一种二线制复用电路制造技术

技术编号:29206413 阅读:12 留言:0更新日期:2021-07-10 00:42
本发明专利技术提出了一种二线制复用电路,涉及通讯电路的技术领域。包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。无需发送或接收控制转换信号线,节省了输出或输入接口,节约了成本,提高了数据传输效率。提高了数据传输效率。提高了数据传输效率。

【技术实现步骤摘要】
一种二线制复用电路


[0001]本专利技术涉及通讯电路的
,具体而言,涉及一种二线制复用电路。

技术介绍

[0002]通讯电路有多种形式,其中,一种为全隔离的通讯方案,其通讯方式采用的是全双工的方式,与之相匹配的通讯协议和标准无法与目前广泛应用的总线式的协议和标准相匹配。另外在实际使用时,出现过主控板与电源板通讯线过长造成通讯受到干扰的情况,隔离效果不理想。另一种为总线式通讯电路,可以挂载多个电脑板,但是由于挂载多个电路板,其I/O接口的需求便会增多,从而使得电路资源不能够充分利用,故由此需要一种更为简洁方便的通讯电路。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种二线制复用电路,其无需发送或接收控制转换信号线,节省了输出或输入接口,节约了成本,提高了数据传输效率。
[0004]本专利技术的实施例是这样实现的:
[0005]本申请实施例提供一种二线制复用电路,其包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,磁耦隔离电路的输出端与第一通信电路的输入端连接,第一通信电路的输出端与第二通信电路的输入端连接。
[0006]在本专利技术的一些实施例中,磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与第一通信模块的输入端连接。
[0007]在本专利技术的一些实施例中,第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,逻辑控制电路的输入端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,逻辑控制电路的输出端与485通信模块的第一输入端连接,485通信模块的第二输入端与NSI8121N1芯片的VOB端连接。
[0008]在本专利技术的一些实施例中,逻辑控制电路包括74HC1G08芯片,74HC1G08芯片的Y端与NSI8121N1芯片的VIA端连接,74HC1G08芯片的A端与485通信模块的第一输入端连接。
[0009]在本专利技术的一些实施例中,485通信模块包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,SN75LBC184DR芯片的RO端与电阻R8的一端连接,电阻R8的另一端与74HC1G08芯片的A端连接,SN75LBC184DR芯片的RE端与电阻R6的一端连接,电阻R6的另一端与外接电源连接,SN75LBC184DR芯片的DE端与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的DI端与三极管Q1的发射端连接,三极管Q1的基极与电阻R7的一端连接,电阻R7的另一端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,三极管Q1的集电极与SN75LBC184DR芯片的RE端连接,SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,电容C1的另一端接地;SN75LBC184DR芯片的A/Y端与贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP1的输出端与第二通信电路的输入端连接,电阻
R9的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R9的另一端与外接电源连接,电阻R13的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,电阻R13的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,SN75LBC184DR芯片的B/Z端与贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,贴片自恢复保险丝JP2的输出端与第二通信电路的输入端连接,贴片二极管TVS1一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS1的另一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS2的一端与SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,贴片二极管TVS2的另一端接地,贴片二极管TVS3的一端与SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,贴片二极管TVS3的另一端接地。
[0010]在本专利技术的一些实施例中,第二通信电路包括SP3232EEY芯片、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、贴片二极管TVS4和贴片二极管TVS5,SP3232EEY芯片的T1IN端与NSI8121N1芯片的VOB端连接,SP3232EEY芯片的R1OUT端与74HC1G08的B端连接,SP3232EEY芯片的C1+端与电容C2的一端连接,电容C2的另一端与SP3232EEY芯片的C1

端连接,SP3232EEY芯片的V

端与电容C3的一端连接,电容C3的另一端与接地;SP3232EEY芯片的T1OUT端与贴片自恢复保险丝JP1的输出端连接,贴片二极管TVS4的一端与SP3232EEY芯片的T1OUT端连接,贴片二极管TVS4的另一端接地;SP3232EEY芯片的R1IN端与贴片自恢复保险丝JP2的输出端连接,贴片二极管TVS5的一端与SP3232EEY芯片的R1IN端连接,贴片二极管TVS5的另一端接地,SP3232EEY芯片的C2+端与电容C4的一端连接,电容C4的另一端与SP3232EEY芯片的C2

端连接,SP3232EEY芯片的VCC端与外接电源连接,电容C6的一端与SP3232EEY芯片的VCC端连接,电容C6的另一端接地;SP3232EEY芯片的V+端与电容C5的一端连接,电容C5的另一端接地。
[0011]在本专利技术的一些实施例中,还包括通信电源隔离电路,通信电源隔离电路的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接,通信电源隔离电路的输入端与外接电源连接。
[0012]在本专利技术的一些实施例中,通信电源隔离电路包括电源转换芯片TPK0505、第一滤波电路和第二滤波电路,第一滤波电路的输入端与外接电源连接,第一滤波电路的输出端与电源转换芯片TPK0505的输入端连接,电源转换芯片TPK0505的输出端与第二滤波电路的输入端连接,第二滤波电路的输出端与SN75LBC184DR芯片的VCC端连接。
[0013]在本专利技术的一些实施例中,第一滤波电路包括贴片二极管TVS6、电解电容C11、电容C10和电阻R14,电阻R14一端与外接电源连接,电阻R14的另一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,贴片二极管TVS6的另一端接地,电解电容C11的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电解电容C11的另一端接地,电容C10的一端与电源转换芯片TPK0505的VIN端连接,电容C10的另一端接地。
[0014]在本专利技术的一些实施例中,第二滤波电路包括电容C7、电容C8、电容C9和电阻R15,电阻R15的一端与电源转换芯片TPK0505的IVO端连接,电阻R15的另一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的一端与SN75LBC184DR的VCC端连接,电容C7的另一端接地,电容C8、电容C9分别与电容C7并联。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二线制复用电路,其特征在于,包括磁耦隔离电路、第一通信电路和第二通信电路,所述磁耦隔离电路的输出端与所述第一通信电路的输入端连接,所述第一通信电路的输出端与所述第二通信电路的输入端连接。2.根据权利要求1所述的二线制复用电路,其特征在于,所述磁耦隔离电路包括NSI8121N1芯片,所述NSI8121N1芯片的VDD1端、VDD2端分别与外接电源连接,所述NSI8121N1芯片的VIA端、VOB端分别与所述第一通信模块的输入端连接。3.根据权利要求2所述的二线制复用电路,其特征在于,所述第一通信电路包括逻辑控制电路和485通信模块,所述逻辑控制电路的输入端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述逻辑控制电路的输出端与所述485通信模块的第一输入端连接,所述485通信模块的第二输入端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接。4.根据权利要求3所述的二线制复用电路,其特征在于,所述逻辑控制电路包括74HC1G08芯片,所述74HC1G08芯片的Y端与所述NSI8121N1芯片的VIA端连接,所述74HC1G08芯片的A端与所述485通信模块的第一输入端连接。5.根据权利要求4所述的二线制复用电路,其特征在于,所述485通信模块包括SN75LBC184DR芯片、电容C1、电阻R6、电阻R7、电阻R8、三极管Q1、电阻R9、电阻R10、电阻R13、贴片二极管TVS1、贴片二极管TVS2、贴片二极管TVS3、贴片自恢复保险丝JP1和贴片自恢复保险丝JP2,所述SN75LBC184DR芯片的RO端与所述电阻R8的一端连接,所述电阻R8的另一端与所述74HC1G08芯片的A端连接,所述SN75LBC184DR芯片的RE端与所述电阻R6的一端连接,所述电阻R6的另一端与外接电源连接,所述SN75LBC184DR芯片的DE端与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的DI端与所述三极管Q1的发射端连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R7的一端连接,所述电阻R7的另一端与所述NSI8121N1芯片的VOB端连接,所述三极管Q1的集电极与所述SN75LBC184DR芯片的RE端连接,所述SN75LBC184DR芯片的VCC端分别与电容C1的一端、外接电源连接,所述电容C1的另一端接地;所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端与所述贴片自恢复保险丝JP1的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP1的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述电阻R9的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R9的另一端与外接电源连接,所述电阻R13的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述电阻R13的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端与所述贴片自恢复保险丝JP2的输入端连接,所述贴片自恢复保险丝JP2的输出端与所述第二通信电路的输入端连接,所述贴片二极管TVS1一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS1的另一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS2的一端与所述SN75LBC184DR芯片的A/Y端连接,所述贴片二极管TVS2的另一端接地,所述贴片二极管TVS3的一端与所述SN75LBC184DR芯片的B/Z端连接,所述贴片二极管TVS3的另一端接地。6.根据权利要求5所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:舒亿兵于丽娇陈治国齐斌
申请(专利权)人:云谷技术珠海有限公司
类型:发明
国别省市:

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