EPON中继器装置及使用其搭建的双环自愈网络制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种EPON中继器装置及使用其搭建的双环自愈网络，解决现有技术的问题，其技术方案要点是，包括两路上下行信号进行放大整形的OEO信号放大整形器和上行帧间复位信号处理芯片，每路OEO信号放大整形器均包括依次连接的OLT接口、OLT侧光模块、ONU侧光模块和ONU接口；ONU侧光模块在各个光突发脉冲之间产生一个额外的收光指示信号，这个收光指示信号通往上行帧间复位信号处理芯片，经过上行帧间复位信号处理芯片处理以后，产生出符合上行帧间复位信号,用于对ONU侧光模块中的限幅放大器复位，使限幅放大器调整为适应下一个光脉冲的信号强度工作状态。脉冲的信号强度工作状态。脉冲的信号强度工作状态。

【技术实现步骤摘要】
EPON中继器装置及使用其搭建的双环自愈网络


[0001]本技术属于一种EPON中继器装置，涉及一种EPON中继器装置及使用其搭建的双环自愈网络。

技术介绍

[0002]EPON中继器，是一种通过OEO方式，把EPON信号进行放大整形的装置；OEO即光电光，先将输入光信号转变为电信号，进行放大整形，再转变为增强的光信号输出；EPON采用单纤双向工作方式，内部集成1490纳米和1310纳米的两波段WDM，可将下行和上行方向的光信号耦合到同一根光纤，从而节约和光纤和分光器；在EPON中继器中，需要把上行和下行光信号分离，分别进行放大整形，然后再通过WDM合波，将下行方向和上行方向的光信号耦合到同一根光纤；EPON在工业控制领域已得到大量应用，尤其在国家电网的智能电网组网应用中，是一种优先选用的通信技术，智能电网对通信可靠性要求很高，一般都采用双环自愈网络结构，在这一网络中，大量采用一分二分光器，而一分二分光器对光功率分配不均匀，光网络级数较多，实际使用中还大量使用活动光连接器和法兰盘，导致光功率损失很快，使得环路能够接入的ONU数量减少，一般为6至8个，通信距离也比较短，在20公里以内，使用很不方便；本装置可用于在环网的中间位置对EPON光信号进行整形放大，大幅度增强光功率，延伸通信距离，克服通信距离和光功率的限制，提高施工便利性，并能节约光纤占用和OLT的PON口数量。

技术实现思路

[0003]本技术解决了现有技术存在大量使用活动光连接器和法兰盘，导致光功率损失很快，使得环路能够接入的ONU数量减少，一般为6至8个，通信距离也比较短，在20公里以内，使用很不方便的问题，提供一种EPON中继器装置及使用其搭建的双环自愈网络。
[0004]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种EPON中继器装置，包括处理电路和电源及保护电路、指示灯、网管接口，其特征在于：包括两路上下行信号进行放大整形的OEO信号放大整形器和上行帧间复位信号处理芯片，每路OEO信号放大整形器均包括依次连接的OLT接口、OLT侧光模块、ONU侧光模块和ONU接口；在下行方向，OLT侧光模块接收来自OLT接口的下行光，进行放大整形，变为PECL差分信号，送往ONU侧光模块，ONU侧光模块接收下行差分PECL信号，经过驱动器驱动增强，驱动激光器发光，输出的光信号得到增强，通过ONU接口发往与本中继器相连的ONU；在上行方向，ONU侧光模块通过ONU接口接收来自ONU的上行激光进行放大整形，将上行激光信号放大到PECL电平并发送到OLT侧光模块，在OLT侧光模块，经过驱动器驱动增强，驱动上行激光器发光，使上行光增强并通过OLT接口发往与本中继器相连的OLT。本技术内部包含两路OEO放大整形电路，可同时对两路EPON信号的下行和上行光信号放大整形，增强光信号功率，延长通信距离，提高环路所能接入的ONU数量。
[0005]作为优选，EPON中继器装置下行发光功率达到+6dBm，OLT侧光模块发光功率达到+
1dBm。
[0006]作为优选，下行方向OLT侧光模块接收大于
‑
28dBm的弱光信号，上行方向ONU侧光模块接收大于
‑
31dBm的弱光信号。
[0007]作为优选，所述处理电路为ARM CPU电路，所述ARM CPU电路通过四个光模块的I2C总线读出光模块的温度值、偏置电流值、发射光功率和接收光功率值并进行传输。
[0008]作为优选，ONU侧光模块在各个光突发脉冲之间产生一个额外的收光指示信号，这个收光指示信号通往可编程芯片FPGA后传输至ONU侧光模块中的限幅放大器复位。
[0009]一种使用EPON中继器装置搭建的双环自愈网络，使用的中继器装置均为前述的EPON中继器装置，包括第一EPON中继器装置、第二EPON中继器装置和双PON口OLT、双PON口ONU，双PON口OLT的第一PON口通过第一光分路器与第一EPON中继器装置的第一路OEO信号放大整形器连接，双PON口OLT的第一PON口还通过第二光分路器与第二EPON中继器装置的第一路OEO信号放大整形器连接，双PON口OLT的第二PON口通过第一光分路器与第一EPON中继器装置的第二路OEO信号放大整形器连接，双PON口OLT的第二PON口还通过第二光分路器与第二EPON中继器装置的第二路OEO信号放大整形器连接，第一EPON中继器装置、第二EPON中继器装置均通过一个切换开关与对应的ONU口连接。
[0010]本技术的实质性效果是：本技术内部包含两路OEO放大整形电路，可同时对两路EPON信号的下行和上行光信号放大整形，增强光信号功率，延长通信距离，提高环路所能接入的ONU数量。
附图说明
[0011]图1为本技术的中继器装置的内部组成模块图；
[0012]图2为其中第一路OEO的组成图；
[0013]图3为TYPE C类型的双PON口单MAC的ONU切换示意图；
[0014]图4为TYPE D类型的双PON口双MAC的ONU切换示意图。
具体实施方式
[0015]下面通过具体实施例，对本技术的技术方案作进一步的具体说明。
[0016]实施例1：
[0017]一种EPON中继器装置，参考附图1，包括处理电路和电源及保护电路、指示灯、网管接口，其特征在于：包括两路上下行信号进行放大整形的OEO信号放大整形器和上行帧间复位信号处理芯片，每路OEO信号放大整形器均包括依次连接的OLT接口、OLT侧光模块、ONU侧光模块和ONU接口；在下行方向，OLT侧光模块接收来自OLT接口的下行光，进行放大整形，变为PECL差分信号，送往ONU侧光模块，ONU侧光模块接收下行差分PECL信号，经过驱动器驱动增强，驱动激光器发光，输出的光信号得到增强，通过ONU接口发往与本中继器相连的ONU；在上行方向，ONU侧光模块通过ONU接口接收来自ONU的上行激光进行放大整形，将上行激光信号放大到PECL电平并发送到OLT侧光模块，在OLT侧光模块，经过驱动器驱动增强，驱动上行激光器发光，使上行光增强并通过OLT接口发往与本中继器相连的OLT。EPON中继器装置下行发光功率达到+6dBm，OLT侧光模块发光功率达到+1dBm。下行方向OLT侧光模块接收大于
‑
28dBm的弱光信号，上行方向ONU侧光模块接收大于
‑
31dBm的弱光信号。所述ARM CPU电
路通过四个光模块的I2C总线读出光模块的温度值、偏置电流值、发射光功率和接收光功率值并进行传输。ONU侧光模块在各个光突发脉冲之间产生一个额外的收光指示信号，这个收光指示信号通往可编程芯片FPGA后传输至ONU侧光模块中的限幅放大器复位。
[0018]一种使用EPON中继器装置搭建的双环自愈网络，使用的中继器装置均为前述的EPON中继器装置，包括第一EPON中继器装置、第二EPON中继器装置和双PON口OLT、双PON口ON本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种EPON中继器装置，包括处理电路和电源及保护电路、指示灯、网管接口，其特征在于：包括两路上下行信号进行放大整形的OEO信号放大整形器和上行帧间复位信号处理芯片，每路OEO信号放大整形器均包括依次连接的OLT接口、OLT侧光模块、ONU侧光模块和ONU接口；在下行方向，OLT侧光模块接收来自OLT接口的下行光，进行放大整形，变为PECL差分信号，送往ONU侧光模块，ONU侧光模块接收下行差分PECL信号，经过驱动器驱动增强，驱动激光器发光，输出的光信号得到增强，通过ONU接口发往与本中继器相连的ONU；在上行方向，ONU侧光模块通过ONU接口接收来自ONU的上行激光进行放大整形，将上行激光信号放大到PECL电平并发送到OLT侧光模块，在OLT侧光模块，经过驱动器驱动增强，驱动上行激光器发光，使上行光增强并通过OLT接口发往与本中继器相连的OLT。2.根据权利要求1所述的一种EPON中继器装置，其特征在于：EPON中继器装置下行发光功率达到+6dBm，OLT侧光模块发光功率达到+1dBm。3.根据权利要求1所述的一种EPON中继器装置，其特征在于：下行方向OLT侧光模块接收大于
‑
28dBm的弱光信号，上行方向ONU侧光模块接收大于
‑
31dBm的弱光信号。4....

【专利技术属性】
技术研发人员：钱立东，李华，贺耀旭，徐周屹，余云钢，赵周武，韦胜喜，
申请(专利权)人：国网浙江淳安县供电有限公司，
类型：新型
国别省市：