一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管技术

本发明专利技术公开了一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管，其中，所述异质结纳米材料的制备方法包括步骤：提供一种ZnMgO纳米颗粒；将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料。本发明专利技术异质结纳米材料中，所述ZnS层可钝化ZnMgO纳米颗粒的表面缺陷，改善以所述异质结纳米材料作为电子传输层时与量子点发光层的接触面质量，同时所述ZnMgO纳米颗粒的表面Zn原子与表面S原子紧密结合后，创建了新的电子传递途径，可加速电子传递，从而协同提高量子点发光二极管的发光效率及稳定性。发光效率及稳定性。发光效率及稳定性。

The invention relates to a heterojunction nano material, a preparation method thereof, a thin film and a quantum dot light emitting diode

【技术实现步骤摘要】
一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管


[0001]本专利技术涉及量子点发光二极管领域，尤其涉及一种异质结纳米材料及其制备方法、薄膜、量子点发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点因其具有优异的发光特性，因而在量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode，QLED)的应用上得到快速发展。量子点具有多种特性，包括：(1)可通过改变颗粒尺寸来调节发射光谱；(2)激发光谱比较宽、发射光谱狭窄、吸收性强；(3)光稳定性很好；(4)荧光寿命较长等。在传统的无机电致发光器件中电子和空穴分别从阴极和阳极注入，然后在发光层复合形成激子发光。宽禁带半导体中导带电子可以在高电场下加速获得足够高的能量撞击QDs使其发光；半导体量子点材料作为一种新型的无机半导体荧光材料，具有重要的商业应用价值。
[0003]ZnO是一种直接带隙的n型半导体材料，具有3.37eV的宽禁带和3.7eV的低功函，且具有稳定性好、透明度高、安全无毒等优点，使得ZnO可成为合适的电子传输层材料。ZnO具有很多潜在的优点，其激子束缚本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种异质结纳米材料，其特征在于，包括ZnMgO纳米颗粒以及生长在所述ZnMgO纳米颗粒表面的ZnS层。2.一种异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供一种ZnMgO纳米颗粒；将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料。3.根据权利要求2所述异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，所述ZnMgO纳米颗粒与所述硫源水溶液中的硫元素的质量比为2-4:1。4.根据权利要求2所述异质结纳米材料的制备方法，其特征在于，所述将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料的步骤包括：将所述ZnMgO纳米颗粒加入到硫源水溶液中并加热至80-120℃，反应1-3h后，在所述ZnMgO纳米颗粒表面生成ZnS层，制得所述异质结纳米材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭煜林，吴龙佳，张天朔，李俊杰，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：