显示面板及其制造方法、显示装置制造方法及图纸

技术编号:29298788 阅读:17 留言:0更新日期:2021-07-17 01:10
本公开提供一种显示面板及其制造方法、显示装置。显示面板包括:阳极层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二阳极;空穴传输层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二空穴传输层;缓冲层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二缓冲层中的至少一个;发光层,包括位于第一和第二子像素中的第一和第二发光层,第一发光层和第一空穴传输层间的HOMO能级差为大于0的第一差值,第二发光层和第二空穴传输层间的HOMO能级差的绝对值大于0且小于第一差值;阴极。在第一空穴传输层到第一发光层的方向上,第一缓冲层的多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。第二发光层与第二缓冲层间的HOMO能级差或第二缓冲层与第二空穴传输层间的HOMO能级差大于或等于0.3eV。间的HOMO能级差大于或等于0.3eV。间的HOMO能级差大于或等于0.3eV。

Display panel, manufacturing method and display device thereof

The present disclosure provides a display panel, a manufacturing method and a display device thereof. The display panel comprises: an anode layer including first and second anodes located in the first and second sub pixels; A hole transport layer including first and second hole transport layers located in the first and second sub pixels; A buffer layer including at least one of the first and second buffer layers located in the first and second sub pixels; A light-emitting layer includes first and second light-emitting layers located in the first and second sub-pixel, the HOMO energy level difference between the first light-emitting layer and the first hole transport layer is a first difference greater than 0, and the absolute value of the HOMO energy level difference between the second light-emitting layer and the second hole transport layer is greater than 0 and less than the first difference; Cathode. In the direction from the first hole transport layer to the first light emitting layer, the HOMO energy levels of the first buffer layers gradually increase. The HOMO energy level difference between the second light emitting layer and the second buffer layer or between the second buffer layer and the second hole transport layer is greater than or equal to 0.3ev. The HOMO energy level difference between them is greater than or equal to 0.3ev. The HOMO energy level difference between them is greater than or equal to 0.3ev< br/>

【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制造方法、显示装置


[0001]本公开涉及显示
,尤其涉及一种显示面板及其制造方法、显示装置。

技术介绍

[0002]近年来,基于OLED(Organic Light

Emitting Diode,有机发光二极管)的显示技术逐渐受到更多的关注。
[0003]由于OLED具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点,基于OLED的显示技术有可能代替液晶显示技术成为下一代显示技术。

技术实现思路

[0004]根据本公开实施例的一方面,提供一种显示面板,包括位于衬底基板上的多个子像素,所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素。所述显示面板包括:阳极层,包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极;空穴传输层,位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层;缓冲层,位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个;发光层,位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层,所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值,所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值;和阴极,位于所述发光层远离所述阳极层的一侧。所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层,每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间,并且,在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上,所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间,所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值,所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值,所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
[0005]在一些实施例中,所述多个子像素还包括第三子像素,其中:所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极;所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层;所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层;并且所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层,所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值,其中,所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间,所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值,所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值,所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。
[0006]在一些实施例中,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素
和绿色子像素中的一个。
[0007]在一些实施例中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。
[0008]在一些实施例中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10

6cm2/V
·
s。
[0009]在一些实施例中,所述第一迁移率小于或等于10

2cm2/V
·
s。
[0010]在一些实施例中,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米。
[0011]在一些实施例中,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的第二迁移率大于或等于10

4cm2/V
·
s。
[0012]在一些实施例中,所述第二迁移率小于或等于10

2cm2/V
·
s。
[0013]在一些实施例中,所述多个第一缓冲子层中的每一个的支链含有第一给电子基团,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的每一个的支链含有第二给电子基团和吸电子基团中的一个,所述第二给电子基团的给电子能力大于所述第一给电子基团的给电子能力。
[0014]在一些实施例中,所述第三差值和所述第四差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
[0015]在一些实施例中,所述第六差值和所述第七差值中的所述一个小于或等于0.7eV。
[0016]在一些实施例中,所述第一空穴传输层和所述第二空穴传输层是连续的。
[0017]在一些实施例中,所述显示面板还包括:空穴注入层,包括位于所述第一子像素中的第一空穴注入层和位于所述第二子像素中的第二空穴注入层。
[0018]在一些实施例中,所述第一空穴注入层和所述第二空穴注入层是连续的。
[0019]根据本公开实施例的另一方面,提供一种显示装置,包括:上述任意一个实施例所述的显示面板。
[0020]根据本公开实施例的又一方面,提供一种显示面板的制造方法,所述显示面板包括位于衬底基板上的多个子像素,所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素。所述方法包括:提供背板,所述背板包括位于所述衬底基板上的阳极层,所述阳极层包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极;在所述阳极层远离所述衬底基板的一侧形成空穴传输层,所述空穴传输层包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层;在所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧形成缓冲层,所述缓冲层包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个;在所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧形成发光层,所述发光层包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层,所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值,所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值;和在所述发光层远离所述阳极层的一侧形成阴极。所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层,每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间,并且,在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上,所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大。所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间,所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值,所述第二缓冲层与所述第二空穴传
输层之间的HOMO能级差为第四差值,所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。
[0021]在一些实施例中,所述多个子像素包括还包括第三子像素,其中:所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极;所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板,包括位于衬底基板上的多个子像素,所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素,所述显示面板包括:阳极层,包括位于所述第一子像素中的第一阳极和位于所述第二子像素中的第二阳极;空穴传输层,位于所述阳极层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一空穴传输层和位于所述第二子像素中的第二空穴传输层;缓冲层,位于所述空穴传输层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一缓冲层和位于所述第二子像素中的第二缓冲层中的至少一个;发光层,位于所述缓冲层远离所述衬底基板的一侧,包括位于所述第一子像素中的第一发光层和位于所述第二子像素中的第二发光层,所述第一发光层和所述第一空穴传输层之间的最高占据分子轨道HOMO能级差为大于0的第一差值,所述第二发光层和所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差的绝对值为大于0且小于所述第一差值的第二差值;和阴极,位于所述发光层远离所述阳极层的一侧,其中:所述第一缓冲层包括多个第一缓冲子层,每个第一缓冲子层的HOMO能级位于所述第一发光层的HOMO能级和所述第一空穴传输层的HOMO能级之间,并且,在所述第一空穴传输层到所述第一发光层的方向上,所述多个第一缓冲子层的HOMO能级逐渐增大,并且所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第二发光层的HOMO能级和所述第二空穴传输层的HOMO能级之间,所述第二发光层与所述第二缓冲层之间的HOMO能级差为第三差值,所述第二缓冲层与所述第二空穴传输层之间的HOMO能级差为第四差值,所述第三差值和所述第四差值中的一个大于或等于0.3eV。2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述多个子像素还包括第三子像素,其中:所述阳极层还包括位于所述第三子像素中的第三阳极;所述空穴传输层还包括位于所述第三子像素中的第三空穴传输层;所述缓冲层还包括位于所述第三子像素中的第三缓冲层;并且所述发光层还包括位于所述第三子像素中的第三发光层,所述第三发光层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为大于0且小于所述第一差值的第五差值,其中,所述第三缓冲层的HOMO能级位于所述第三发光层的HOMO能级和所述第三空穴传输层的HOMO能级之间,所述第三发光层与所述第三缓冲层之间的HOMO能级差为第六差值,所述第三缓冲层与所述第三空穴传输层之间的HOMO能级差为第七差值,所述第六差值和所述第七差值中的一个大于或等于0.3eV。3.根据权利要求1或2所述的显示面板,其中,所述第一子像素为蓝色子像素,所述第二子像素为红色子像素和绿色子像素中的一个。4.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的厚度范围为2纳米至10纳米。5.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述多个第一缓冲子层中的至少一个的第一迁移率大于或等于10
‑6cm2/V
·
s。6.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第一迁移率小于或等于10
‑2cm2/V
·
s。7.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的厚度范围为30纳米至100纳米。
8.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的至少一个的第二迁移率大于或等于10
‑4cm2/V
·
s。9.根据权利要求8所述的显示面板,其中,所述第二迁移率小于或等于10
‑2cm2/V
·
s。10.根据权利要求3所述的显示面板,其中,所述多个第一缓冲子层中的每一个的支链含有第一给电子基团,所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中的每一个的支链含有第二给电子基团和吸电子基...

【专利技术属性】
技术研发人员:郝艳军屈财玉杜小波
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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