【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管基板和显示设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年12月30日在韩国知识产权局提交的第10
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2019
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0178502号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
[0003]一个或多个实施例涉及薄膜晶体管基板和包括薄膜晶体管基板的显示设备，并且涉及具有改善的分辨率的薄膜晶体管基板和包括薄膜晶体管基板的显示设备。
技术介绍
[0004]通常，显示设备可以包括显示元件和可以控制施加到显示元件的电信号的驱动电路。驱动电路可以包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和布线。
[0005]为了精确地控制显示元件的光发射和光发射的量，已经增加了电连接到显示元件的TFT的数量。因此，已经积极地进行了研究以解决显示设备的高集成度和功耗的问题。
[0006]应当理解，该技术背景部分部分地旨在为理解技术提供有用的背景。但是，该技术背景部分还可以包括在本文公开的主题的相应的有效提交日之前作为熟悉相关领域的技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，包括：第一薄膜晶体管，设置在基板上，所述第一薄膜晶体管包括：第一半导体层，包括第一沟道区、第一源极区和第一漏极区；第一下栅电极，设置在所述基板与所述第一半导体层之间；第一上栅电极，设置在所述第一半导体层上并与所述第一沟道区交叠；以及第一电极层，设置在所述第一上栅电极上并电连接到所述第一源极区和所述第一漏极区中的至少一者，其中，所述第一下栅电极与所述第一沟道区和所述第一漏极区交叠。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一下栅电极与所述第一半导体层交叠，并且不与所述第一源极区交叠。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一上栅电极包括与所述第一源极区相邻的一端，所述第一下栅电极包括与所述第一源极区相邻的一端，并且在平面图中，所述第一上栅电极的所述一端和所述下栅电极的所述一端彼此重合。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，在平面图中，所述第一下栅电极和设置在所述基板上的导电层之间的距离与所述第一上栅电极和所述导电层之间的距离相同。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板，其中，所述导电层是扫描线。6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一半导体层包括硅半导体材料或氧化物半导体材料。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其中，所述薄膜晶体管基板还包括：第二薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述第二薄膜晶体管包括：第二半导体层；第二栅电极，与所述第二半导体层部分地交叠；以及第二电极层，设置在所述第二栅电极上并电连接到所述第二半导体层，其中，所述第一半导体层包括氧化物半导体材料，并且所述第二半导体层包括硅半导体材料。8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述薄膜晶体管基板还包括：第三薄膜晶体管，设置在所述基板上，所述第三薄膜晶体管包括：第三半导体层，包括第三沟道区、第三源极区和第三漏极区；第三下栅电极，设置在所述基板与所述第三半导体层之间；第三上栅电极，设置在所述第三半导体层上并与所述第三沟道区交叠；以及第三电极层，设置在所述第三上栅电极上并电连接到所述第三源极区和所述第三漏极区中的至少一者，其中，所述第三下栅电极与所述第三沟道区和所述第三漏极区交叠，并且所述第三半导体层包括氧化物半导体材料。9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一半导体层和所述第三半导体层是彼此一体的，并且具有孤立的形状。10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第三下栅电极与所述第三半导体层交叠，并且不与所述第三源极区交叠。
11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第三上栅电极包括与所述第三源极区相邻的一端，所述第三下栅电极包括与所述第三源极区相邻的一端，并且在平面图中，所述第三上栅电极的所述一端和所述第三下栅电极的所述一端彼此重合。12.根据权利要求8所述的薄膜晶体管基板，其中，所述第一薄膜晶体管是补偿薄膜晶体管，并且所述第三薄膜晶体管是初始化薄膜晶体管。13.根据权利要求7所述的薄膜晶体管基板，其中，所述薄膜晶体管基板还包括：升压电容器，包括下电极和上电极，其中，所述下电极和所述第二栅电极设置在相同层上，并且所述上电极和所述第一半...
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