一种OLED器件、显示装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种OLED器件、显示装置及其制备方法，能够调节电子在发光层中的传输浓度、增加材料的稳定性，延长器件的寿命。包括第一电极；空穴阻挡层；发光层，发光层包括主体材料和陷阱型材料；陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于主体材料的最低未占据分子轨道能级以及空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级；电子阻挡层；以及第二电极；其中，第一电极、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层和第二电极依次层叠设置。设置。设置。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED器件、显示装置及其制备方法


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种OLED器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)是一种利用有机半导体材料和发光材料在电流驱动下而达到发光并实现显示的技术。近年来，OLED显示装置作为一种新型的平板显示器逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供一种OLED器件、显示装置及其制备方法，能够调节电子在发光层中的传输浓度、增加材料的稳定性，延长器件的寿命。
[0004]为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：
[0005]一方面，提供一种OLED器件，包括第一电极。
[0006]空穴阻挡层。
[0007]发光层，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料；所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种OLED器件，其特征在于，包括：第一电极；空穴阻挡层；发光层，所述发光层包括主体材料和陷阱型材料；所述陷阱型材料的最低未占据分子轨道能级低于所述主体材料的最低未占据分子轨道能级以及所述空穴阻挡层材料的最低未占据分子轨道能级；所述陷阱型材料的最高占据分子轨道能级低于或者等于所述主体材料的最高占据分子轨道能级，且高于所述空穴阻挡层的最高占据分子轨道能级；电子阻挡层；以及第二电极；其中，所述第一电极、所述空穴阻挡层、所述发光层、电子阻挡层和所述第二电极依次层叠设置。2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述发光层还包括客体材料，所述客体材料掺杂于所述主体材料和/或所述陷阱型材料中，所述客体材料与所述主体材料的摩尔比为1:49～1:5。3.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料掺杂于所述主体材料中。4.根据权利要求3所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料与所述主体材料的摩尔比为3：7～7：3。5.根据权利要求3所述的OLED器件，所述陷阱型材料的掺杂位置为所述发光层与所述空穴阻挡层接触的一侧，且所述陷阱型材料的掺杂厚度小于等于所述发光层厚度的50％。6.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述发光层包括主体材料层和陷阱型材料层；所述陷阱型材料层与所述主体材料层交替设置，与所述电子阻挡层接触的是所述主体材料层。7.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，所述陷阱型材料层的厚度为所述发光层厚度的5％。8.根据权利要求6所述的OLED器件，其特征在于，与所述电子阻挡层接触的所述主体材料层的厚度大于等于所述发光层厚度的50％。9.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于，所述OLED器件还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层和空穴传输层；所述电子注入层位于所述第一电极与所述空穴阻挡层之间；所述电子传输层位于所述电子注入层和所述空穴阻挡层之间；所述空穴注入层位于所述第二电极和所述电子阻挡层之间；所述空穴传输层位于所述空...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，贾聪聪，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：