本发明专利技术实施例提供了一种表面波传输装置，涉及通信技术领域。本发明专利技术实施例包括：馈电同轴接头、扩口锥形同轴、同轴耦合器和电力线。其中，馈电同轴接头的输入端用于连接信源，输入的横电磁波流入同轴耦合器部分；用于接触电力线的同轴耦合器部分，将输入的横电磁波TEM模式的电磁波转换为横磁波TM模式的表面波，并耦合到单导体传输线上。发射端和接收端的结构相同。馈电同轴接头、扩口锥形同轴和同轴耦合器可制成以纵切面对称的两部分，以允许直接将传输装置安装在现有电力线上，而无需切割或再穿线。线。线。
【技术实现步骤摘要】
一种表面波传输装置
[0001]本专利技术涉及通信
，特别是涉及传输一种表面波传输装置。
技术介绍
[0002]以往的单导线输电线路传输装置是采用一种简单的锥形结构将表面波模式激励到绝缘的单导线传输线上。原有的装置在模式转换时带来不小的辐射损耗，以及在支持宽带范围时表面波模式的传输衰减，需要较长的锥形和较宽的锥形口，以便在单导体上激发表面波模式。将这些先前的设计安装到导体上也需要一些复杂的工程，要求断开传输线，以便传输可以通过同轴接口SMA连接到线路上以便连接。如果传输装置要安装在预先存在的单导体电力线上时，这会带来一定的难度和挑战。
技术实现思路
[0003]本专利技术实施例的目的在于改进了先前传输装置的性能和实用性，传输装置用于在单导体传输线上转换准TEM横电磁波模式传输到表面波横磁波TM模式传输。具体技术方案如下：
[0004]一种表面波传输装置，包括：馈电同轴接头、扩口锥形同轴、同轴耦合器和电力线；
[0005]所述馈电同轴接头的输入端用于连接信源；所述馈电同轴接头包括第一接口和第二接口；所述第一接口和第二接口同轴设置且分别固定在所述同轴耦合器相对的两侧外壁面上；所述第一接口和所述第二接口分别传输幅度相同且相位相差180
°
的准TEM横电磁波信号；
[0006]所述同轴耦合器分别连接所述馈电同轴接头的输出端和所述扩口锥形同轴的输入端，所述同轴耦合器包括第一内导体、包覆第一内导体的第一绝缘层、耦合铜芯和第一壳体，所述第一内导体用于传输TM模式的电磁波；
[0007]所述同轴耦合器用于将TEM模式的电磁波转换为TM模式的电磁波。
[0008]所述扩口锥形同轴包括与同轴耦合器的第一绝缘层相连的第二绝缘层、第二壳体以及支撑结构；所述第二绝缘层包覆第二内导体；所述第二内导体一端连接所述第一内导体，另一端连接所述电力线。
[0009]所述第一壳体上开设连通所述馈电同轴接头的第一通孔；所述第一绝缘层对应所述第一通孔开设第二通孔；所述耦合铜芯依次穿过第一通孔和第二通孔以连接所述馈电同轴接头和所述第一内导体。
[0010]所述第一壳体和所述第二壳体均为金属壳体。
[0011]所述第二壳体呈喇叭状结构，且口径大小呈指数式变化；所述第一壳体与所述第二壳体的小口端平滑相接设置。
[0012]所述第二壳体和电力线的材料包括铜；所述第一接口和第二接口的内外导体材料均为铜，中间区域为空气介质。
[0013]所述第一绝缘层的相对介电常数与所述第二绝缘层的相对介电常数相同。
[0014]所述第一绝缘层、第二绝缘层通过增材制造成型。
[0015]所述电力线的两端分别设置所述同轴耦合器与扩口锥形同轴组件。
[0016]两组所述同轴耦合器与扩口锥形同轴组件在所述电力线两端呈镜像对称分布。
[0017]本专利技术实施例的技术特征至少可以带来以下有益效果：
[0018]本专利技术同轴耦合器与扩口锥形同轴的所有部分可制成对称两部分，当然，耦合铜芯可以不完全对称；第一绝缘层和第二绝缘层通过增材制造成型，并通过支撑结构与外壳相连，因此可实现一体化加工两个部分。允许将传输装置简单而容易地组装在现有线路上，并且安装时不需要切割或穿线。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术实施例提供的一种表面波传输装置的纵切对称部分整体结构示意图；
[0021]图2为本专利技术实施例提供的表面波传输装置的侧立面结构示意图；
[0022]图3为本专利技术实施例提供的表面波传输装置的横截面图。
[0023]附图标记说明：
[0024]1、馈电同轴接头；11、第一接口；12、第二接口；2、扩口锥形同轴；21、第二壳体；22、第二绝缘层；23、支撑结构；3、同轴耦合器；31、第一绝缘层；32、耦合铜芯；33、第一壳体；4、电力线。
具体实施方式
[0025]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0027]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0028]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0029]实施例1
[0030]为了改进了先前传输装置的性能和实用性，本专利技术实施例提供了一种表面波传输装置，
[0031]如图1所示为其一种具体实施方式，发射和接收的对称装置。展示了纵切对称的一部分，该表面波传输装置包括：馈电同轴接头1、扩口锥形同轴2、同轴耦合器3和电力线4。
[0032]如图2所示，传输装置的发射端或者接收端的截面图(xoz面)，馈电同轴接头1包括第一接口11和第二接口12，如图3所示，第一接口11和第二接口12分别固定在同轴耦合器3的相对的两侧外壁面上且同轴设置，第一接口11和第二接口12输入等幅、反相(相位相差180
°
)的准TEM横电磁波信号至同轴耦合器3部分。
[0033]同轴耦合器3分别连接馈电同轴接头1的输出端和扩口锥形同轴2的输入端，同轴耦合器3包括第一内导体、包覆第一内导体的第一绝缘层31、耦合铜芯32和第一壳体33，第一内导体用于传输TM模式的电磁波。第一壳体33上开设连通馈电同轴接头1的第一通孔。第一绝缘层31对应第一通孔开设第二通孔，耦合铜芯32依次穿过第一通孔和第二通孔以连接馈电同轴接头和第一内导体，通过第一内导体连接电力线4的导电线。
[0034]对称的差分馈电结构可以实现准横电磁波(Transverse Electromagnetic wave，TEM)模式的电磁波到均匀横磁波(Tra本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种表面波传输装置，其特征在于，包括：馈电同轴接头(1)、扩口锥形同轴(2)、同轴耦合器(3)和电力线(4)；所述馈电同轴接头(1)的输入端用于连接信源；所述馈电同轴接头(1)包括第一接口(11)和第二接口(12)；所述第一接口(11)和第二接口(12)同轴设置且分别固定在所述同轴耦合器(3)相对的两侧外壁面上；所述第一接口(11)和所述第二接口(12)分别传输幅度相同且相位相差180
°
的准TEM横电磁波信号；所述同轴耦合器(3)分别连接所述馈电同轴接头(1)的输出端和所述扩口锥形同轴(2)的输入端，所述同轴耦合器(3)包括第一内导体、包覆第一内导体的第一绝缘层(31)、耦合铜芯(32)和第一壳体(33)，所述第一内导体用于传输TM模式的电磁波；所述同轴耦合器(3)用于将TEM模式的电磁波转换为TM模式的电磁波。2.根据权利要求1所述的表面波传输装置，其特征在于，所述扩口锥形同轴(2)包括与同轴耦合器(3)的第一绝缘层(31)相连的第二绝缘层(22)、第二壳体(21)以及支撑结构(23)；所述第二绝缘层(22)包覆第二内导体；所述第二内导体一端连接所述第一内导体，另一端连接所述电力线(4)。3.根据权利要求2所述的表面波传输装置，其特征在于，所述第一壳体(33)上开设连通所述馈电同轴接头(1)的第一通孔；所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟迪，陆阳，胡紫巍，
申请(专利权)人：国网浙江省电力有限公司国家电网有限公司，
类型：发明
国别省市：
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