用于使用远程等离子体化学气相沉积和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法技术

本文描述的是用于使用远程等离子体化学气相沉积（RP‑CVD）和溅射沉积来生长发光器件的层的方法。方法包括在生长衬底上生长发光器件结构，并且使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在发光器件结构上生长隧道结。隧道结包括与p型区直接接触的p++层，其中通过使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种来生长p++层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区，并且在该p型区上方生长其他层。用于生长器件的另一方法包括使用RP‑CVD和溅射沉积中的至少一种在p型区上方生长发光区和n型区。

【技术实现步骤摘要】
用于使用远程等离子体化学气相沉积和溅射沉积来生长发光器件中的层的方法相关申请的交叉引用本申请要求2016年5月20日提交的美国临时申请第62/339,412号和2016年7月14日提交的欧洲临时申请第16179434.2号的权益，它们的内容在此通过引用被并入本文，如同被完全阐述那样。
本申请涉及发光器件。
技术介绍
包括发光二极管（LED）、谐振腔发光二极管（RCLED）、垂直腔表面发射激光器（VCSEL）以及边缘发射激光器的半导体发光器件属于当前可用的最高效的光源。在能够跨可见光谱操作的高明亮度发光器件的制造中当前引起兴趣的材料系统包括III-V族半导体，特别是镓、铝、铟以及氮的二元、三元以及四元合金，也被称为III族氮化物材料。典型地，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或其它外延技术，通过在蓝宝石、碳化硅、III族氮化物或其他合适的衬底上外延生长不同组分和掺杂剂浓度的半导体层的叠层来制备III族氮化物发光器件。该叠层经常包括形成在衬底上方的一个或多个掺杂有例如Si的n型层、形成在该一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种用于生长器件的方法，所述方法包括：/n在不导致至少p型区的不可操作性的至少还原的氢环境中，通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区；并且/n使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。/n

【技术特征摘要】
20160714 EP 16179434.2;20160520 US 62/3394121.一种用于生长器件的方法，所述方法包括：
在不导致至少p型区的不可操作性的至少还原的氢环境中，通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长p型区；并且
使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料和设置在非III族氮化物材料上的GaN膜，并且所述方法进一步包括通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）来生长所述GaN膜。


3.根据权利要求1所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料，并且所述方法进一步包括：通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长GaN膜。


4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种来生长所述n型区的一部分。


5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述p型区上方生长所述n型区包括通过MOCVD来生长所述n型区。


6.一种用于生长器件的方法，所述方法包括：
通过RP-CVD和溅射沉积中的至少一种在生长衬底上方生长无氢p型区；
使用非RP-CVD和非溅射沉积工艺在所述p型区上方生长n型区，所述p型区和所述n型区包括III族氮化物材料。


7.根据权利要求6所述的方法，其中所述生长衬底包括非III族氮化物材料和设置在非III族氮化物材料上的GaN膜，并且所述方法进一步包括通...

【专利技术属性】
技术研发人员：I·维尔德森，P·德布，E·C·尼尔森，J·科巴亚施，
申请(专利权)人：亮锐控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL