头面部立体提升方法技术

本发明专利技术公开了一种头面部立体提升方法，包括：在颅顶位置做一切口，切开皮肤，采用穿刺针进行埋线操作，穿刺针的针头设有穿线孔，用于携带埋线操作所用到的编织线，采用第一编织线，将其穿设在穿刺针上，进行头部左侧的埋线，采用第二编织线，将其穿设在穿刺针上，进行头部右侧的埋线，对称收紧头部左右两侧的编织线，用手推压编织线所环绕的区域，以提升帽状腱膜、颞浅筋膜，将编织线打结之后，将结头隐藏在皮下。该方法能够有效实现颞浅筋膜、帽状腱膜的整体提升，并具有较长的维持时间，能够为面部SMAS层线雕提升术提供稳定的提升固定点，本身也对面部SMAS层也有一定的拉动提升作用。本身也对面部SMAS层也有一定的拉动提升作用。

【技术实现步骤摘要】
头面部立体提升方法


[0001]本专利技术涉及医疗美容领域，尤其涉及一种头面部立体提升方法。

技术介绍

[0002]面部(脸颊位置)SMAS层对中面部起到极为重要的支撑作用，其松弛下垂将会导致头面部出现各种衰老特征，如出现法令纹随着年龄增长而愈发显著、侧脸松垮等现象。面部除皱术是医疗美容的重要领域，用于实现面部的年轻化，传统面部除皱术需要全身麻醉，具有创伤大、恢复慢等缺陷；新一代的除皱手术，即针对面部SMAS层的线雕提升术具有微创、恢复快的特点，成为了愈来愈多求美者的选择。
[0003]目前的面部线雕提升术主要采用可吸收的PPDO线，如参考专利申请号为CN201810194585的专利文献《“双M一点通”面部埋线软组织复位技术》，其主要目的是将面部SMAS层从法令纹位置往耳朵方向提升，以实现苹果肌的复位，达到中面部年轻化的目的。埋线时最高入针点通常在耳屏前面、颞区下侧的位置，有些提升技术也会将悬吊线逆向固定至颅侧的帽状腱膜层，以利用帽状腱膜为线材提供提升固定点。现有的绝大部分面部线雕提升术，最高的提升固定点通常处于颞浅筋膜层或帽状腱膜的位置上，这两个层次本身也容易发生松弛下垂，提升力不强，且容易出现线材跟随层次组织一起下移的情况。因此，如何解决颞浅筋膜层或帽状腱膜的松弛下垂成为了头面部提升领域中极为重要的问题，其不仅涉及到颞浅筋膜、帽状腱膜自身的提升和各自所处区域的年轻化，并且，若能使颞浅筋膜、帽状腱膜维持较为长期的拉紧提升，则能够为面部smas层提供长期稳定的提升固定点。
[0004]目前，用于头面部较上部位的提升术通常是提升区域较窄的提升术(如提眉术等)，对颞浅筋膜、帽状腱膜的提升作用不大，且维持效果也不长。为此，专利技术人提出了一种用于头面部立体提升的微创提升方法。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种用于头面部立体提升方法，其能够有效实现颞浅筋膜、帽状腱膜的整体提升，并具有较长的维持时间，能够为面部SMAS层线雕提升术提供稳定的提升固定点，本身也对面部SMAS层也有一定的拉动提升作用。
[0006]本专利技术的目的采用如下技术方案实现：
[0007]一种头面部立体提升方法，包括：
[0008]S1、在颅顶位置做一切口，切开皮肤，采用穿刺针进行埋线操作，穿刺针的针头设有穿线孔，用于携带埋线操作所用到的编织线，所述埋线操作包括：
[0009]S11、采用第一编织线，将其穿设在穿刺针上，进行头部左侧的埋线；其中，需要操作穿刺针从颅顶切口处穿入至帽状腱膜层，往左耳方向行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第一穿刺孔，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从颅顶切口处拔出穿刺针；
[0010]再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第一穿刺孔穿入至帽状腱膜层，继续往左耳方向行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第二穿刺孔，该第二穿刺孔处于左耳往上位置，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第一穿刺孔拔出穿刺针；
[0011]再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第二穿刺孔重新穿入至帽状腱膜层，并沿前下方向行走，穿入至颞浅筋膜层，继续行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第三穿刺孔，该第三穿刺孔处于左耳的前方位置，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第二穿刺孔拔出穿刺针；
[0012]再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第三穿刺孔重新穿入至颞浅筋膜层，往前方位置行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第四穿刺孔，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第三穿刺孔拔出穿刺针；
[0013]再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第四穿刺孔穿入至颞浅筋膜层，沿前上方向行走一定距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第五穿刺孔，该第五穿刺孔处于发际线上，然后将第一编织线与穿刺针分离，从第四穿刺孔拔出穿刺针；
[0014]再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第五穿刺孔穿入至帽状腱膜层，并使其针头携带第一编织线穿回至颅顶切口处，然后将第一编织线与穿刺针分离，从第五穿刺孔拔出穿刺针，完成头部左侧的埋线；
[0015]S12、采用第二编织线，将其穿设在穿刺针上，进行头部右侧的埋线；其中，头部右侧的埋线路径与头部左侧的埋线路径对称，并且埋线过程中依次形成有位于头部右侧的第一穿刺孔、第二穿刺孔、第三穿刺孔、第四穿刺孔和第五穿刺孔；
[0016]S2、收紧头部左侧的第一编织线和头部右侧的第二编织线；其中，收紧第一编织线的同时，用手往上推压第一编织线所环绕的区域，以提升头部左侧的颞浅筋膜及帽状腱膜，将第一编织线进一步收紧并在颅顶切口处打结，最后将第一编织线的结头隐藏在皮下；收紧第二编织线的同时，用手往上推压第二编织线所环绕的区域，以提升头部右侧的颞浅筋膜及帽状腱膜，将第二编织线进一步收紧并在颅顶切口处打结，最后将第二编织线的结头隐藏在皮下；
[0017]S3、采用缝合线在颅顶切口处缝针，最后进行加压包扎，且包扎时要覆盖住头部左右两侧的提升区域。
[0018]进一步地，所述第二穿刺孔位于耳轮上方2cm处。
[0019]进一步地，所述第一穿刺孔位于颅顶切口和第二穿刺孔的中间位置。
[0020]进一步地，所述第三穿刺孔与所述第四穿刺孔位于耳屏与外眦之间。
[0021]进一步地，所述第三穿刺孔位于耳屏前1～2cm处，所述第四穿刺孔位于第三穿刺孔前1～2cm处。
[0022]进一步地，步骤S3所采用的缝合线为可吸收线。
[0023]进一步地，该方法所采用的穿刺针包括有杆体和柄部，杆体呈弧形，柄部与针头分别位于杆体的两端，柄部中间形成有通孔。
[0024]进一步地，所述杆体的长度范围为18～20cm。
[0025]进一步地，所述杆体两端的切线夹角大于90度。
[0026]相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
[0027]本专利技术所提供的头面部立体提升方法，能够有效实现颞浅筋膜、帽状腱膜的整体提升，并具有较长的维持时间，能够为面部SMAS层线雕提升术提供稳定的提升固定点，本身也对面部SMAS层也有一定的拉动提升作用。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例的埋线路径示意图；
[0029]图2为错误埋线路径的示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例的穿刺针的结构示意图；
[0031]图4为本专利技术实施例的穿刺原理图；
[0032]图5为本专利技术实施例的头面部立体提升方法的流程图。
[0033]图中：1、针头；11、穿线孔；2、杆体；3、柄部；31、通孔；4、表皮；5、真皮层；6、帽状腱膜层；7、第一编织线。
具体实施方式
[0034]下面，结合附图以及具体实施方式，对本专利技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种头面部立体提升方法，其特征在于，该方法包括：S1、在颅顶位置做一切口，切开皮肤，采用穿刺针进行埋线操作，穿刺针的针头设有穿线孔，用于携带埋线操作所用到的编织线，所述埋线操作包括：S11、采用第一编织线，将其穿设在穿刺针上，进行头部左侧的埋线；其中，需要操作穿刺针从颅顶切口处穿入至帽状腱膜层，往左耳方向行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第一穿刺孔，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从颅顶切口处拔出穿刺针；再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第一穿刺孔穿入至帽状腱膜层，继续往左耳方向行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第二穿刺孔，该第二穿刺孔处于左耳往上位置，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第一穿刺孔拔出穿刺针；再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第二穿刺孔重新穿入至帽状腱膜层，并沿前下方向行走，穿入至颞浅筋膜层，继续行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第三穿刺孔，该第三穿刺孔处于左耳的前方位置，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第二穿刺孔拔出穿刺针；再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第三穿刺孔重新穿入至颞浅筋膜层，往前方位置行走一段距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第四穿刺孔，然后将第一编织线与穿刺针分离，并从第三穿刺孔拔出穿刺针；再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第四穿刺孔穿入至颞浅筋膜层，沿前上方向行走一定距离后，操作穿刺针使其针头携带第一编织线穿出至表皮外以形成有第五穿刺孔，该第五穿刺孔处于发际线上，然后将第一编织线与穿刺针分离，从第四穿刺孔拔出穿刺针；再次将第一编织线穿设在穿刺针上，操作穿刺针从第五穿刺孔穿入至帽状腱膜层，并使其针头携带第一编织线穿回至颅顶切口处，然后将第一编织线与穿刺针分离，从第五穿刺孔拔出穿刺针，完成头部左侧的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冀军峰，王婷，冀丽，
申请(专利权)人：冀军峰，
类型：发明
国别省市：