗粒团聚和烧结现象，会导致最终制备得到的氮化硅光纤结构件易变形、易开裂且成品率低，没有办法批量稳定的生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种氮化硅光纤结构件的制备方法，利用所述制备方法制备得到的氮化硅光纤结构件不易变性、不易开裂，且所述制备方法的成品率高，能达到99％以上，可以实现批量稳定化的生产。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化硅光纤结构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；/n将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度<4mm，外径>250mm；/n所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。/n

【技术特征摘要】
1.一种氮化硅光纤结构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将二氧化钛和烧结助剂进行预混合，加入乙醇和氮化硅后进行球磨，得到料浆；
将所述料浆依次进行喷雾造粒、压制和烧结，得到所述氮化硅光纤结构件；所述氮化硅光纤结构件为圆环状，单边厚度<4mm，外径>250mm；
所述烧结助剂包括氧化铝和氧化钇。


2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化铝和氧化钇的质量比为(2～3)：(1～3)。


3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述二氧化钛、烧结助剂和氮化硅的质量比为(1～2)：(4～9)：(90～95)。


4.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟儒，魏文钊，孙峰，徐金梦，董廷霞，徐学敏，杨厚萌，李泽坤，郭杨，丁智杰，李洪浩，吕沛远，
申请(专利权)人：中材高新氮化物陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37