一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法技术

本发明专利技术涉及多晶硅生产设备技术领域，具体涉及一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法。主要技术方案为：一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，包括:第一硅芯、第二硅芯和横梁；所述第一硅芯上设置有第一插接部；所述第二硅芯上设置有第二插接部；所述横梁的一端插接在所述第一插接部上；所述横梁的另一端插接在所述第二插接部上。采用本发明专利技术能够提升硅芯结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法
本专利技术涉及多晶硅生产设备
，尤其涉及一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法。
技术介绍
硅芯为拉制而成的单晶硅细棒，硅芯可以作为基体，用来在还原炉内生长多晶硅。在生产多晶硅时，将硅芯置于还原炉中，通入原料气体后，在还原炉内进行还原反应，硅芯上会不断沉积多晶硅而不断地增粗，进而成为多晶硅棒。多晶硅生产过程中，硅芯结构的稳定性，直接关系到还原炉能否持续稳定地运行，是决定多晶硅生产效率的关键因素。传统还原炉的硅芯结构，是将两个竖直硅芯的下端分别插在两个石墨电极上，竖直硅芯的顶端为圆锥台形；横梁的两端具有圆锥孔；横梁两端的圆锥孔搭接在竖直硅芯的顶端，在还原炉内构成门桥形的硅芯结构，形成一个电流回路。由于在还原炉生产多晶硅时，是通过底盘处通入高压气体，气流由下向上喷射，硅芯结构的横梁处受到的冲击非常大；如果竖直硅芯和横梁的连接点不牢固，很容易造成横梁被吹翻，与竖直硅芯脱离，进而导致还原炉停止运行；不仅会延误生产时间，并且会延长还原炉的非在产时间，降低了还原炉多晶硅的产量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法，主要目的在于提升硅芯结构的可靠性。为达到上述目的，本专利技术主要提供如下技术方案：一方面，本专利技术的实施例提供一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，包括:第一硅芯、第二硅芯和横梁；所述第一硅芯上设置有第一插接部；所述第二硅芯上设置有第二插接部；所述横梁的一端插接在所述第一插接部上；所述横梁的另一端插接在所述第二插接部上。进一步地，所述第一插接部为一个或多个；多个所述第一插接部沿所述第一硅芯的长度方向间隔设置；所述第二插接部为一个或多个；多个所述第二插接部与多个所述第一插接部一一对应设置；所述横梁对应地插接在所述第一插接部和所述第二插接部上。进一步地，所述第一插接部为孔结构或凹槽结构；所述第二插接部为孔结构或凹槽结构；所述横梁的一端为第一插接端；所述横梁的另一端为第二插接端；所述第一插接端与所述第一插接部相比匹配，能够插接在所述第一插接部上；所述第二插接端与所述第二插接部相比匹配，能够插接在所述第二插接部上。进一步地，所述第一插接端的截面为圆形；所述第二插接端的截面为圆形；所述第一插接部的截面为圆形；所述第二插接部的截面为圆形。进一步地，所述第一插接端的截面为多边形；所述第二插接端的截面为多边形；所述第一插接部的截面为多边形；所述第二插接部的截面为多边形。进一步地，所述第一插接端为锥台结构；所述第二插接端为锥台结构；所述第一插接部为锥台孔；所述第二插接部为锥台孔。进一步地，所述横梁包括：第一主体、第二主体和连接体；所述第一主体拼接在所述连接体的一端；所述第二主体拼接在所述连接体的另一端；所述第一主体、所述连接体和所述第二主体依次设置，被构造成一棒体。进一步地，所述第一主体的一端具有连接部一；所述连接部一上设置有外螺纹；所述第二主体的一端具有连接部二；所述连接部二上设置有外螺纹；所述连接体上设置有螺纹孔；所述连接部一和所述连接部二分别设置在所述螺纹孔的两端。进一步地，所述连接部一和所述连接部二的端部能够相互接触；所述连接部一的端部具有凹穴；所述连接部二的端部具有凸起；所述凸起能够顶设在所述凹穴内。另一方面，本专利技术的实施例提供一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯的搭接方法，其包括以下步骤：将第一硅芯和第二硅芯的下部竖直插入还原炉电极上的石墨卡瓣中，调整方向，保持第一硅芯和第二硅芯平行，保持第一插接部和第二插接部的朝向在同一直线上，不锁紧；将横梁插入第一插接部和第二插接部；旋转石墨内螺纹锥套锁紧石墨卡瓣，即可完成搭接。借由上述技术方案，本专利技术用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构及其搭接方法至少具有下列优点：能够提升硅芯结构的可靠性。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本专利技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1为本专利技术一实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构的分解示意图；图2为本专利技术一实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构的组合示意图；图3为本专利技术另一实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构的分解示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构中横梁的分解示意图；图5为本专利技术另一实施例提供的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构中横梁的组合示意图。图中所示：1为第一硅芯，1-1为第一插接部，2为第二硅芯，2-1为第二插接部，3为横梁，3-1为第一插接端，3-2为第二插接端，3-3为第一主体，3-31为连接部一，3-4为连接体，3-5为第二主体，3-51为连接部二。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。如图1至图3所示，本专利技术的一个实施例提出的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，包括:第一硅芯1、第二硅芯2和横梁3；第一硅芯1上设置有第一插接部1-1；第二硅芯2上设置有第二插接部2-1；横梁3的一端插接在第一插接部1-1上；第一插接部1-1能够限制横梁3的一端部沿第一硅芯1的长度方向移动；横梁3的另一端插接在第二插接部2-1上；第二插接部2-1能够限制横梁3的另一端部沿第一硅芯1的长度方向移动。本专利技术的一个实施例提出的一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，能够提升硅芯结构的可靠性，使横梁受到气流冲击时保持稳定，解决了竖直硅芯和横梁3连接处不牢固，横梁3和竖直硅芯脱离的问题。第一硅芯1优选为圆硅芯或方硅芯或三角形硅芯或十字形硅芯，当然，也可以为其它截面形状的硅芯。第二硅芯2优选为圆硅芯或方硅芯，当然，也可以为其它截面形状的硅芯。横梁3优选为圆硅芯或方硅芯或十字硅芯或三角形硅芯，当然，也可以为其它截面形状的硅芯。本实施例优选第一硅芯1、第二硅芯2和横梁3为相同形状的硅芯。第一硅芯1、第二硅芯2和横梁3的截面尺寸相同，以利于生长出均匀的多晶硅棒。作为上述实施例的优选，第一插接部1-1为一个或多个；多个第一插接部1-1沿第一硅芯1的长度方向间隔设置；第二插接部2-1为一个或多个；多个第二插接部2-1与多个第一插接部1-1一一对应设置；横梁3对应地插接在第一插接部1-1和第二插接部2-1上，使第一硅芯1和第二硅芯2之间设置本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，包括:第一硅芯、第二硅芯和横梁；/n所述第一硅芯上设置有第一插接部；/n所述第二硅芯上设置有第二插接部；/n所述横梁的一端插接在所述第一插接部上；所述横梁的另一端插接在所述第二插接部上。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，包括:第一硅芯、第二硅芯和横梁；
所述第一硅芯上设置有第一插接部；
所述第二硅芯上设置有第二插接部；
所述横梁的一端插接在所述第一插接部上；所述横梁的另一端插接在所述第二插接部上。


2.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，
所述第一插接部为一个或多个；多个所述第一插接部沿所述第一硅芯的长度方向间隔设置；
所述第二插接部为一个或多个；多个所述第二插接部与多个所述第一插接部一一对应设置；
所述横梁对应地插接在所述第一插接部和所述第二插接部上。


3.根据权利要求1所述的用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，
所述第一插接部为孔结构或凹槽结构；
所述第二插接部为孔结构或凹槽结构；
所述横梁的一端为第一插接端；所述横梁的另一端为第二插接端；
所述第一插接端与所述第一插接部相比匹配，能够插接在所述第一插接部上；
所述第二插接端与所述第二插接部相比匹配，能够插接在所述第二插接部上。


4.根据权利要求3所述的用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，
所述第一插接端的截面为圆形；
所述第二插接端的截面为圆形；
所述第一插接部的截面为圆形；
所述第二插接部的截面为圆形。


5.根据权利要求3所述的用于多晶硅生产的还原炉硅芯结构，其特征在于，
所述第一插接端的截面为多边形；
所述第二插接端的截面为多边形；
所述第一插接部的截面为多边形；
所述第二插接部的截面为多边形...

【专利技术属性】
技术研发人员：李涛，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：新疆;65