有机金属化合物、沉积薄膜的组合物、制造薄膜的方法、有机金属化合物薄膜及半导体装置制造方法及图纸

公开一种由化学式1表示的有机金属化合物、一种用于沉积包含有机金属化合物的薄膜的组合物、一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法、一种由用于沉积薄膜的组合物制造的有机金属化合物薄膜以及一种包含薄膜的半导体装置。所述有机金属化合物在室温下呈液态且呈现低粘度和极佳挥发性。在化学式1中，M和A的定义如本说明书中所描述。[化学式1]M(A)2。。。

【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、沉积薄膜的组合物、制造薄膜的方法、有机金属化合物薄膜及半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2019年12月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10
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2019
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0173308号的优先权和权益，所述申请的全部内容以引用的方式并入本文中。


[0003]公开一种有机金属化合物、一种用于沉积包含有机金属化合物的薄膜的组合物、一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法、一种由用于沉积薄膜的组合物制造的有机金属化合物薄膜以及一种包含薄膜的半导体装置。

技术介绍

[0004]近年来，半导体行业已从几百纳米发展到几纳米到几十纳米的超精细技术。为实现这种超精细技术，具有高介电常数和低电阻的薄膜是必需的。
[0005]然而，由于半导体装置的高度集成，难以利用过去使用的物理气相沉积(physical vapor deposition；PVD)工艺(如溅镀工艺)来形成薄膜。因此，近年来，利用化学气相沉积(chemical vapor deposition；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种有机金属化合物，由化学式1表示：[化学式1]M(A)2其中，在化学式1中，M为Sr或Ba，且A源自由化学式2表示的化合物，[化学式2]其中，在化学式2中，R1到R5独立地是氢或取代或未取代的C1到C20烷基，且R1到R5中的至少一个是取代或未取代的C3到C20分支链烷基，且其余R1到R5中的至少一个是不同于所述取代或未取代的C3到C20分支链烷基的取代或未取代的C1到C20烷基。2.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中所述至少一个取代或未取代的C3到C20分支链烷基是取代或未取代的C3到C10异烷基、取代或未取代的C3到C10仲烷基、取代或未取代的C4到C10叔烷基或取代或未取代的C5到C10新烷基。3.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中R1到R5中的至少两个是取代或未取代的C3到C20分支链烷基。4.根据权利要求3所述的有机金属化合物，其中所述至少两个取代或未取代的C3到C20分支链烷基相同。5.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中R1到R5中的一个或两个独立地是取代或未取代的C3到C10异烷基，且其余R1到R5中的一个或两个独立地是取代或未取代的C1到C20线性烷基、取代或未取代的C3到C10仲烷基或取代或未取代的C4到C10叔烷基。6.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中R1到R5中的一个或两个独立地是异丙基、异丁基或异戊基，且其余R1到R5中的一个或两个独立地是甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、仲丁基、仲戊基、叔丁基或叔戊基。7.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中化学式2由化学式2
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1到化学式2
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6中的一个表示：
其中，在化学式2
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1到化学式2
‑
6中，R
a
和R
b
独立地是异丙基、异丁基或异戊基，且R
c
和R
d
独立地是甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、仲丁基、仲戊基、叔丁基或叔戊基。8.根据权利要求1所述的有机金属化合物，其中所述有机金...

【专利技术属性】
技术研发人员：任相均，朴景铃，金容兑，成太根，吴釜根，林雪熙，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：