一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路制造技术

本实用新型专利技术提供了一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1)，被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作，包括一驱动管(Q2)；通过驱动管(Q2)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电，基于跨导增益构建负反馈调节机制，在外界干扰下，控制栅源电压保持稳定，同时抑制栅源电压正向和负向电压发散振荡。向电压发散振荡。向电压发散振荡。

【技术实现步骤摘要】
一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路


[0001]本技术涉及一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路。

技术介绍

[0002]功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在使用中，漏源电压和电流的剧烈变化通过米勒电容反射，影响栅源电压稳定性。随着材料技术的进步，采用SiC、GaN等宽禁带半导体材料生成的功率MOSFET具有耐压高、开关速度快的优势，然而，这一优势确迫使漏源电压和电流的变化率变得更高，严重挑战着栅源电压的稳定性。特别不稳定的栅源电压将增加变换器损耗，甚至引发桥臂直通、栅极电解质击穿，严重威胁着MOSFET的性能提升和安全可靠应用。
[0003]目前已经有多种有源驱动技术解决栅源电源的稳定性问题。在驱动电路中增加有源的辅助半导体器件，并通过控制谐振达到抑制扰动的目的；参见专利文献1:一种SiCMOSFET的栅极扰动抑制电路及驱动电路，申请号201810059420.5；参见专利文献2:驱动电平组合优化的桥臂扰动抑制驱动电路及其控制方法，申请号201610459751.9；参见专利文献3:一种谐本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，用于驱动被驱动功率MOSFET(Q1)，被驱动功率MOSFET(Q1)通过驱动芯片作开关动作，其特征在于：包括一驱动管(Q2)；通过驱动管(Q2)的跨导增益，经过被驱动功率MOSFET(Q1)内部寄生电阻，产生位移电流，对被驱动功率MOSFET(Q1)的寄生输入电容充放电。2.如权利要求1所述的一种基于跨导增益负反馈机理的栅源电压扰动抑制电路，其特征在于：还包括驱动电阻(R
g2
)、驱动电阻(R
g1
)、开通偏置电压以及关断偏置电压，所述驱动芯片输出电源正端口连接至开通偏置电压的正极，所述驱动芯片输出电源负端口连接至关断偏置电压的负极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述被驱动功率MOSFET(Q1)的栅极，所述驱动芯片的驱动输出端口连接至所述驱动管(Q2)的栅极，所述驱动管(Q2)的源极连接至所述被驱动功率MOSFET(Q1)的栅极，所述驱动管(Q2)的漏极连接至所述关断偏置电压的负极，...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵天骢，李志君，郑琼林，黄波，王俊兴，
申请(专利权)人：北京交通大学，
类型：新型
国别省市：