一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法技术

本发明专利技术涉及半导体、电子功能材料领域，公开了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法，所述绝缘化剂中包括Pb

【技术实现步骤摘要】
一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法
本专利技术属于半导体、电子功能材料领域，具体涉及一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用方法。
技术介绍
STO晶界层电容的电阻取决于位于晶界处的绝缘层，国内一般采用二次烧结法法技术获得高阻值晶界层电容瓷片，因此在瓷片绝缘化时选择适当氧化剂涂覆物至关重要。同时由于在二次烧结法中，氧化剂涂覆物经过热扩散进入晶界形成第二相绝缘层，氧扩散进入晶粒表层形成扩散层，绝缘层和扩散层的厚度和形态很难控制，因此最终瓷片的电阻值大小和均匀性很难保证。目前国内市场的STOIII类瓷，尺寸为1mm(长)×1mm(宽)，厚0.25mm，电容值为900-1000pF(介电常数25000–30000)，加载电压为50V时，电阻值一般在1G–5GΩ，耐压值小于100V，选择还有优良性质氧化剂的绝缘化剂，能有效的提升电容器瓷片的电阻，提升电容器的性能，因此，研发一种优良的绝缘化剂，对于提高电容器瓷片的阻值有着重要的意义。
技术实现思路
针对上述情况，本专利技术提供了一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂及其使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，由CBi

【技术特征摘要】
1.一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，由CBi2O5、Pb3O4、CuO、B2O3按一定质量比混合制成。


2.根据权利要求1所述的一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，所述绝缘化剂各组分重量比分别为CBi2O535-45、Pb3O425-31.9、CuO20-25.4、B2O310-12.7，其中，所述Pb3O4、CuO、B2O3重量比固定为25：20：10。


3.根据权利要求2所述的一种提高晶界层电容器电阻的绝缘化剂，其特征在于，所述绝缘化剂各组分重量比分别...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡竞楚，杨昌平，李慧娟，徐玲芳，余昌昊，梁世恒，王瑞龙，肖海波，胡季帆，
申请(专利权)人：太原科技大学，湖北大学，南京铱方巨人新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14