彩膜的研磨修补方法、设备及介质技术

技术编号:29159063 阅读:16 留言:0更新日期:2021-07-06 22:59
本发明专利技术公开了一种彩膜的研磨修补方法、设备及介质,所述方法包括:获取缺陷区域对应的缺陷标识;根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面;根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度;根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。解决了现有技术中彩膜研磨修补设备对彩膜的缺陷区域研磨不准确的技术问题,达到了彩膜的修补设备准确测量缺陷区域从而对所述缺陷区域进行准确研磨的技术效果。

【技术实现步骤摘要】
彩膜的研磨修补方法、设备及介质
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种彩膜的研磨修补方法、设备及介质。
技术介绍
彩膜的研磨修补机台是TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器件)产业中彩膜(CF)制程中重要的设备,它主要是通过测高研磨等一些手法对缺陷进行修补,使基板达进入下一流程的标准,因此Repair(修复)机台的测高精准性对TFT-LCD产业中提高产能及生产良率起到了重要作用。当前彩膜的研磨修补设备的缺陷修补流程根据前站提供的缺陷坐标移动至缺陷,使用固定长度作为基准面对缺陷进行测高的,若缺陷的高度超过设定的标准值,则设备对其进行研磨或者镭射,将缺陷的高度降至标准高度以下,在此修补的过程中,通常会设定修补完成后设备拍缺陷的反射与透射图传送至人员或者电脑判定,判定等级以决定是否判回机台重新修补。测高过程中,每个基板的缺陷区域面积不同,在缺陷变形区域太大的情况下,现有技术一般按照距离缺陷中心固定长度的区域作为测高基准面来进行测高,固定一种测高方式进行测高,会出现若缺陷区域过大则测高的基准面处于变形区域的情况,此时导致缺陷区域测高不准确,进而导致彩膜的研磨修补设备对所述彩膜的缺陷区域研磨不准确。
技术实现思路
本申请实施例通过提供一种彩膜的研磨修补方法、设备及介质,旨在解决现有技术中彩膜研磨修补设备对彩膜的缺陷区域研磨不准确的技术问题。为实现上述目的,本申请实施例提供了一种彩膜的研磨修补方法,所述彩膜的研磨修补方法包括以下步骤:获取缺陷区域对应的缺陷标识;根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面;根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度;根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。可选地,根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面的步骤包括:根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高方式,不同的缺陷标识对应的测高方式不同;根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定测高基准面。可选地,所述获取所述缺陷区域对应的缺陷标识的步骤,之前还包括:获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息;根据所述缺陷区域面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识,保存所述缺陷标识;关联所述缺陷标识与所述缺陷区域的测高方式;其中,在接收到测高指令时,获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。可选地,所述根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定测高基准面的步骤包括:根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定缺陷区域的测高补偿参数;根据所述缺陷区域的测高补偿参数以及所述中心坐标信息确定测高基准面,所述测高基准面为测高补偿参数对应的缺陷区域的测高区域之外的区域。可选地,所述根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定缺陷区域的测高补偿参数的步骤包括:在所述测高方式为第一方式时,获取默认的与测高行径方向平行的第一测高补偿参数,并根据所述缺陷标识获取与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数;在所述测高方式为第二方式时,根据所述缺陷标识获取测高行径方向平行的第一测高补偿参数以及与所述测高行径方向垂直的第二测高补偿参数。可选地,所述根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度的步骤包括:获取测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度;根据所述测高基准面的平均高度以及缺陷区域的最高高度确定缺陷高度。可选地,所述根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨的步骤包括:在所述缺陷高度大于预设高度时,控制研磨修补设备的研磨头降至预设高度;对所述彩膜进行研磨,直至所述缺陷高度小于预设高度。可选地,所述对所述彩膜进行研磨,直至所述缺陷高度小于预设高度的步骤包括:获取预设研磨间距以及预设研磨路径;根据所述预设研磨间距以及预设研磨路径对所述彩膜进行研磨,直至所述缺陷高度小于预设高度。本专利技术实施例还提供一种彩膜的研磨修补设备,所述彩膜的研磨修补设备包括存储器、处理器以及存储在所述存储器并可在所述处理器上运行的彩膜的研磨修补程序,所述彩膜的研磨修补程序被所述处理器执行时实现如上所述的彩膜的研磨修补方法。本专利技术实施例还提供一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质存储有彩膜的研磨修补程序,所述彩膜的研磨修补程序被处理器执行时实现如上所述的彩膜的研磨修补方法。在本实施例提供的技术方案中,彩膜的研磨修补设备预先根据彩膜或基板的缺陷区域的面积信息以及缺陷区域的中心坐标信息设置缺陷标识,在接收到测高指令时,获取缺陷区域对应的缺陷标识;根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高方式,根据所述测高方式确定测高基准面以对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度,控制研磨头根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。这样使得彩膜的研磨修补设备可以根据缺陷标识实时更换测高方式以准确确定测高基准面的区域,从而达到彩膜的修补设备准确测量缺陷区域,进而对所述缺陷区域进行准确研磨。附图说明图1是本专利技术实施例方案涉及的硬件运行环境的设备结构示意图;图2为本专利技术彩膜的研磨修补方法第一实施例的流程示意图;图3为本专利技术彩膜的研磨修补方法第二实施例的流程示意图;图4为步骤S22的细化方案;图5为本专利技术彩膜的研磨修补方法第三实施例的流程示意图;图6为本专利技术默认测高方式时彩膜的缺陷区域的测高补偿参数以及测高基准面示意图;图7为本专利技术第一测高方式时彩膜的缺陷区域的测高补偿参数以及测高基准面示意图;图8为本专利技术第二测高方式时彩膜的缺陷区域的测高补偿参数以及测高基准面示意图。具体实施方式本专利技术提供一种彩膜的研磨修补方法,所述彩膜的研磨修补方法包括以下步骤:获取缺陷区域对应的缺陷标识;根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高方式,不同的缺陷标识对应的测高方式不同;根据所述测高方式确定测高基准面;根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度;根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。实现了彩膜的修补设备准确测量缺陷区域,从而对所述缺陷区域进行准确研磨的效果。为了更好的理解上述技术方案,下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。作为一种实现方式,彩膜的研磨修补设备可以如图1所示。本专利技术实施例方案涉及的是彩膜的研磨修补设备,彩膜的研磨修补设备包括:处理器101,例如CPU,存储器102,通信总线103。其中,通信总线103用于实现这些组件之间的连接通信。存储器102可以是高速RAM存储器,也可以是稳定的存储器(non-volatilememory),例如磁盘存储器。如图1所示,作为一种计算机存储介质的存储器102中可以包括彩膜的研磨修补程序;而处理器101可以用于调用存储器102中存本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种彩膜的研磨修补方法,其特征在于,所述彩膜的研磨修补方法包括以下步骤:/n获取缺陷区域对应的缺陷标识;/n根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面;/n根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度;/n根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。/n

【技术特征摘要】
1.一种彩膜的研磨修补方法,其特征在于,所述彩膜的研磨修补方法包括以下步骤:
获取缺陷区域对应的缺陷标识;
根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面;
根据所述测高基准面对所述缺陷区域进行测高以确定缺陷高度;
根据所述缺陷高度对所述彩膜进行研磨。


2.如权利要求1彩膜的研磨修补方法,其特征在于,根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高基准面的步骤包括:
根据所述缺陷标识确定所述缺陷区域测高方式,不同的缺陷标识对应的测高方式不同;
根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定测高基准面。


3.如权利要求2所述的彩膜的研磨修补方法,其特征在于,所述获取所述缺陷区域对应的缺陷标识的步骤之前,还包括:
获取所述缺陷区域的面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息;
根据所述缺陷区域面积信息以及所述缺陷区域的中心坐标信息确定缺陷标识,保存所述缺陷标识;
关联所述缺陷标识与所述缺陷区域的测高方式;
其中,在接收到测高指令时,获取所述缺陷区域对应的缺陷标识。


4.如权利要求2所述的彩膜的研磨修补方法,其特征在于,所述根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定测高基准面的步骤包括:
根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定缺陷区域的测高补偿参数;
根据所述缺陷区域的测高补偿参数以及所述中心坐标信息确定测高基准面,所述测高基准面为测高补偿参数对应的缺陷区域的测高区域之外的区域。


5.如权利要求4所述的彩膜的研磨修补方法,其特征在于,所述根据所述缺陷标识以及所述测高方式确定缺陷区域的测高补偿参数的步骤包括:
在所述测高方式为第一方式时,获取默认的与测高行径方...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭号陈翔袁海江
申请(专利权)人:长沙惠科光电有限公司惠科股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

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