功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法技术

本发明专利技术公开了一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，包含：步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I0及I0’

【技术实现步骤摘要】
功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法
[0001]

[0002]本专利技术涉及半导体失效分析领域，特别是指一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法。

技术介绍

[0003]MOS器件是一种常见的电力电子器件，其包含源区及漏区，源区及漏区之间为沟道区，沟道区上方为栅氧化层及多晶硅栅极。作为一种开关器件，其存在导通和截止两种状态，内部为单一载流子参与导电，是一种单极型器件。其工作原理比较简单，源区和漏区为相同导电类型的区域，沟道区为与源漏区相反导电类型的区域，通过控制多晶硅栅极上的电压使沟道区的导电类型反型而使器件形成导通或截止。
[0004]功率MOS具有开关速度快、输入阻抗高、易驱动、不存在二次击穿现象等优点，应用非常广泛。漏源击穿电压(以下简称BV
DSS
)是功率MOSFET中常见的一种测试项目，一般是测量漏电流为250uA时漏极到源极的电压。
[0005]BV
DSS
测试原理图如图1所示，测试时将功率MOS管的栅极G和源极S短路，在25℃的工作温度下，测量源极S和漏极D不发生雪崩击穿时，所能本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：包含如下的步骤：步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I0及I0’
，根据产品的BV特性曲线确定一个漏电流测试值I
t
；步骤2，确定Stress测试的强度测试电流Istress；获得施加强度测试电流Istress时的测试总时间极值Tstress；步骤3，确定Stress测试的每一步测试时间Tstep；步骤4，确定Stress测试的重复测试次数n，即测试的步数。2.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的漏电流值I0及I0’
，这两个漏电流值相同，但是其测试值会有变化，通过设置首尾两次测试来观察他们测试值的变化；所述的I0＝I0’
＞250uA。3.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的漏电流测试值I
t
大于250uA,但小于强度测试电流Istress。4.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晶晶，谢晋春，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：