一种高导热SiC-AlN复合陶瓷的制备方法技术

本发明专利技术属于SiC-AlN复合陶瓷烧结制备领域，本发明专利技术提供了一种高导热SiC-AlN复合陶瓷的制备方法，制备该复合陶瓷的方法包括：S1、提供含硅原料粉体，所述含硅原料粉体的组成物质包括粗颗粒碳化硅粉和细颗粒硅粉；S2、将所述含硅原料粉体、氮化铝源和碳源进行低能球磨混料，得到均匀混合原料粉体；S3、将所述均匀混合粉体进行合成反应，得到含有碳化硅晶须的SiC-AlN复合粉体；S4、将所述SiC-AlN复合粉体与烧结助剂混合后烧结，得到SiC-AlN复合陶瓷。本工艺简便易行，在提高SiC-AlN复合陶瓷的导热率和强度等方面有重要意义。和强度等方面有重要意义。

Preparation of SiC AlN composite ceramics with high thermal conductivity

【技术实现步骤摘要】
一种高导热SiC-AlN复合陶瓷的制备方法


[0001]本专利技术属于先进陶瓷制备
，具体涉及一种高导热SiC-AlN复合陶瓷的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电子产品特别是消费类电子产品和大功率LED的发展，电路集成度越来越高，电子器件过热的问题愈来愈严重。在大多数电子产品中，基板和电路层之前往往采用绝缘介质，而绝缘介质大多是有机材料和金属氧化物，它们的热导率都相当低。热量累积过高，会造成基板变形，降低电子器件寿命。一般来说，使用散热性良好的基板材料是解决热量累积问题的首要选择，因此，如何提高基板材料的导热性能是目前研究的重点。
[0003]近年来，相比于其他基板材料，陶瓷基板材料由于导热性能突出而成为大功率集成电路基板的最佳选择之一。在陶瓷材料中，常用作基板的有氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)和碳化硅(SiC)等。其中，BeO综合性能好，散热高，但因为有毒性而限制了其使用范围。Al2O3成本低廉，但导热性相对较差，只有30W/m
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K左右。AlN陶瓷和SiC陶瓷是重要的先进陶瓷材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC-AlN复合陶瓷的制备方法，包括以下步骤：S1、提供含硅原料粉体，所述含硅原料粉体的组成物质包括粗颗粒碳化硅粉和细颗粒硅粉；S2、将所述含硅原料粉体、氮化铝源和碳源进行低能球磨混料，得到均匀混合粉体；S3、将所述均匀混合粉体进行合成反应，得到SiC-AlN复合粉体；所述SiC-AlN复合粉体含有碳化硅晶须；S4、将所述SiC-AlN复合粉体与烧结助剂混合后进行烧结，得到高导热SiC-AlN复合陶瓷。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中粗颗粒碳化硅粉的主要粒径范围为1.5～20μm，细颗粒硅粉的主要粒径范围为0.1～2μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述含硅原料粉体的物质组成为：SiC占10％～90％，Si占10％～90％。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述含硅原料粉体硅粉中的硅与所述碳源中的碳的摩尔比为1:1～1:2；所述氮化铝源占本步骤粉体总质量的1％～35％。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氮化铝源可为...

【专利技术属性】
技术研发人员：向道平，刘伟然，
申请(专利权)人：海南大学，
类型：发明
国别省市：