【技术实现步骤摘要】
一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法
[0001]本专利技术属于薄膜制备
,具体涉及一种高性能NiZn铁氧体薄膜的低温制备方法。
技术介绍
[0002]近年来,电子信息产品往高频化、小型化、集成化方面快速发展,特别是随着半导体工艺地不断进步,电子电路的集成度也日益提升。作为无源器件的电阻器和电容器已经能够进行薄膜化,从而在电子系统中集成应用。然而,作为三大无源器件之一的电感器,却因为传统磁性材料庞大的体积和质量,限制了其在电路系统中的集成化发展。因此,高性能软磁薄膜的发展需求变得日益迫切。NiZn铁氧体薄膜具有高电阻率、高居里温度、优良的机械耐磨性及稳定的化学性能等优点,是在高频磁性器件中广泛应用的软磁薄膜。
[0003]考虑到高频磁性器件的应用需求,NiZn铁氧体薄膜通常需要高磁导率和高截止频率,前者是磁性器件具有良好性能的前提,后者决定了磁性器件的工作频率。然而,一般情况下高磁导率和高截止频率很难同时兼顾,这也是制约NiZn铁氧体薄膜应用的因素之一。
[0004]目前,制备NiZn铁氧体薄膜的方法 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高性能NiZn铁氧体薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1、配制氧化反应液和还原反应液:1.1将亚硝酸钠、乙酸钠加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到氧化反应液,氧化反应液中,亚硝酸钠的浓度为0.1g/L~0.2g/L,乙酸钠的浓度为1.3g/L~1.5g/L;1.2将氯化亚铁、氯化镍、氯化锌、氯化钴加入去离子水中,搅拌混合均匀,得到还原反应液,还原反应液中,氯化亚铁、氯化镍、氯化锌和氯化钴的摩尔比为(12.83~13.97):(0.61~2.83):1:(0.11~0.67),氯化亚铁的浓度为1.3g...
【专利技术属性】
技术研发人员:余忠,青豪,孙科,冉茂君,邬传健,刘海,蒋晓娜,兰中文,
申请(专利权)人:电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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