一种超小体积PD65W电源制造技术

本实用新型专利技术公开了一种超小体积PD65W电源，包括市电输入及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、主控PWM IC、氮化镓功率芯片、次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE

【技术实现步骤摘要】
一种超小体积PD65W电源


[0001]本技术属于电源适配器
，具体是涉及一种超小体积PD65W电源。

技术介绍

[0002]传统的功率半导体被设计用来提升系统的效率以及减少能量损失。可是实际上，出于两个方面的原因
‑
传导和开关切换，设备可能会出现能量损失。另外，充电电源也是趋于小体积，大功率、高能效方向发展。

技术实现思路

[0003]本技术目的在于针对上述问题，提供一种超小体积PD65W电源，能使得电源体积更小、散热性能好、效率高，而且功率更大。
[0004]本技术是通过以下技术方案实现的：
[0005]一种超小体积PD65W电源，其特征在于：包括市电输入及抗雷击线路、EMI 滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、主控PWM IC、NV6115 氮化镓功率芯片、次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路、PD协议制定IC 和TYPE
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C输出接口。
[0006]所述市电输入及抗雷击线路通过EMI滤波电磁抗干扰线路后连接桥式整流滤波线路，所述桥式整流滤波线路包括两个桥式模块BD1、BD2和四个并联电容C1、C2、C3、C4，并联电容的一端连接功率变压器原边绕组的一端，另一端接地；所述桥式模块BD1、BD2的正极输出端通过电阻连接至主控PWM IC的高压启动电路输入端；所述主控PWM IC的驱动输出端连接至NV6115氮化镓功率芯片；所述NV6115氮化镓功率芯片的输出端连接至功率变压器原边绕组的另一端；所述功率变压器的副边依次通过次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路连接至TYPE
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C输出接口；所述PD协议制定IC的输入端分别与次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路连接，输出端连接至TYPE
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C输出接口。
[0007]所述主控PWM IC采用型号NCP1342的高频PWM控制器，内部集成高压启动电路和X2电容放电。
[0008]进一步地，所述EMI滤波电磁抗干扰线路包括两个共模电感LF1和LF2。
[0009]进一步地，所述桥式整流滤波线路中的桥式模块BD1、BD2并接，均为小体积MTBFR310贴片桥堆。
[0010]进一步地，所述次级MOS整流线路包括DFN5X6同步MOS功率管。
[0011]进一步地，所述NV6115氮化镓功率芯片内置驱动器以及支持2MHz开关频率。
[0012]进一步地，所述PD协议制定IC型号为HUSB350。
[0013]本技术的有益效果是：本技术采用型号为NCP1342的主控PWM IC、 NV6115氮化镓功率芯片和型号为HUSB350的PD协议制定IC，集成度高，缩小了电源体积，功率大，同时在满负载又不需要外加风扇去散热，且转换效率高。
附图说明
[0014]图1为本技术的原理框图。
[0015]图2为本技术的第一部分电路原理图。
[0016]图3为本技术的第二部分电路原理图。
[0017]在图中，1、市电输入及抗雷击线路，2、EMI滤波电磁抗干扰线路，3、桥式整流滤波线路，4、功率变压器，5、主控PWM IC，6、NV6115氮化镓功率芯片， 7、次级MOS整流线路，8、防电流倒灌控制线路，9、PD协议制定IC，10、TYPE
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C 输出接口。
具体实施方式
[0018]下面结合具体实例及附图来进一步阐述本技术。
[0019]如图1
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3所示，一种超小体积PD65W电源，包括市电输入及抗雷击线路1、 EMI滤波电磁抗干扰线路2、桥式整流滤波线路3、功率变压器4、主控PWM IC5、 NV6115氮化镓功率芯片6、次级MOS整流线路7、防电流倒灌控制线路8、PD 协议制定IC9和TYPE
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C输出接口10。
[0020]所述主控PWM IC5采用型号NCP1342的高频PWM控制器，内部集成高压启动电路和X2电容放电。
[0021]所述NV6115氮化镓功率芯片6内置驱动器以及支持2MHz开关频率。
[0022]所述PD协议制定IC9型号为HUSB350。
[0023]所述市电输入及抗雷击线路1通过EMI滤波电磁抗干扰线路2后连接桥式整流滤波线路3，所述桥式整流滤波线路3包括两个桥式模块BD1、BD2和四个并联电容C1、C2、C3、C4，并联电容的一端连接功率变压器4原边绕组的一端，另一端接地；所述桥式模块BD1、BD2的正极输出端通过串联电阻R5、R6连接至主控PWM IC5的高压启动电路输入HV端；所述主控PWM IC5的驱动输出DRV端通过串联电阻R11、R13连接至NV6115氮化镓功率芯片6的2脚；所述NV6115氮化镓功率芯片6的输出端5脚连接至功率变压器4原边绕组的另一端；功率变压器4原边绕组两端并联有由二极管D1、电阻R7、R8、电容C19 组成的电路，电阻R7与电容C19串联后与电阻R8组成的并联电路再与二极管 D1串联，二极管D1的正极端与NV6115氮化镓功率芯片6的5脚相连；所述功率变压器4的副边依次通过次级MOS整流线路7、防电流倒灌控制线路8连接至TYPE
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C输出接口10；所述PD协议制定IC9的输入端分别与次级MOS整流线路7、防电流倒灌控制线路8连接。
[0024]所述EMI滤波电磁抗干扰线路2包括两个共模电感LF1和LF2。
[0025]所述桥式整流滤波线路3中的桥式模块BD1与BD2并联，均为小体积 MTBFR310贴片桥堆。
[0026]所述次级MOS整流线路7包括DFN5X6同步MOS功率管和型号为MP6908 的芯片U2。同步MOS功率管接在功率变压器4副边的负极和工作地之间，控制端通过电阻R30连接到芯片U2的VG端。
[0027]所述功率变压器4副边的正极端通过电压反馈电路、电流反馈电路分别连接至PD协议制定IC9的VFB端、IFB端。
[0028]所述防电流倒灌控制线路8包括场效应管Q4，场效应管Q4接在功率变压器4 副边的正极和TYPE
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C输出接口10的电源正极输出端之间，其控制端通过电阻 R45连接至PD协议制定IC9的GATE端。
[0029]所述PD协议制定IC9的CC+、CC
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输出端分别通过电阻R38、R41连接至 TYPE
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C输出接口10的D+、D
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端口；所述PD协议制定IC9的CC1、CC2输出端分别通过电阻、电容和二极管形成的电路连接至TYPE
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C输出接口10的CC1、 CC2端。
[0030]采用Navitas纳微的GaNFast氮化镓功率芯片NV6115，内置驱动器以及复杂的逻辑控制电路，170mΩ导阻，耐压650V，支持2MHz开关频率，采用5*6mm QFN 封装，节省面积。
[0031]以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超小体积PD65W电源，其特征在于：包括市电输入及抗雷击线路、EMI滤波电磁抗干扰线路、桥式整流滤波线路、功率变压器、主控PWM IC、NV6115氮化镓功率芯片、次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路、PD协议制定IC和TYPE
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C输出接口；所述市电输入及抗雷击线路通过EMI滤波电磁抗干扰线路后连接桥式整流滤波线路，所述桥式整流滤波线路包括两个桥式模块BD1、BD2和四个并联电容C1、C2、C3、C4，并联电容的一端连接功率变压器原边绕组的一端，另一端接地；所述桥式模块BD1、BD2的正极输出端通过电阻连接至主控PWM IC的高压启动电路输入端；所述主控PWM IC的驱动输出端连接至NV6115氮化镓功率芯片；所述NV6115氮化镓功率芯片的输出端连接至功率变压器原边绕组的另一端；所述功率变压器的副边依次通过次级MOS整流线路、防电流倒灌控制线路连接至TYPE
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C输出接口；所述P...

【专利技术属性】
技术研发人员：高其玉，
申请(专利权)人：东莞市东颂电子有限公司，
类型：新型
国别省市：