一种有机半导体单晶阵列的制备方法技术

本发明专利技术提供一种有机半导体单晶阵列的制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底表面构筑图案化的成核模板，得到图案化样品，将有机半导体晶体颗粒均匀分散地涂抹在一干净基板上；S2：将所述图案化样品放置在所述基板的上方，其中，所述图案化样品构筑有成核模板的一面与所述基板涂抹有有机半导体晶体颗粒的一面相对且两者间隔若干距离；S3：对所述基板加热若干时间，从而在所述图案化样品上制备出有机半导体单晶阵列。本发明专利技术提供一种有机半导体单晶阵列的制备方法，解决了目前通过溶液辅助法制备得到的单晶阵列的分辨率比较低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种有机半导体单晶阵列的制备方法
本专利技术涉及单晶阵列制备的
，更具体的，涉及一种有机半导体单晶阵列的制备方法。
技术介绍
有机半导体因其在制造柔性电路和生物相容性器件方面的潜在应用而受到越来越多的关注。近来，有机发光二极管(OLED)已广泛应用于电视机、手机、车载显示屏和智能手表的显示装置。此外，有机半导体还潜在地应用于有机电子学和光电子学，如有机场效应晶体管(OFET)、光电器件、有机传感器、有机探测器和有机半导体激光器等。与聚合物、低聚物等其它候选材料相比，有机小分子具有载流子迁移率高、开关比高等优点。这些小分子可以在真空条件下以高度有序的取向排列在衬底上，以避免其它杂质的产生。在有机电子学中，OFET是最基本的元器件之一，它构成了有机电路的基础和核心部件。在有机电路的制造中，理想的要求是电路内部各微/纳米尺寸的有机单晶器件间相互电隔离以避免相邻器件之间的串扰。对于无机半导体，电路的制备主要通过在衬底上沉积制备单晶薄膜，然后通过各种图案化技术(如光刻)加工成分立器件。然而，由于有机半导体在光刻过程中接触有机溶剂或者本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机半导体单晶阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：在衬底表面构筑图案化的成核模板，得到图案化样品，/n将有机半导体晶体颗粒均匀分散地涂抹在一干净基板上；/nS2：将所述图案化样品放置在所述基板的上方，其中，所述图案化样品构筑有成核模板的一面与所述基板涂抹有有机半导体晶体颗粒的一面相对且两者间隔若干距离；/nS3：对所述基板加热若干时间，从而在所述图案化样品上制备出有机半导体单晶阵列。/n

【技术特征摘要】
1.一种有机半导体单晶阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1：在衬底表面构筑图案化的成核模板，得到图案化样品，
将有机半导体晶体颗粒均匀分散地涂抹在一干净基板上；
S2：将所述图案化样品放置在所述基板的上方，其中，所述图案化样品构筑有成核模板的一面与所述基板涂抹有有机半导体晶体颗粒的一面相对且两者间隔若干距离；
S3：对所述基板加热若干时间，从而在所述图案化样品上制备出有机半导体单晶阵列。


2.根据权利要求1所述的一种有机半导体单晶阵列的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，通过以下步骤得到图案化样品：
S1.1：先后将衬底放入丙酮、乙醇、水中各超声清洗至少5分钟；
S1.2：吹干清洗完毕的衬底；
S1.3：根据要构筑的成核模板的图案对衬底进行光刻；
S1.4：通过真空蒸镀法对光刻后的衬底先后蒸镀第一粘附层和第二粘附层；
S1.5：对完成真空蒸镀的衬底用剥离液将剩余的光刻胶剥离掉，完成在衬底表面构筑图案化的成核模板，得到图案化样品；
其中，图案化的成核模板为几何图形或电极对；
在得到图案化样品之后，还包括:先后将图案化样品放入丙酮、乙醇、水中各超声清洗至少5分钟，然后吹干清洗完毕的图案化样品。


3.根据权利要求2所述的一种有机半导体单晶阵列的制备方法，其特征在于，
所述第一粘附层为铬、钛、镍或铝，
所述第一粘附层的厚度为1～20...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪宏，方震宇，
申请(专利权)人：中山大学·深圳，
类型：发明
国别省市：广东;44