一种YVO4晶体生长用温度测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及YVO4晶体技术领域，且公开了一种YVO4晶体生长用温度测量装置，包括基座，所述基座的顶部固定安装有固定杆，所述固定杆的右侧固定安装有承载台，所述基座的顶部活动安装有酒精炉，所述承载台的顶部活动安装有承载盒，所述固定板的顶部固定安装有数量为两个的固定块。该YVO4晶体生长用温度测量装置，将温度计穿过固定板达到承载盒的内部，松开支撑杆，复位弹簧会自动扩张带动支撑板对温度计进行夹持，通过温度显示器来读取温度计上的度数，可以更方便的对数值进行观察记录，温度计可以对承载盒内部的温度一直进行测量，温度显示器可以一直读取温度计上的数值，达到了提高测量数值准确性的目的。提高测量数值准确性的目的。提高测量数值准确性的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种YVO4晶体生长用温度测量装置


[0001]本技术涉及YVO4晶体
，具体为一种YVO4晶体生长用温度测量装置。

技术介绍

[0002]掺钕钒酸钇（Nd:YVO4）晶体是一种性能优良的激光晶体，适于制造激光二极管泵浦特别是中低功率的激光器，与Nd:YAG相比Nd:YVO4对泵浦光有较高的吸收系数和更大的受激发射截面。
[0003]目前市场上现有的YVO4晶体生长用温度测量装置种类各种各样，虽然都可以对YVO4晶体生长用温度进行测量，但是YVO4晶体在生长时所需的温度是不断变化的，一般在测量YVO4晶体生长温度时是隔一段时间测量一侧，这样的测量方式就会不准确，测量出来的数值有一定的误差，故而提出了一种YVO4晶体生长用温度测量装置。

技术实现思路

[0004]（一）解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种YVO4晶体生长用温度测量装置，具备提高测量数值准确性等优点，解决了测量不准确，测量数值有误差的问题。
[0006]（二）技术方案
[0007]为实现上述提高测量数值准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种YVO4晶体生长用温度测量装置，包括基座（1），其特征在于：所述基座（1）的顶部固定安装有固定杆（2），所述固定杆（2）的右侧固定安装有承载台（3），所述基座（1）的顶部活动安装有酒精炉（4），所述承载台（3）的顶部活动安装有承载盒（5），所述固定杆（2）的右侧固定安装有固定板（6），所述固定板（6）的顶部固定安装有数量为两个的固定块（7），所述固定块（7）的外表面固定安装有矩形箱（8），所述矩形箱（8）的内部活动安装有支撑杆（9），所述支撑杆（9）与矩形箱（8）之间固定安装有复位弹簧（10），所述支撑杆（9）的外表面固定安装有支撑板（11），所述支撑板（11）的外表面固定安装有橡胶垫（12），两个所述橡胶垫（12）之间活动安装有贯穿固定板（6）并延伸至承载盒（5）内部的温度计（13），所述基座（1）的顶部固定安装有滑杆（14），所述滑杆（14）的外表面活动安装有温度显示器（15）。2.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈从贺，
申请(专利权)人：福州恒光光电有限公司，
类型：新型
国别省市：