【技术实现步骤摘要】
一种综合性能优异的锡磷青铜带材及其制备方法
本专利技术属于铜合金
,具体涉及一种综合性能优异的锡磷青铜带材及其制备方法。
技术介绍
随着5G通信、消费电子、新能源汽车等行业的飞速发展,电子产品及电子元器件逐渐往小型化、高度集成化方向发展,对于结构复杂的接插件而言,其核心元部件“接触件”存在两大困扰:一方面是冲压成型过程中易出现橘皮甚至开裂现象,另一方面是接触件成型后回弹性不够,夹持效果不理想,无法保证可靠的电连接。因此,为了更好的使连接器完成电连接功能,铜合金带材不仅被要求折弯性能良好,即90°折弯坏方向R/t≤1.5,以此来保障冲压成型不开裂,而且必须保障成型后的接插件具有优异的回弹性。因此高要求的接插件用青铜合金被要求屈服强度大于650MPa,弹性模量大于112GPa。另外疲劳强度和抗应力松弛能力与接触件的使用寿命和稳定性有关,因为接触件使用过程中不仅存在一定量弹性变形,还需同时承载一定的电流负载,所以材料必须具有良好的抗应力松弛性能(要求在150℃下保温1000小时,残余应力≥60%)。然而目前传统的磷青铜如C5 ...
【技术保护点】
1.一种综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:该锡磷青铜带材的质量百分组成为:6.0~8.0wt%Sn,0.01~0.10wt%P,余量为Cu和不可避免的杂质;所述锡磷青铜带材中小角度晶界的体积分数为50~70%、大角度晶界的体积分数为25~45%,其中小角度晶界为相邻晶粒取向差0°~5°,大角度晶界为相邻晶粒取向差>15°。/n
【技术特征摘要】
1.一种综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:该锡磷青铜带材的质量百分组成为:6.0~8.0wt%Sn,0.01~0.10wt%P,余量为Cu和不可避免的杂质;所述锡磷青铜带材中小角度晶界的体积分数为50~70%、大角度晶界的体积分数为25~45%,其中小角度晶界为相邻晶粒取向差0°~5°,大角度晶界为相邻晶粒取向差>15°。
2.根据权利要求1所述的综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:所述小角度晶界的体积分数记为L1,大角度晶界的体积分数记为L2,所述L1、L2的比值满足:1.25≤L1/L2≤1.80。
3.根据权利要求1所述的综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:所述锡磷青铜带材中立方织构的面积分数a为10%~40%、高斯织构的面积分数b为1%~15%、S取向织构的面积分数c为1%~15%。
4.根据权利要求3所述的综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:所述锡磷青铜带材中立方织构、高斯织构和S取向织构的面积分数满足:0.60≤a/(b+c)≤1.50。
5.根据权利要求1所述的综合性能优异的锡磷青铜带材,其特征在于:还包括0.01~0.20wt%Ni,0.001~0.10wt%Zn,0.001~0.20wt%Mg,0.001~0.10wt%Ce。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:华称文,罗金宝,王国伟,巢国辉,傅杰,赵玉刚,何科科,
申请(专利权)人:宁波金田铜业集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:浙江;33
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