量子点膜和显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种量子点膜和显示面板，该量子点膜划分为多个量子点区，该量子点膜包括量子点层以及设置于量子点层相对两侧的第一保护层和第二保护层；对应每一量子点区的第一保护层和/或第二保护层设置有凹槽，量子点层填充于凹槽内形成凸起结构，以使得每一量子点区的量子点层具有高度差，以减小不同角度的光线经过量子点层的光程差，使不同角度的光线经过量子点层受激发程度相近，以缓解显示产品存在显示不均的问题。显示不均的问题。显示不均的问题。

【技术实现步骤摘要】
量子点膜和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种量子点膜和显示面板。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展以及消费者对产品显示品质要求的提高，高色域的显示产品越来越受消费者的青睐。实现高色域的方法有很多种，主要包括采用LED芯片，荧光粉或者是量子点(Quantum Dots，QD)与不同部材的集成等，如QD
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LED等，其基本原理都是将背光频谱的半峰宽做窄，提升色纯度，进而提升色域。其中采用量子点膜(QD film)是目前大部分高色域液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)器件的主要实现方案。
[0003]然而对于采用LED作为光源的显示产品，因LED的光型为朗伯型，中间角度的光强较强，大角度的光较弱，而且中间角度的光直射通过量子点膜，光程短，激发少；大角度的光经过量子点膜的光程长，激发多，如此会导致中间角度和大角度的光经过量子点膜后的出光不同，出现显示不均的现象。
[0004]因此，现有显示产品存在显示不均的技术问题需要解决。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供一种量子点膜和显示面板，以缓解现有显示产品存在显示不均的技术问题。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：
[0007]本专利技术实施例提供一种量子点膜，其划分为多个量子点区，所述量子点膜包括：
[0008]量子点层，所述量子点层设置有量子点；
[0009]设置于所述量子点层相对两侧的第一保护层和第二保护层；
[0010]其中，每一所述量子点区的所述量子点层具有高度差，以减小经过所述量子点层的不同入射角光线之间的光程差。
[0011]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述量子点区的所述量子点层具有凸起结构。
[0012]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述第一保护层和所述第二保护层的其中之一在对应所述量子点区设置有第一凹槽，所述凸起结构填充于所述第一凹槽。
[0013]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述第一保护层和所述第二保护层在对应所述量子点区分别设置有第二凹槽和第三凹槽，所述凸起结构填充于所述第二凹槽和所述第三凹槽。
[0014]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述第二凹槽和所述第三凹槽相对设置。
[0015]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述第二凹槽的深度和所述第三凹槽的深度之和等于所述第一保护层和所述第二保护层之间的间隔距离。
[0016]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述第二凹槽的深度和所述第三凹槽的深度相同。
[0017]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述凸起结构的截面形状包括矩形、弧形、三角形、梯形。
[0018]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，不同所述量子点区的所述量子点相同，所述量子点包括红色量子点和绿色量子点。
[0019]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述量子点的浓度与所述量子点层的高度正相关。
[0020]在本专利技术实施例提供的量子点膜中，所述量子点膜还包括黑矩阵，所述黑矩阵把所述量子点层分割成多个所述量子点区，每相邻的两个所述量子点区的所述量子点不同。
[0021]本专利技术实施例还提供一种显示面板，其包括前述实施例其中之一的量子点膜以及多个激发光源，每一量子点区对应一个所述激发光源。
[0022]本专利技术的有益效果为：本专利技术提供的量子点膜和显示面板中量子点膜划分为多个量子点区，所述量子点膜包括量子点层以及设置于所述量子点层相对两侧的第一保护层和第二保护层；对应每一所述量子点区的所述第一保护层和/或所述第二保护层设置有凹槽，所述量子点层填充于凹槽内形成凸起结构，以使得每一所述量子点区的所述量子点层具有高度差，以减小不同角度的光线经过所述量子点层的光程差，使不同角度的光线经过量子点层受激发程度相近，避免了产生显示不均。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本专利技术实施例提供的量子点膜的一种剖面结构示意图。
[0025]图2为本专利技术实施例提供的保护层的细节示意图。
[0026]图3为本专利技术实施例提供的量子点区与激发光源的对照关系示意图。
[0027]图4为本专利技术实施例提供的实现减小光程差的原理示意图。
[0028]图5为本专利技术实施例提供的量子点膜的又一种剖面结构示意图。
[0029]图6为本专利技术实施例提供的量子点膜的另一种剖面结构示意图。
[0030]图7为本专利技术实施例提供的量子点膜的再一种剖面结构示意图。
[0031]图8为本专利技术实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图。
[0032]图9为本专利技术实施例提供的显示面板的又一种剖面结构示意图。
[0033]图10为本专利技术实施例提供的一种量子点膜制备方法的流程示意图。
具体实施方式
[0034]以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。在附图中，为了清晰理解和便于描述，夸大了一些层和区域的厚度。即附图中示出的每个组件的尺寸和厚度是任意示出
的，但是本专利技术不限于此。
[0035]请参照图1，图1为本专利技术实施例提供的量子点膜的一种剖面结构示意图。所述量子点膜100划分为多个量子点区LD，所述量子点膜100包括量子点层10以及设置于所述量子点层10相对两侧的第一保护层20和第二保护层30，所述量子点层10设置有量子点12。其中，每一所述量子点区LD的所述量子点层10具有高度差，以减小经过所述量子点层10的不同入射角光线之间的光程差。
[0036]在本实施例中，每一所述量子点区LD的所述量子点层10具有高度差，以减小不同角度的光线经过所述量子点层10的光程差，使不同角度的光线经过量子点层10受激发程度相近，避免了产生显示不均。
[0037]具体地，继续参照图1，所述量子点膜100的中间膜层为量子点层10，所述量子点层10包括高分子聚合物基材11及均匀分散在所述高分子聚合物基材11中的量子点12。
[0038]所述量子点12是由半导体材料构成的核壳结构，包括量子点中心核和外层壳。量子点12的材质包括MgS、CdTe、CdSe、CdS、CdZnS、ZnSe、ZnTe、ZnS、ZnO、GaAs、GaN、GaP、InP、InAs、InN、InSb、AlP、AlSb等中的一种或多种。例如中心核是CdSe核，外层壳是ZnS壳。量子点12的粒径本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点膜，其特征在于，划分为多个量子点区，所述量子点膜包括：量子点层，所述量子点层设置有量子点；设置于所述量子点层相对两侧的第一保护层和第二保护层；其中，每一所述量子点区的所述量子点层具有高度差，以减小经过所述量子点层的不同入射角光线之间的光程差。2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点区的所述量子点层具有凸起结构。3.根据权利要求2所述的量子点膜，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层的其中之一在对应所述量子点区设置有第一凹槽，所述凸起结构填充于所述第一凹槽。4.根据权利要求2所述的量子点膜，其特征在于，所述第一保护层和所述第二保护层在对应所述量子点区分别设置有第二凹槽和第三凹槽，所述凸起结构填充于所述第二凹槽和所述第三凹槽。5.根据权利要求4所述的量子点膜，其特征在于，所述第二凹槽和所述第三凹槽相对设置。6.根据权利要求4所述的量子点膜，其特征在于，所述第二凹槽的深度和...

【专利技术属性】
技术研发人员：付琳琳，
申请(专利权)人：惠州市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：