降噪结构及具有降噪结构的电子装置制造方法及图纸

一种降噪结构内嵌设置于前壳体内。降噪结构为中空结构，其包括第一表面及第二表面。第一表面与前壳体共面设置。第二表面设置于第一表面和后壳体之间，且与所述第一表面间隔预定距离设置。第二表面包括多个遮挡部和多个所述挡墙。每个挡墙与遮挡部重叠设置，且位于遮挡部和后壳体之间。述挡墙为中空结构。每个挡墙与对应的遮挡部构成降噪流道，噪音在降噪流道内来回撞击后被吸收，以实现降噪功能。本发明专利技术还提供了一种具有降噪结构的电子装置。

【技术实现步骤摘要】
降噪结构及具有降噪结构的电子装置
本专利技术涉及一种降噪结构及具有降噪结构的电子装置。
技术介绍
大功率的电子装置中散热以及噪音问题为影响电子装置正常运行的主要因素。若散热不好，则会导致电子装置内的电子元件的运行稳定性，进而影响电子装置的运行。现有技术中，通常采用风扇进行散热。在温度较高时，风扇的转速就会增高，进而产生噪音。长时间在噪音环境下，会对使用者的健康造成影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种可降低噪音的降噪结构。还有必要提供一种具有降噪结构的电子装置。一种降噪结构，内嵌设置于电子装置的前壳体内；所述降噪结构为中空壳体，其包括：第一表面，与所述前壳体共面设置；第二表面，设置于所述第一表面和电子装置的后壳体之间，且与所述第一表面间隔预定距离设置；所述第二表面包括多个遮挡部和多个挡墙；每个所述挡墙与所述遮挡部重叠设置，且位于所述遮挡部和所述后壳体之间；所述挡墙为中空结构；每个所述挡墙与对应的所述遮挡部构成降噪流道，噪音在所述降噪流道内来回撞击后被吸收。一种具有降噪结构的电子装置，所述电子装置包括前壳体、降噪结构以及后壳体；所述前壳体与所述后壳体配合形成收容空间以将所述降噪结构收容于内；所述前壳体具有开口；所述降噪结构内嵌设置于所述前壳体内，且通过所述开口外露；所述降噪结构为中空壳体，其包括：第一表面，与所述前壳体共面设置；第二表面，设置于所述第一表面和电子装置的后壳体之间，且与所述第一表面间隔预定距离设置；所述第二表面包括多个遮挡部和多个挡墙；每个所述挡墙与所述遮挡部重叠设置，且位于所述遮挡部和所述后壳体之间；所述挡墙为中空结构；每个所述挡墙与对应的所述遮挡部构成降噪流道，噪音在所述降噪流道内来回撞击后被吸收。上述降噪结构及具有降噪结构的电子装置，通过设置中空的挡墙和遮挡部的配合形成的降噪流道可对所述电子装置进行降噪，进而改善所述电子装置的使用感受。附图说明图1为较佳实施方式之电子装置的立体示意图。图2为图1中电子装置的部分分解示意图。图3为图2中降噪结构另一角度的示意图。图4为图3中降噪结构沿IV-IV的剖面示意图。图5为图2中降噪结构处于第一条件下测试静压变化的曲线的示意图。图6为图2中降噪结构处于第二条件下测试噪音的曲线的示意图。主要元件符号说明电子装置1前壳体11后壳体13主电路板20降噪结构30开口110第一表面32镂空部321第二表面34边缘部341连接部342遮挡部345空腔346挡墙347降噪流道349如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的实施方式的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接连接，也可以通过中间没接间接连接，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况立即上述术语在本专利技术中的具体含义。本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。此外，术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。下面结合附图对本专利技术电子装置的具体实施方式进行说明。请参阅图1，其为本专利技术较佳实施方式的电子装置1的立体图。所述电子装置1可应用于具有大功率电子器件的装置中，例如电脑主机、服务器以及家用电器等各种装置，但并不限于此。请一并参阅图2，其为较佳实施方式的所述电子装置1的部分分解示意图。所述电子装置1包括前壳体11、主电路板20、降噪结构30以及后壳体13。所述前壳体11和所述后壳体13配合形成一个密闭的收容空间，以将所述主电路板20和所述降噪结构30收容于内。所述前壳体11开设有开口110，以使得所述降噪结构30部分外露。在本专利技术的至少一个实施例中，所述主电路板20上可设置有多种大功率的电子元件，例如，中央处理器(CentralProcessingUnit,CPU)、内存、以及硬盘等，大功率的电子元件在运行过程中会发出大量热量以及噪音。所述降噪结构30嵌入设置于所述前壳体11上。在本专利技术的至少一个实施例中，所述降噪结构30的厚度为10厘米。所述降噪结构30为中空壳体，其包括第一表面32和第二表面34。所述第一表面32大致呈长方体结构。所述第一表面32与所述前壳体11的表面共面设置。所述第一表面32上开设有多个镂空部321。所述镂空部321呈矩阵设置。其中，奇数列的所述镂空部321的数量大于偶数列的所述镂空部321的数量。在本专利技术的至少一个实施例中，所述镂空部321为圆形结构。所述镂空部321的直径为9.6毫米。在其他实施方式中，所述镂空部321也可以为其他形状，例如三角形、正方形、蜂巢形、椭圆形等其他多边形。请一并参阅图3及图4，所述第二表面34设置于所述第一表面32和所述后壳体13之间。所述第一表面32与所述第一表面32间隔预定距离设置。所述预定距离小于所述降噪结构的厚度。所述第二表面34大致呈长方体结构，且与所述第一表面32等大且相对设置。所述第二表面34包括四个边缘部341、多个连接部342、多个遮挡部345以及多个挡墙347。四个所述边缘部341首尾相连形成框体结构，且与所述第一表面32的边缘连接。在本专利技术的至少一个实施例中，所述边缘部341呈长方体结构。所述连接部342连接于多个所述遮挡部345之间或所述遮挡部345和所述边缘部341之间，用于将所述遮挡部345固定于所述边缘部上，且进一步地增加所述遮挡部345的强度。在本专利技术的至少一个实施例中，与所述遮挡部345和所述边缘部341连接的所述连接部342呈V字型，连接于所述遮挡部345之间的所述连接部342呈Y字型。在其他实施方式中，所述连接部345也可以为其他形状，例如*形、雪花形以及米字形等，但不限制于此。所述遮挡部345呈矩阵排列。与所述边缘部341临近的所述遮挡部345通过所述连接部342与所述边缘部341连接，远离所述边缘部341的所述遮挡部345之间通过至少一个所述连接部342连接。在本专利技术的至少一个实施例中，每个所述遮挡部345与三个所述边缘部341连接。所述遮挡部345与所述镂空部321正对设置。也就是说，所述遮挡部345在所述第一表面32上的投影与所述镂空部3本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种降噪结构，内嵌设置于电子装置的前壳体内；所述降噪结构为中空壳体，其包括：/n第一表面，与所述前壳体共面设置；/n第二表面，设置于所述第一表面和电子装置的后壳体之间，且与所述第一表面间隔预定距离设置；所述第二表面包括多个遮挡部和多个挡墙；/n每个所述挡墙与所述遮挡部重叠设置，且位于所述遮挡部和所述后壳体之间；所述挡墙为中空结构；每个所述挡墙与对应的所述遮挡部构成降噪流道，噪音在所述降噪流道内来回撞击后被吸收。/n

【技术特征摘要】
1.一种降噪结构，内嵌设置于电子装置的前壳体内；所述降噪结构为中空壳体，其包括：
第一表面，与所述前壳体共面设置；
第二表面，设置于所述第一表面和电子装置的后壳体之间，且与所述第一表面间隔预定距离设置；所述第二表面包括多个遮挡部和多个挡墙；
每个所述挡墙与所述遮挡部重叠设置，且位于所述遮挡部和所述后壳体之间；所述挡墙为中空结构；每个所述挡墙与对应的所述遮挡部构成降噪流道，噪音在所述降噪流道内来回撞击后被吸收。


2.如权利要求1所述的降噪结构，其特征在于：所述第二表面还包括四个边缘部以及多个连接部；四个所述边缘部首尾相连形成中空框体；位于边缘的所述遮挡部通过至少一个所述连接部与所述边缘部连接，其他所述遮挡部之间通过所述至少一个所述连接部相互连接；所述遮挡部的厚度与所述边缘部的厚度相同；所述连接部和所述遮挡部之间形成空腔。


3.如权利要求2所述的降噪结构，其特征在于：所述第一表面上设置有多个镂空部；多个所述镂空部均匀设置；每个镂空部对应一个所述遮挡部；所述遮挡部相对于所述镂空部完全外露；所述镂空部与所述空腔构成散热流道。


4.如权利要求3所述的降噪结构，其特征在于：所述镂空部呈矩阵设置；奇数列的所述镂空部的数量大于偶数列的所述镂空部的数量。


5.如权利要求1所述的降噪结构，其特征在于：所述挡墙为中空环形结构，且所述挡墙的厚度范围为3毫米至7毫米。


6.一种具有降噪结构的电子装置，所述电子装置包括前壳体、降噪结构以及后壳...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐仲恺，洪忠仁，陈钦洲，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业武汉有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42