【技术实现步骤摘要】
一种二线制复用电路
[0001]本专利技术涉及通讯电路的
,具体而言,涉及一种二线制复用电路。
技术介绍
[0002]通讯电路有多种形式,其中,一种为全隔离的通讯方案,其通讯方式采用的是全双工的方式,与之相匹配的通讯协议和标准无法与目前广泛应用的总线式的协议和标准相匹配。另外在实际使用时,出现过主控板与电源板通讯线过长造成通讯受到干扰的情况,隔离效果不理想。另一种为总线式通讯电路,可以挂载多个电脑板,但是由于挂载多个电路板,其I/O接口的需求便会增多,从而使得电路资源不能够充分利用,故由此需要一种更为简洁方便的通讯电路。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的在于提供一种二线制复用电路,其无需发送或接收控制转换信号线,节省了输出或输入接口,节约了成本,提高了数据传输效率。
[0004]本专利技术的实施例是这样实现的:
[0005]本申请实施例提供一种二线制复用电路,其包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。
[0006]在本专利技术的一些实施例中,磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与第一通信模块的输入端连接。
[0007]在本专利技术的一些实施例中,第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,逻辑控制电路的输入端与NSI8121N1芯片的VI ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种二线制复用电路,其特征在于,包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,所述磁耦隔离电路的输出端与所述第一通信电路的输入端连接,所述第一通信电路的输出端与所述第二通信电路的输入端连接。2.根据权利要求1所述的二线制复用电路,其特征在于,所述磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,所述NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,所述NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与所述第一通信模块的输入端连接。3.根据权利要求2所述的二线制复用电路,其特征在于,所述第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,所述逻辑控制电路的输入端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述逻辑控制电路的输出端与所述485通信模块的第一输入端连接,所述485通信模块的第二输入端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接。4.根据权利要求3所述的二线制复用电路,其特征在于,所述逻辑控制电路包括74HC1G08芯片,所述74HC1G08芯片的Y端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述74HC1G08芯片的A端与所述485通信模块的第一输入端连接。5.根据权利要求4所述的二线制复用电路,其特征在于,所述485通信模块包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,所述SN75LBC184DR芯片的RO端与所述电阻R8的一端连接,所述电阻R8的另一端与所述74HC1G08芯片的A端连接,所述SN75LBC184DR芯片的RE端与所述电阻R6的一端连接,所述电阻R6的另一端与外接电源连接,所述SN75LBC184DR芯片的DE端与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的DI端与所述三极管Q1的发射端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R7的一端连接,所述电阻R7的另一端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接,所述三极管Q1的集电极与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,所述电容C1的另一端接地;所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端与所述贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP1的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述电阻R9的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R9的另一端与外接电源连接,所述电阻R13的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R13的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端与所述贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP2的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述贴片二极管TVS1一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS1的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS2的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS2的另一端接地,所述贴片二极管TVS3的一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS3的另一端接地。6.根据权利要求5所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:舒亿兵,于丽娇,陈治国,齐斌,
申请(专利权)人:云谷技术珠海有限公司,
类型:发明
国别省市:
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