曝光装置和物品的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种曝光装置和物品的制造方法。提供一种有利于精度良好地测量投影光学系统的光学特性的技术。一种用于对基板进行曝光的曝光装置包括：投影光学系统，利用曝光的光将原版的图案像投影到所述基板；测量部，使用经由所述曝光的光要经由的所述投影光学系统的光学元件而从所述投影光学系统射出的测量光，测量所述投影光学系统的光学特性；以及控制部，基于所述测量部的测量结果，修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置，所述测量部包括接受所述测量光的受光元件，所述受光元件被安装于所述投影光学系统。安装于所述投影光学系统。安装于所述投影光学系统。

【技术实现步骤摘要】
曝光装置和物品的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种曝光装置和物品的制造方法。

技术介绍

[0002]在作为半导体器件、液晶显示器等的制造工序之一的光刻工序中，使用通过经由投影光学系统将原版的图案像投影到基板上而对基板进行曝光的曝光装置。在曝光装置中，例如伴随着半导体器件等的微细化，要求将原版的图案精度良好地转印到基板上，而基板的曝光过程中的投影光学系统的光学特性的变化可能成为使转印精度降低的一个主要原因。投影光学系统的光学特性的变化例如可能由投影光学系统所包含的光学元件的振动、投影光学系统内的温度变化、压力变化等引起。在专利文献1中公开了一种结构，其在原版的附近配置测量标记，基于通过由受光部接受投影光学系统对测量标记的投影像而得到的该投影像的位置，修正投影光学系统的光学特性(成像性能)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2017
‑
72678号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在专利文献1所记载的结构中，测量标记设于被固定在曝光装置的主体的构件，接受测量标记的投影像的受光部被固定于与测量标记相同的构造体(曝光装置的主体)。也就是说，投影光学系统和受光部分离地设置。然而，在这样的结构中，投影光学系统与受光部的相对位置有时会发生变动，因此可能难以基于受光部对测量标记的投影像的受光结果，精度良好地测量投影光学系统的光学特性。
[0008]因此，本专利技术的目的在于提供一种有利于精度良好地测量投影光学系统的光学特性的技术。
[0009]用于解决问题的方案
[0010]为了实现上述目的，作为本专利技术的一方面的曝光装置对基板进行曝光，该曝光装置的特征在于，包括：投影光学系统，利用曝光的光将原版的图案像投影到所述基板；测量部，使用经由所述曝光的光要经由的所述投影光学系统的光学元件而从所述投影光学系统射出的测量光，测量所述投影光学系统的光学特性；以及控制部，基于所述测量部的测量结果，修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置，所述测量部包括接受所述测量光的受光元件，所述受光元件被安装于所述投影光学系统。
[0011]本专利技术的进一步的目的或者其它方面在以下通过参照所附附图说明的优选的实施方式而得以明确。
[0012]专利技术的效果
[0013]根据本专利技术，例如能够提供一种有利于精度良好地测量投影光学系统的光学特性
的技术。
附图说明
[0014]图1是表示第1实施方式的曝光装置的结构的概略图。
[0015]图2是从上方(原版载置台侧)观察投影光学系统而得到的图。
[0016]图3是表示受光元件的受光面的图。
[0017]图4是表示第3实施方式的曝光装置的结构的概略图。
[0018]图5是表示第4实施方式的曝光装置的结构的概略图。
[0019]图6是表示曝光处理的流程图。
[0020]附图标记说明
[0021]10：照明光学系统，20：原版载置台，30：投影光学系统，40：基板载置台，50：测量部，51：投光部，52：受光部，53：受光面，54：检测部，60：控制部，100：曝光装置。
具体实施方式
[0022]以下，参照所附附图详细地说明实施方式。需要说明的是，以下的实施方式并不限定权利要求书的技术方案。在实施方式中记载有多个特征，但该多个特征的全部未必是专利技术所必须的特征，另外，多个特征也可以任意组合。而且，在所附附图中，对相同或者同样的结构标注相同的参照编号，省略重复的说明。
[0023]<第1实施方式>
[0024]说明本专利技术的第1实施方式的曝光装置100。曝光装置100是用于制造半导体器件、液晶显示器等的光刻装置。本实施方式的曝光装置100是通过步进方式或者扫描方式将原版(掩模、中间掩模)的图案像投影到基板上，由此曝光基板，将原版的图案转印到基板的投影曝光装置。以下，作为曝光装置100，例示说明利用狭缝光扫描曝光基板的扫描方式的曝光装置。
[0025][曝光装置的结构][0026]图1是表示第1实施方式的曝光装置100的结构的概略图。本实施方式的曝光装置100可包括照明光学系统10、保持原版M并可移动的原版载置台20、投影光学系统30、保持基板W并可移动的基板载置台40、测量部50、控制部60。控制部60例如由具有CPU、存储器等的计算机构成，控制基板W的曝光处理(曝光装置100的各部分)。原版M是由铬等遮光材料形成应转印到基板W上的精细图案(例如电路图案)而成的玻璃制原版。另外，作为基板W，能够使用半导体晶片、玻璃板等。
[0027]为了在原版上得到所期望的照度分布，照明光学系统10将来自光源(未图示)的光整形为例如在Y轴方向上长的圆弧状的光，利用整形后的光(狭缝光)以大致均匀的照度对原版M进行照明。作为光源能够使用水银灯等。原版M和基板W分别被原版载置台20和基板载置台40保持，配置于经由投影光学系统30在光学上大致共轭的位置(投影光学系统30的物面和像面的位置)。投影光学系统30具有预定的投影倍率，利用多个反射镜反射掩模1的图案像并投影到基板2。另外，沿与投影光学系统30的物面平行的方向(例如X轴方向)以与投影光学系统30的投影倍率相应的速度比对掩模载置台20和基板载置台40相对地同步扫描。由此，能够进行基板W的扫描曝光，将形成于原版M的图案转印于基板W(具体而言，基板上的
抗蚀剂(感光剂))。
[0028]例如，如图1所示，投影光学系统30能够构成为包括梯形镜31、凹面镜32以及凸面镜33。从照明光学系统10射出并通过原版M的图案光EL(以下有时称为“曝光的光EL”)被梯形镜31的上表面折弯光路，向凹面镜32的反射面的上部入射。在凹面镜32的反射面的上部反射的曝光的光EL在凸面镜33的反射面反射，向凹面镜32的反射面的下部入射。在凹面镜32的反射面的下部反射的曝光的光EL被梯形镜31的下表面折弯光路，向基板W入射。在像这样构成的投影光学系统30中，凸面镜33的反射面成为光瞳。另外，投影光学系统30为了不产生由原版M与基板W在光轴方向(Z方向)上的位置变动引起的倍率误差，在原版M侧和基板W侧，也就是物面侧、像面侧都为远心光学系统。
[0029]另外，在投影光学系统30能够设有用于驱动各光学元件的致动器。具体而言，能够设有用于驱动梯形镜31的致动器34、用于驱动凹面镜32的致动器35以及用于驱动凸面镜33的致动器36。各致动器34～36能够用于降低各光学元件的变动(振动)。
[0030]在此，致动器35优选针对凹面镜32配置于至少3处。作为致动器35，例如能够使用电磁致动器等由固定部和可动部非接触地构成的致动器，在该情况下，能够避免由凹面镜32的支承部的干涉引起的凹面镜32的变形。另外，在该情况下，期望的是将作为热源的线圈安装于凹面镜32的支承部侧，将作为非热源的磁铁安装于凹面镜32。作为电磁致动本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光装置，对基板进行曝光，该曝光装置的特征在于，包括：投影光学系统，利用曝光的光将原版的图案像投影到所述基板；测量部，使用经由所述曝光的光要经由的所述投影光学系统的光学元件而从所述投影光学系统射出的测量光，测量所述投影光学系统的光学特性；以及控制部，基于所述测量部的测量结果，修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置，所述测量部包括接受所述测量光的受光元件，所述受光元件被安装于所述投影光学系统。2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述受光元件具有接受所述测量光的受光面，所述受光面被配置于与所述投影光学系统的成像位置不同的位置。3.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述测量部还包括投光部，该投光部对所述投影光学系统内投射所述测量光，所述投光部被安装于所述投影光学系统。4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述投光部将所述测量光以与所述投影光学系统的光轴平行的方式投射。5.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，所述投光部配置于所述原版与所述投影光学系统之间。6.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述投影光学系统由两侧远心光学系统构成。7.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述受光元件包括光电二极管。8.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述控制部通过驱动所述投影光学系统中的光学元件、调整所述投影光学系统内的环境、变更所述原版与所述基板的相对位置中的至少一者，来修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置。9.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述投影光学系统包括多个光学元件，所述控制部基于所述测量光在所述受光元件上的位置变动的频率分量，从所述多个光学元件中确定对所述曝光的光的位置变动造成影响的光学元件，通过驱动确定出的光学元件来修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置。10.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，所述控制部在基于所述测量光在所述受光元件上的位置变动的频率分量确定出所述投影光学系统内的环境波动对所述曝光的光的位置变动造成影响的情况下，通过调整所述投影光学系统内的环境来修正所述曝光的光在所述基板上的照射位置。11.根据权利要求1所述的曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上充，伊藤敦史，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：