一种外置磁路的半匝电抗器及其磁路外置方法技术

本发明专利技术涉及电抗器技术领域，具体涉及一种外置磁路的半匝电抗器及其磁路外置方法,其包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱；所述安装组件用于使所述上横轭、下横轭、小芯柱以及三个主芯柱之间装配；所述上横轭与下横轭平行设置；三个主芯柱以及小芯柱之间均相互平行；三个主芯柱均设于所述上横轭与下横轭之间；所述小芯柱位于所述上横轭的外侧；所述小芯柱的两端分别与上横轭以及下横轭连接；所述线圈组件绕设于三个主芯柱上构成三相电抗器；所述上横轭的截面面积≥小芯柱截面积；下横轭的截面面积≥小芯柱截面积。本发明专利技术能使三相感量平衡。相感量平衡。相感量平衡。

【技术实现步骤摘要】
一种外置磁路的半匝电抗器及其磁路外置方法


[0001]本专利技术涉及电抗器
，具体涉及一种外置磁路的半匝电抗器及其磁路外置方法。

技术介绍

[0002]铁芯电抗器作为电力电子领域不可或缺的重要部件，大量应用于输电电网的谐波抑制、功率补偿等方面，其还应用于电力机车、航海船舶、新能源、不间断电源等电路中，充的滤波、谐振、限流等功能。我们知道，磁通(或磁力线)经过的闭合路径称为磁路，当一导体从起点由磁路外围垂直于磁通方向绕360度再回到起点时，其与磁通完全交链为一整匝；当绕过180度至起点的正对面结束时，其与磁通交链一半则为半匝。
[0003]在实际使用时，三相电抗器往往会采用前进后出的接线方式，即形成对侧进出线的半匝电抗器。因此在三相半匝电抗器中，往往会出现同样的结构圈数(对侧进出线时)而电气圈数确不相同的情况：设中间芯柱为N.5匝，则根据磁路匝数原理可知，其左边与右边芯柱圈数分别为N匝、N+1匝，也就是说在三相铁芯中，对侧进出线在线圈几何匝数相同的情况下会使ABC三相的电气匝数不相等，ABC三相圈数不相等最大的问题就是会导致三相电抗本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：包括铁芯组件、线圈组件以及安装组件；所述铁芯组件包括上横轭(110)、下横轭(120)、小芯柱(140)以及三个主芯柱(130)；所述安装组件用于使所述上横轭(110)、下横轭(120)、小芯柱(140)以及三个主芯柱(130)之间装配；所述上横轭(110)与下横轭(120)平行设置；三个主芯柱(130)以及小芯柱(140)之间均相互平行；三个主芯柱(130)均设于所述上横轭(110)与下横轭(120)之间；所述小芯柱(140)位于所述上横轭(110)的外侧；所述小芯柱(140)的两端分别与上横轭(110)以及下横轭(120)连接；三个主芯柱(130)上均设有所述线圈组件；每个线圈组件均同向绕制；每个线圈组件均包括有多余半匝线圈段；每个多余半匝线圈段均位于半匝电抗器的同一侧；三个线圈组件与三个主芯柱(130)构成对侧进出线的三相电抗器；所述上横轭(110)的截面面积≥小芯柱(140)截面积；下横轭(120)的截面面积≥小芯柱(140)截面积。2.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述上横轭(110)由上短横轭片(111)以及上长横轭片(112)构成；所述上长横轭片(112)用于与所述小芯柱(140)连接；所述上长横轭片(112)的厚度与所述小芯柱(140)的厚度一致；所述上短横轭片(111)的厚度以及上长横轭片(112)的厚度之和与主芯柱(130)的厚度一致；所述下横轭(120)由下短横轭片(121)以及下长横轭片(122)构成；所述下长横轭片(122)用于与所述小芯柱(140)连接；所述下长横轭片(122)的厚度与所述小芯柱(140)的厚度一致；所述下短横轭片(121)的厚度以及下长横轭片(122)的厚度之和与主芯柱(130)的厚度一致。3.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：每个主芯柱(130)上均设有相同数量的若干个芯柱气隙(132)；每个主芯柱(130)上均设有相同数量的铁芯片(131)；且每个主芯柱(130)的铁芯片(131)位置及芯柱气隙(132)的位置均相同；每个主芯柱(130)上均设有相同数量的若干个芯柱气隙(132)；所述主芯柱(130)与上横轭(110)之间直接连接；所述主芯柱(130)与下横轭(120)之间直接连接。4.根据权利要求1所述的一种外置磁路的半匝电抗器，其特征在于：所述安装组件包括横轭夹件(310)、U型顶压件(340)、底座(350)、拉紧帮块(380)、纵锁螺栓(360)和横锁螺栓(370)；所述U型顶压件(340)设于所述上横轭(110)的顶部；所述拉紧帮块(380)设于所述下横轭(120)上；所述底...

【专利技术属性】
技术研发人员：冉瑞刚，李正中，李经伟，
申请(专利权)人：东莞市大忠电子有限公司，
类型：发明
国别省市：