阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种阵列基板及显示面板。阵列基板设有多排像素单元；每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。本发明专利技术采用氧化铟锡材质的共享金属走线电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极，实现了共享晶体管单元的源极不用贯穿像素区设置，从而提升了像素区的开口率，提升了显示面板的穿透率；共享金属走线将共享晶体管单元连接，能统一控制共享晶体管单元的漏电。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示面板
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及显示面板。
技术介绍
多畴取向液晶显示(Multi-domainalignmentliquidcrystaldisplays，MVALCDs)凭借高对比和广视角的优势在大尺寸液晶显示和电视机应用中得到了广泛的应用。随着屏幕尺寸向大屏化的演化，八畴的像素设计以其优异的视角表现而在大尺寸显示器中受到重视。如图1所示，为现有的一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板91包括晶体管区901以及位于其上下两侧的主像素区902和次像素区903，晶体管区901主要采用3T结构。如图2所示，为现有的另一种八畴像素结构的阵列基板平面结构示意图，该阵列基板92利用子数据屏蔽架构(SubDataShiled，SDS)设计，在图1所示架构的基础上去除数据线(Data)侧的公共电极(ACOM)，采用子像素电极(SubPE)与数据线交叠，屏蔽数据线电场，次像素区903的子像素电极形成对主像素区902的子像素电极半包围结构，减小主像素区902的子像素电极与数据线的耦合电容，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有多排像素单元；/n每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；/n每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，设有多排像素单元；
每一像素单元均设有晶体管区，在所述晶体管区内设有主晶体管单元、次晶体管单元以及共享晶体管单元；所述共享晶体管单元包括源极和漏极；
每一排所述像素单元设有一共享金属走线；所述共享金属走线设于所述晶体管区上方且沿该排所述像素单元的排布方向延伸，并依次电连接至每一像素单元的所述共享晶体管单元的源极。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述共享晶体管单元包括：
玻璃基板；
第一金属层，设于所述玻璃基板上；
栅极绝缘层，设于所述玻璃基板上并覆盖所述第一金属层；
第二金属层，设于所述栅极绝缘层上；
钝化层，设于所述栅极绝缘层上并覆盖所述第二金属层，并设有过孔裸露所述第二金属层的上表面；以及
所述共享金属走线，设于所述钝化层上并穿过所述过孔与所述第二金属层电连接。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述共享金属走线在对应所述过孔位置设有加宽部，所述加宽部朝向所述晶体管区一侧凸出于所述共享金属走线的边缘。


4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括红色子...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鑫，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44