一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用技术

本发明专利技术公开了一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用，其中，所述复合粉体包括Al、Cr、Mn、Ti、Mo、Si、La、Eu、Y、Ho、Mg、Cu，制备方法如下：首先，引入掺杂剂并进行一次球磨，然后，缓慢加入氧化铝粉体进行二次高能球磨，得氧化铝基球磨浆料，最后，对氧化铝基球磨浆料进行真空冷冻干燥、低温煅烧获得。该复合粉体可以通过刷涂、喷涂等多种施工工艺对真空绝缘材料进行涂层，达到提高真空绝缘工件，尤其是伪火花开关沿面闪络耐压的效果。其是伪火花开关沿面闪络耐压的效果。其是伪火花开关沿面闪络耐压的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种低介低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用


[0001]本专利技术属于真空高压绝缘
，特别提供了一种可提高沿面闪络电压的氧化铝基低二次电子发射系数复合粉体、制备方法及应用。

技术介绍

[0002]在能源、宇航和高能物理研究等许多高电压应用领域中，固体绝缘子的电绝缘和支撑都是至关重要的。例如高压真空断路器、高功率光导开关、高功率速调管及空间飞行器的电源系统往往都要承受高电压的作用。往往桥接真空间隙的绝缘固体的耐高电压击穿能力普遍低于单纯真空间隙，而绝缘固体本身的体击穿耐压强度仍高于同尺寸的真空间隙。且伴随击穿过程、沿绝缘固体表面有显著的放电闪烁发生。显然，发生于绝缘固体表面的放电闪烁是绝缘固体耐高电压能力降低的症结。大量研究表明：绝缘子表面的电子发射和表面荷电增强电场都是导致绝缘子表面闪络形成并最后完全击穿的关键。
[0003]尽管如此，绝缘子在各种电力设备和许多真空器件中被大量使用，同时在伪火花开关中也得到了广泛的应用，主要起到真空密封、结构支撑和高压绝缘的作用。目前伪火花开关产品(如图1所示)所使用的绝缘材料均为95％氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低介低二次电子发射系数复合粉体，其特征在于，按摩尔量计，包括如下组分：Al：85.0～92.0份、Cr：1.0～10.0份、Mn：1.0～8.0份、Ti：1.0～3.5份、Mo：0.01～0.09份、Si：0.02～0.18份、La：0.01～0.09份、Eu：0.01～0.09份、Y：0.01～2.0份、Ho：0.01～2.0份、Mg：0.05～1.0份、Cu：0.05～3.0份。2.权利要求1所述低介低二次电子发射系数复合粉体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：按摩尔量，将掺杂剂Cr、Mn、Ti、Mo、Si、Mg和Cu以氧化物形式引入，La、Eu、Y、Ho以硝酸盐形式引入，加入到高能球磨设备的容量腔内进行一次球磨，球磨介质为去离子水和无水乙醇，球磨转数为3000-6000转/min，球磨时间为30-60min，球磨中加入分散剂；步骤2：将氧化铝粉体缓慢加入到高能球磨设备容量腔内，与步骤1中球磨的掺杂剂进行二次高能球磨，得氧化铝基球磨浆料，球磨转数为3000-6000转/min，球磨时间为60-120min，球磨期间，不断加入球磨介质与分散剂；步...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨殿来，张莹莹，段同飞，杨国庆，马俊良，崔俊刚，薛健，许壮志，张明，周亮，
申请(专利权)人：辽宁省轻工科学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：