控制电路、控制芯片及供电系统技术方案

本发明专利技术提供了一种控制电路、控制芯片及供电系统。所述供电系统包括控制芯片，所述供电系统输出端的电压小于输入端的电压，所述控制芯片从所述供电系统的输出端取电，所述控制电路按照预设逻辑工作以确保所述控制芯片得以正常工作。如此配置，降低了所述控制芯片的耐压需求，降低了制造成本，解决了现有技术中LED恒流驱动芯片的耐压要求高，成本高的问题。同时，所述供电系统还具有结构简单、外围元件数量少的有益效果。

【技术实现步骤摘要】
控制电路、控制芯片及供电系统
本专利技术涉及电源芯片
，特别涉及一种控制电路、控制芯片及供电系统。
技术介绍
传统的用于高输入电压的LED恒流驱动芯片采取输入端取电，对芯片的耐压要求比较高，造成芯片成本比较高，不利于LED恒流驱动芯片推广运用。
技术实现思路
本专利技术提供了一种控制电路、控制芯片及供电系统，以解决现有技术中的LED恒流驱动芯片的耐压要求高，成本高的问题。为了解决上述技术问题，根据本专利技术的第一个方面，提供了一种控制电路，所述控制电路包括偏置单元、比较单元和控制信号单元；所述偏置单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十一三极管、第十二三极管、第十三三极管、第十四三极管、第十五三极管、第十六三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的发射极用于获取工作电压，所述第一三极管的基极和所述第一三极管的集电极连接；>所述第二三极管为N本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电路，其特征在于，所述控制电路包括偏置单元、比较单元和控制信号单元；/n所述偏置单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十一三极管、第十二三极管、第十三三极管、第十四三极管、第十五三极管、第十六三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，/n所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的发射极用于获取工作电压，所述第一三极管的基极和所述第一三极管的集电极连接；/n所述第二三极管为NPN型三极管，所述第二三极管的基极用于获取基准电压，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的集电极连接...

【技术特征摘要】
1.一种控制电路，其特征在于，所述控制电路包括偏置单元、比较单元和控制信号单元；
所述偏置单元包括第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管、第五三极管、第六三极管、第七三极管、第八三极管、第九三极管、第十三极管、第十一三极管、第十二三极管、第十三三极管、第十四三极管、第十五三极管、第十六三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻，其中，
所述第一三极管为PNP型三极管，所述第一三极管的发射极用于获取工作电压，所述第一三极管的基极和所述第一三极管的集电极连接；
所述第二三极管为NPN型三极管，所述第二三极管的基极用于获取基准电压，所述第二三极管的集电极与所述第一三极管的集电极连接，所述第二三极管的发射极通过所述第一电阻与参考地端连接；
所述第三三极管为PNP型三极管，所述第三三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第三三极管的基极与所述第一三极管的基极连接；
所述第四三极管为PNP型三极管，所述第四三极管的发射极与所述第三三极管的集电极连接，所述第四三极管的基极与所述第二三极管的基极连接，所述第四三极管的集电极与所述参考地端连接；
所述第五三极管为NPN型三极管，所述第五三极管的基极与所述第三三极管的集电极连接，所述第五三极管的集电极用于获取所述工作电压；
所述第二电阻的第一端与所述第五三极管的发射极连接，所述第二电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述参考地端连接，所述第三电阻的第一端用于输出第一预设压差，所述第四电阻的第一端用于输出第二预设压差；
所述第六三极管、所述第七三极管、所述第八三极管、所述第九三极管、所述第十三极管、所述第十一三极管、所述第十二三极管、所述第十三三极管、所述第十四三极管、所述第十五三极管和所述第十六三极管均为PNP型三极管，所述第六三极管、所述第七三极管、所述第八三极管、所述第九三极管、所述第十三极管、所述第十一三极管、所述第十二三极管、所述第十三三极管、所述第十四三极管、所述第十五三极管和所述第十六三极管的发射极均用于获取所述工作电压，所述第六三极管、所述第七三极管、所述第八三极管、所述第九三极管、所述第十三极管、所述第十一三极管、所述第十二三极管、所述第十三三极管、所述第十四三极管、所述第十五三极管和所述第十六三极管的基极均与所述第一三极管的基极连接，所述第六三极管、所述第七三极管、所述第八三极管、所述第九三极管、所述第十三极管、所述第十一三极管、所述第十二三极管、所述第十三三极管、所述第十四三极管、所述第十五三极管和所述第十六三极管的集电极均用于提供所述偏置电流；
所述比较单元包括第十七三极管、第十八三极管、第十九三极管、第二十三极管、第二十一三极管、第二十二三极管、第二十三三极管、第二十四三极管、第二十五三极管、第二十六三极管、第二十七三极管、第二十八三极管、第二十九三极管、第三十三极管、第三十一三极管、第三十二三极管、第三十三三极管、第三十四三极管、第三十五三极管、第三十六三极管、第三十七三极管、第三十八三极管、第三十九三极管、第四十三极管、第四十一三极管、第四十二三极管、第四十三三极管、第四十四三极管和第四十五三极管，其中，
所述第十七三极管为NPN型三极管，所述第十七三极管的集电极用于获取所述偏置电流，所述第十七三极管的基极与所述第十七三极管的集电极连接，所述第十七三极管的发射极与所述参考地端连接；
所述第二十三极管为NPN型三极管，所述第二十三极管的集电极用于获取所述偏置电流，所述第二十三极管的基极与所述第二十三极管的集电极连接；
所述第二十一三极管为PNP型三极管，所述第二十一三极管的发射极与所述第二十三极管的发射极连接，所述第二十一三极管的基极用于获取所述第二预设压差，所述第二十一三极管的集电极与所述参考地端连接；
所述第二十二三极管为PNP型三极管，所述第二十二三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第二十二三极管的基极与所述第二十二三极管的集电极连接；
所述第二十三三极管为NPN型三极管，所述第二十三三极管的集电极与所述第二十二三极管的集电极连接，所述第二十三三极管的基极与所述第二十三极管的集电极连接；
所述第二十四三极管为PNP型三极管，所述第二十四三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第二十四三极管的基极与所述第二十二三极管的基极连接；
所述第二十五三极管为NPN型三极管，所述第二十五三极管的集电极与所述第二十四三极管的集电极连接，所述第二十五三极管的基极与所述第二十五三极管的集电极连接，所述第二十五三极管的发射极与所述参考地端连接；
所述第二十六三极管为PNP型三极管，所述第二十六三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第二十六三极管的基极与所述第二十六三极管的集电极连接；
所述第二十七三极管为NPN型三极管，所述第二十七三极管的集电极与所述第二十六三极管的集电极连接，所述第二十七三极管的基极与所述第二十五三极管的基极连接，所述第二十七三极管的发射极与所述参考地端连接；
所述第二十八三极管为PNP型三极管，所述第二十八三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第二十八三极管的基极与所述第二十六三极管的基极连接；
所述第二十九三极管为NPN型三极管，所述第二十九三极管的集电极与所述第二十八三极管的集电极连接，所述第二十九三极管的发射极与所述第二十三三极管的发射极连接；
所述第三十三极管为NPN型三极管，所述第三十三极管的集电极与所述第二十九三极管的基极连接，所述第三十三极管的集电极还用于获取所述偏置电流，所述第三十三极管的基极与所述第三十三极管的集电极连接；
所述第三十一三极管为PNP型三极管，所述第三十一三极管的发射极与所述第三十三极管的发射极连接，所述第三十一三极管的基极用于获取采样信号，所述第三十一三极管的集电极与所述参考地端连接；
所述第三十二三极管为NPN型三极管，所述第三十二三极管的集电极用于获取所述偏置电流，所述第三十二三极管的基极与所述第二十七三极管的集电极连接，所述第三十二三极管的发射极与所述参考地端连接，所述第三十二三极管的集电极被配置为所述比较单元的第二输出端；
所述第三十三三极管为NPN型三极管，所述第三十三三极管的集电极用于获取所述偏置电流，所述第三十三三极管的基极与所述第三十三三极管的集电极连接；
所述第三十四三极管为PNP型三极管，所述第三十四三极管的发射极与所述第三十三三极管的发射极连接，所述第三十四三极管的基极与所述第三十一三极管的基极连接，所述第三十四三极管的集电极与所述参考地端连接；
所述第三十五三极管为PNP型三极管，所述第三十五三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第三十五三极管的基极与所述第三十五三极管的集电极连接；
所述第三十六三极管为NPN型三极管，所述第三十六三极管的集电极与所述第三十五三极管的集电极连接，所述第三十六三极管的基极与所述第三十三三极管的集电极连接；
所述第三十七三极管为PNP型三极管，所述第三十七三极管的发射极用于获取所述工作电压，所述第三十七三极管的基极与所述第三十五三极管的基极连接；
所述第三十八三极管为NPN型三极管，所述第三十八三极...

【专利技术属性】
技术研发人员：王建虎，李瑞平，池伟，刘彬，
申请(专利权)人：上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32