一种钳位电压可选的SiC-TVS器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种钳位电压可选的SiC

A SiC TVs device with optional clamp voltage and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种钳位电压可选的SiC
‑
TVS器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子
，涉及一种钳位电压可选的SiC
‑
TVS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]TVS(Transient Voltage Suppressor)，中文名称为瞬态电压抑制二极管。通常将TVS并联到工作电路两端，当其受到瞬态过压冲击时，TVS会在极短的时间(常规不到1ns)内导通并吸收数千瓦的浪涌功率，将其端电压钳位在一个预定值上，从而确保后面的敏感电子元件/系统免受过压或过流冲击而损坏。
[0003]目前常用的Si
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TVS由于其材料特性限制表现出以下缺点：1)由于禁带宽度较窄，其阻断态下漏电流对温度较为敏感；2)低临界场强使得击穿电压低，无法满足高功率要求。3)低热导率导致热量无法在短时间内经由封装管壳传导走。另外在实际的防护应用中，将多个Si
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TVS串并联实现高功率应用。然而这会带来增大TVS所占据的系统空间以及由于单管一致性差异降低组件可靠性等问题。SiC所具有的宽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钳位电压可选的SiC
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TVS器件，其特征在于，包括：碳化硅衬底层，所述碳化硅衬底层包括第一部分衬底层和位于所述第一部分衬底层之上的第二部分衬底层；若干半导体层，所述若干半导体层包括若干第一半导体层和若干第二半导体层，所述若干第一半导体层和所述若干第二半导体层依次层叠且交替的位于所述第二部分衬底层之上；其中，所述第一半导体层的导电类型为P型，所述第二半导体层的导电类型为N型，且所述第一半导体层为轻掺杂、所述第二半导体层为重掺杂，另外位于最顶层的所述半导体层为所述第二半导体层，且所述第二部分衬底层、所述若干第一半导体层和所述若干第二半导体层组成梯形结构；正电极，位于最顶层的所述第二半导体层之上；若干负电极，位于重掺杂的所述第二半导体层的侧壁的部分区域。2.根据权利要求1所述的钳位电压可选的SiC
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TVS器件，其特征在于，所述第二部分衬底层的厚度为0.5μm～2μm。3.根据权利要求1所述的钳位电压可选的SiC
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TVS器件，其特征在于，所述第二部分衬底层的侧壁与水平面的夹角为5～30
°
。4.根据权利要求1所述的钳位电压可选的SiC
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TVS器件，其特征在于，所述碳化硅衬底层的导电类型为P型，且为重掺杂。5.根据权利要求1所述的钳位电压可选的SiC
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TVS器件，其特征在于，所述碳化硅衬底层的导电类型为N型，且为重掺杂。6.根据权利要求1所述的钳位电压可选的SiC
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T...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩超，祁力峰，汤晓燕，张玉明，宋庆文，张艺蒙，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：