水听器及其制造方法技术

本公开提供了一种水听器及其制造方法。该水听器包括：薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；压电结构，被配置用于响应于物理形变而生成第一感测信号；以及压阻结构，被配置用于响应于物理形变而生成第二感测信号。

【技术实现步骤摘要】
水听器及其制造方法
本公开涉及半导体
，特别是涉及一种水听器及其制造方法。
技术介绍
基于压电技术的薄膜结构MEMS水听器具有灵敏度高、功耗低等特点。但是，受到压电效应检测原理的限制，薄膜结构类压电MEMS水听器仅能检测动态声压，对于使用环境下的静态水压则无法识别。水听器使用环境下的静态水压会影响MEMS水听器薄膜结构的变形，进一步影响其检测灵敏度的准确性。另外，如果静态水压过大也会导致薄膜结构的损坏。
技术实现思路
提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。根据本公开的一些实施例，提供了一种水听器，包括：薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；压电结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第一感测信号；以及压阻结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第二感测信号。根据本公开的一些实施例，还提供了一种水听器的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一表面处形成压电结构和压阻结构；以及在所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成凹槽，从而本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种水听器，包括：/n薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；/n压电结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第一感测信号；以及/n压阻结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第二感测信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种水听器，包括：
薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；
压电结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第一感测信号；以及
压阻结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第二感测信号。


2.如权利要求1所述的水听器，其中，所述压阻结构包括至少一个压敏电阻。


3.如权利要求2所述的水听器，其中，所述至少一个压敏电阻包括均匀分布在所述薄膜的表面处的四个压敏电阻，所述四个压敏电阻构成惠斯通电桥。


4.如权利要求2所述的水听器，其中，所述至少一个压敏电阻位于所述薄膜中。


5.如权利要求4所述的水听器，其中，每个所述压敏电阻包括形成于所述薄膜中的半导体掺杂区。


6.如权利要求2所述的水听器，其中，所述至少一个压敏电阻位于所述薄膜的表面上。


7.如权利要求6所述的水听器，其中，每个所述压敏电阻的材料包括从以下各项构成的组中选择的至少一种：掺杂金刚石薄膜、掺杂硅和掺杂碳化硅。


8.如权利要求1-7中任意一项所述的水听器，其中，所述压阻结构位于所述薄膜的边缘。


9.如权利要求1-7中任意一项所述的水听器，其中，所述薄膜具有从矩形和圆形所组成的组中选择的形状。


10.如权利要求1-7中任意一项所述的水听器，其中，所述压电结构在所述薄膜上覆盖的区域的形状包括从以下各项构成的组中选择的至少一种：圆形和环形。


11.如权利要求10所述的水听器，其中，所述压电结构在所述薄膜上覆盖的区域包括位于所述薄膜中部的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域，所述第一区域与所述第二区域间隔。


12.如权利要求11所述的水听器，其中，所述第一区域具有圆形形状，所述第二区域具有环绕所述第一区域的环形形状。


13.如权利要求11所述的水听器，其中，所述压阻结构在所述薄膜处分布的区域位于所述第二区域的外周边缘，并且与所述第二区域间隔。


14.一种水听器的制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底的第一表面处形成压电结构和压阻结构；以及
在所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成凹槽，从而使所述半导体衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：焦文龙，曾怀望，李鑫，李嗣晗，
申请(专利权)人：联合微电子中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50