一种反射镜以及反射镜的镀膜方法技术

本发明专利技术公开一种反射镜以及反射镜的镀膜方法，所述反射镜包括光学基片以及依次镀设于所述光学基片上的一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。本发明专利技术提出了一种全新的反射镜膜系结构，膜层的强度、牢固性、反射率等各项性能均能满足JIS标准，更能适应不同应用场景的使用需求。求。求。

The invention relates to a reflector and a coating method thereof

【技术实现步骤摘要】
一种反射镜以及反射镜的镀膜方法


[0001]本专利技术涉及光学产品
，具体涉及一种反射镜以及反射镜的镀膜方法。

技术介绍

[0002]反射镜一般是在光学镜片上镀设多层减反射膜层，再在减反射膜层上镀设防水膜层。目前减反射膜的膜系结构有很多种，例如在光学塑胶镜片上交替镀设一层五氧化三钛减反射膜层和一层二氧化硅减反射膜层，再镀设一层防水膜层，但现有市面上的大部分膜系结构并不够理想，存在膜层强度不够高、牢固性不佳等问题，难以满足实际的使用需求，尤其是难以满足一些严苛环境下的使用需求。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种反射镜以及反射镜的镀膜方法，旨在提供一种膜系结构的综合性能更为优异的反射镜。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出一种反射镜，所述反射镜包括光学基片以及依次镀设于所述光学基片上的一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。
[0005]可选地，所述光学基片为塑料基片或金属基片。
[0006]可选地，所述一氧化硅膜层的厚度为12～20nm；
[0007]所述镍膜层的厚度为8～14nm；
[0008]所述银膜层的厚度为1580～1690nm；
[0009]所述第一五氧化三钛膜层的厚度为3～5.5nm；
[0010]所述第一二氧化硅膜层的厚度为37～47nm；
[0011]所述第二五氧化三钛膜层的厚度为18～24nm；
[0012]所述第二二氧化硅膜层的厚度为5.5～9nm；
[0013]所述防水膜层的厚度为3～7nm。
[0014]本专利技术还提出一种如上所述的反射镜的镀膜方法，包括以下步骤：
[0015]在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。
[0016]可选地，在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层的步骤包括：
[0017]将光学基片放入真空镀膜机中，抽真空并同时加热，待真空度和温度达到设定值之后，先进行离子轰击处理，去除所述光学基片的表面灰尘，然后进行真空镀膜，先依次镀设一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层和第一五氧化三钛膜层，然后开启离子源轰击15～25s后，在保持离子源轰击的状态下，依次镀设第一二氧化硅膜层和第二五氧化三钛膜层，然后关
闭离子源，继续依次镀设第二二氧化硅膜层和防水膜层。
[0018]可选地，所述温度的设定值为55～65℃。
[0019]可选地，所述离子源轰击时的阳极电压为550～650V，电流为550～650mA，阴极电压为450～450V。
[0020]可选地，依次镀设所述一氧化硅膜层、镍膜层和银膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(1.2～1.8)E
‑
03Pa；
[0021]依次镀设所述第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层和第二五氧化三钛膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(1.8～2.2)E
‑
02Pa；
[0022]依次镀设所述第二二氧化硅膜层和防水膜层的过程中，所述真空镀膜机的真空度为(6.5～7.5)E
‑
04Pa。
[0023]可选地，镀设所述一氧化硅膜层时的蒸镀电流为40～50mA；
[0024]镀设所述镍膜层时的蒸镀电流为300～320mA；
[0025]镀设所述银膜层时的蒸镀电流为110～130mA；
[0026]镀设所述第一五氧化三钛膜层时的蒸镀电流为320～380mA；
[0027]镀设所述第一二氧化硅膜层时的蒸镀电流为130～170mA；
[0028]镀设所述第二五氧化三钛膜层时的蒸镀电流为320～380mA；
[0029]镀设所述第二二氧化硅膜层时的蒸镀电流为130～170mA；
[0030]镀设所述防水膜层时的阻蒸蒸镀电流为250～290mA。
[0031]可选地，镀设所述一氧化硅膜层时的蒸发速率为4.5～5.5A/S；
[0032]镀设所述镍膜层时的蒸发速率为1.0～1.5A/S；
[0033]镀设所述银膜层时的蒸发速率为13～17A/S；
[0034]镀设所述第一五氧化三钛膜层时的蒸发速率为1～1.5A/S；
[0035]镀设所述第一二氧化硅膜层时的蒸发速率为4.0～6.0A/S；
[0036]镀设所述第二五氧化三钛膜层时的蒸发速率为2.0～3.0A/S；
[0037]镀设所述第二二氧化硅膜层时的蒸发速率为1.0～2.0A/S。
[0038]本专利技术提供的技术方案中，所述反射镜包括光学基片以及依次镀设于所述光学基片上的一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层，提出了一种全新的反射镜膜系结构，膜层的强度、牢固性、反射率等各项性能均能满足JIS标准，更能适应不同应用场景的使用需求。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅为本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0040]图1为本专利技术提供的反射镜的一实施例的结构示意图；
[0041]图2为图1提供的反射镜的光谱曲线图。
[0042]附图标号说明：
[0043][0044][0045]本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
[0046]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。此外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0047]为改善反射镜上面镀设的膜层的综合性能，本专利技术提出一种反射镜，图1所示为本专利技术提供的反射镜的具体实施例。参阅图1所示，在本专利技术实施例中，所述反射镜100包括光学基片10以及依次镀设于所述光学基片本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种反射镜，其特征在于，所述反射镜包括光学基片以及依次镀设于所述光学基片上的一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。2.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述光学基片为塑料基片或金属基片。3.如权利要求1所述的反射镜，其特征在于，所述一氧化硅膜层的厚度为12～20nm；所述镍膜层的厚度为8～14nm；所述银膜层的厚度为1580～1690nm；所述第一五氧化三钛膜层的厚度为3～5.5nm；所述第一二氧化硅膜层的厚度为37～47nm；所述第二五氧化三钛膜层的厚度为18～24nm；所述第二二氧化硅膜层的厚度为5.5～9nm；所述防水膜层的厚度为3～7nm。4.一种如权利要求1至3任意一项所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，包括以下步骤：在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层。5.如权利要求4所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，在轰击处理后的光学基片上依次真空蒸镀一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层、第一五氧化三钛膜层、第一二氧化硅膜层、第二五氧化三钛膜层、第二二氧化硅膜层以及防水膜层的步骤包括：将光学基片放入真空镀膜机中，抽真空并同时加热，待真空度和温度达到设定值之后，先进行离子轰击处理，去除所述光学基片的表面灰尘，然后进行真空镀膜，先依次镀设一氧化硅膜层、镍膜层、银膜层和第一五氧化三钛膜层，然后开启离子源轰击15～25s后，在保持离子源轰击的状态下，依次镀设第一二氧化硅膜层和第二五氧化三钛膜层，然后关闭离子源，继续依次镀设第二二氧化硅膜层和防水膜层。6.如权利要求5所述的反射镜的镀膜方法，其特征在于，所述温度的设定值为55～65℃。7.如权利要求5所述的反射...

【专利技术属性】
技术研发人员：王雷，黄双荣，邓杰，彭承泓，
申请(专利权)人：中山联合光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：