发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术属于显示技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明专利技术提供的制备方法，包括：将金属化合物前驱体沉积在基质上，形成金属化合物前驱体薄膜；采用红外激光照射金属化合物前驱体薄膜，进行退火处理，形成电子传输层。解决了现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。造成对器件内部损伤的问题。造成对器件内部损伤的问题。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于显示
，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]近年来，例如氧化锌(ZnO)等金属化合物材料凭借其优良的电学特性以及良好的可见光透过率，在制备太阳能电池、薄膜晶体管和发光二极管等方面应用广泛，并具有着广阔的发展前景。由于具有制作周期短、成分可控、工艺简单和成本低廉等优点，采用溶胶凝胶法制备氧化锌(ZnO)等金属化合物材料的方法可满足大部分研发需求而被广泛使用。
[0003]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)主要由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等功能膜层构成类似p-i-n结的结构。电子与空穴的平衡是影响器件性能的重要因素，因此如何优化电子和空穴的传输效率直接影响了QLED器件寿命与性能的提升。现有制备电子传输层的工艺中，常以氧化锌(ZnO)等金属化合物材料作为电子传输层材料涂覆在发光层上，然后进行退火处理。退火时，将沉积有ZnO前驱体薄膜的器件连接加热板，于惰性气体环境中、80℃下进行退火处理，器件中靠近阳极的一侧连接加热板。然而，该退火工艺所需时间较长，长时间的热处理容易造成器件内部结构损伤，导致荧光淬灭。

技术实现思路

[0004]本专利技术的主要目的在于提供一种发光二极管的制备方法，旨在解决现有电子传输层的退火工艺容易造成对器件内部损伤的问题。
[0005]本专利技术的另一目的在于提供一种由上述制备方法制得的发光二极管。<br/>[0006]为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0007]一种发光二极管的制备方法，包括以下制备电子传输层的步骤：
[0008]提供基质和金属化合物前驱体，将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上，形成金属化合物前驱体薄膜；
[0009]采用红外激光照射所述金属化合物前驱体薄膜，进行退火处理，形成电子传输层。
[0010]本专利技术提供的发光二极管的制备方法，采用红外激光照射金属化合物前驱体薄膜，使得材料表面的温度瞬间提高产生热效应，以形成电子传输层，从而达到退火的目的，短暂而有效，大大降低了退火时间，从而降低了器件与水氧接触的风险，有利于提升器件的使用寿命；同时，短暂而有效的激光退火还降低了膜层的粗糙程度，提高了膜层结晶度，从而提高了电阻率；而且，由于红外激光直接辐射金属化合物前驱体薄膜，使得由红外激光产生的高温主要作用于金属化合物前驱体薄膜，避免了高温对器件内部结构造成破坏，整体上提高了器件的发光性能。因而，本专利技术在制备电子传输层时采用红外激光退火的方法，在实现了有效退火的同时，兼顾了退火对器件内部结构的影响，大大缩短了退火时间，改善了膜层的性能，提高了电子传输效率，从整体上提高了器件的性能和寿命。
[0011]相应的，一种发光二极管，由上述制备方法制得。
[0012]本专利技术提供的发光二极管，由上述制备方法制得，具有良好的发光性能和使用寿命。
附图说明
[0013]图1为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的制备方法流程图；
[0014]图2为本专利技术实施例提供的一种发光二极管的结构简图；
[0015]图3为实施例1中采用红外激光进行退火处理的示意图；
[0016]图4为对比例1中退火处理的示意图。
具体实施方式
[0017]为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。
[0018]一种发光二极管的制备方法，如图1所示，包括以下步骤：
[0019]S01、提供基质和金属化合物前驱体，将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上，形成金属化合物前驱体薄膜；
[0020]S02、采用红外激光照射所述金属化合物前驱体薄膜，进行退火处理，形成电子传输层。
[0021]本专利技术实施例提供的发光二极管的制备方法，采用红外激光照射金属化合物前驱体薄膜，使得材料表面的温度瞬间提高产生热效应，以形成电子传输层，从而达到退火的目的，短暂而有效，大大降低了退火时间，从而降低了器件与水氧接触的风险，有利于提升器件的使用寿命；同时，短暂而有效的激光退火还降低了膜层的粗糙程度，提高了膜层结晶度，从而提高了电阻率；而且，由于红外激光直接辐射金属化合物前驱体薄膜，使得由红外激光产生的高温主要作用于金属化合物前驱体薄膜，避免了高温对器件内部结构造成破坏，整体上提高了器件的发光性能。因而，本专利技术在制备电子传输层时采用红外激光退火的方法，在实现了有效退火的同时，兼顾了退火对器件内部结构的影响，大大缩短了退火时间，改善了膜层的性能，提高了电子传输效率，从整体上提高了器件的性能和寿命。
[0022]具体地，步骤S01中，将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上，以获得金属化合物前驱体薄膜。
[0023]基质作为沉积金属化合物前驱体的载体，具体结构可参考本领域常规技术，可在基质上形成金属化合物前驱体薄膜即可。
[0024]作为一种实施方式，所述基质上形成有：发光层；
[0025]将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上的步骤包括：将所述金属化合物前驱体沉积在所述发光层上。
[0026]在发光层上沉积金属化合物前驱体，从而在发光层上形成金属化合物薄膜。由于本专利技术实施例使用红外激光退火的方法，在大大缩短退火时间以及改善膜层的性能的同时，还兼顾了退火对发光层材料如量子点等可能造成的影响，从整体上提高了器件的性能和寿命。通过在发光层上制备电子传输层，当电子传输层材料为氧化锌时，可大幅度缩短退火时间以及改善膜层的性能，简化当前的氧化锌退火工艺。
[0027]在一些实施例中，所述基质包括：阳极，所述发光层形成在所述阳极上。
[0028]阳极的材料可参考本领域的常规阳极，在一些实施例中，阳极的材料选自氧化铟锡、铟锑氧化物和三氧化二砷中的至少一种。
[0029]发光层的材料可为无机半导体纳米颗粒，包括蓝色量子点、红色量子点或绿色量子点等。在一些实施例中，发光层的材料为蓝色量子点，包括CdZnS/ZnS、CdZnSe/ZnS、Cu
X
In
1-X
S/ZnS和Zn
X
Cd
1-X
Te/ZnS中的至少一种。本专利技术实施例采用红外激光退火的方法，避免了高温向发光层传递，可一定程度上降低退火工艺对上述蓝色量子点的影响，防止器件发生荧光淬灭，利于提升蓝色量子点发光器件的性能。在进一步实施例中，量子点表面还结合有配体，配体为酸配体、硫醇配体、胺配体、膦配体、氧膦配体、磷脂、软磷脂、聚乙烯基吡啶等中的一种或多种。
[0030]除了上述阳极和发光层，基质上还可以形成有其他功能膜层。在一些实施例中，阳极上还形成有：空穴注入层和空穴传输层，其中，空穴注入层设置在阳极和发光层之间，空穴传输层设置在空穴注入层和发光层之间，以提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下制备电子传输层的步骤：提供基质和金属化合物前驱体，将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上，形成金属化合物前驱体薄膜；采用红外激光照射所述金属化合物前驱体薄膜，进行退火处理，形成电子传输层。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述基质上形成有发光层；将所述金属化合物前驱体沉积在所述基质上的步骤包括：将所述金属化合物前驱体沉积在所述发光层上。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属化合物前驱体的材料包括：氧化锌前驱体、氮化镓前驱体、二氧化钛前驱体和二氧化锡前驱体中的至少一种。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属化合物前驱体为采用溶胶凝胶法制得的氧化锌前驱体溶液。5.根据权利要求1至4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述红外激光的波长为950-1050纳米。6.根据权利要求1至4中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：敖资通，严怡然，杨帆，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：