一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法技术

一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法，组分按质量百分比为：Bi

【技术实现步骤摘要】
一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法
本专利技术属于陶瓷电容器领域，具体来说属于半导体陶瓷电容器领域，更进一步来说，涉及晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂及其涂覆方法。
技术介绍
晶界层单层陶瓷电容器由于尺寸小、电容量大、容量温度变化率小(≤±15％@-55℃～125℃)、频率特性好等优点，被广泛应用于微波混合集成电路，起隔直、滤波、耦合、去耦、阻抗匹配及共面波导等作用，适用于微组装引线键合的封装工艺，在通讯设备中的用量越来越大。SrTiO3作为晶界层单层陶瓷电容器用关键功能材料，是一种典型的钙钛矿型氧化物，在居里温度以上没有结构相变，温度稳定性与频率特性很好，与CCTO、TiO2、NiO等高介陶瓷相比，介电损耗很低(≤0.02)且稳定性优异，同时与BaTiO3体系相比不会导致疲劳和老化问题。因此，被广泛应用于高性能晶界层单层陶瓷电容器用陶瓷基片的生产。SrTiO3晶界层陶瓷基片的制备方法，目前主要有一步法和两步法，其中一步法是将半导化剂和绝缘氧化剂同时加入SrTiO3基料中，在合适的气氛和温度条件下，通过一次烧结同时完成陶瓷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂，其特征在于，按质量百分比，所述氧化剂组分包括：40％～70％的Bi

【技术特征摘要】
1.一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂，其特征在于，按质量百分比，所述氧化剂组分包括：40％～70％的Bi2O3、20％～50％的Pb3O4、5％～20％的CuO、10％～15％的B2O3、5％～15％的Al2O3、0.1％～5％的NiO、0.1％～5％的MnO2。


2.如权利要求1所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂，其特征在于，所述氧化剂各组分的纯度为分析纯或分析纯以上级别。


3.如权利要求1所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂浆料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)按质量百分比计,将5％～20％的PVB与80％～95％的异丙醇，在温度为80℃±10℃的水浴中搅拌溶解2h得到溶液A；
(2)按所述氧化剂组分配比称量氧化物粉体，按照重量份数比，将100份氧化物粉体、100份～300份异丙醇及1份～5份磷酸酯进行球磨混合4h～8h得到溶液B；
(3)按所述氧化物粉体质量的30％～50％称取溶液A，并加入上述步骤(2)得到的溶液B中进行球磨混合2h～3h；
(4)经200目～350目滤布过滤后即得到氧化剂浆料。


4.如权利要求3所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂浆料的制备方法，其特征在于，所述磨球介质材料为氧化锆，直径为φ3mm～φ8mm。


5.如权利要求3所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂浆料的制备方法，其特征在于，所述氧化锆的重量为所述氧化物粉体重量的2倍～3倍。


6.如权利要求3所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂浆料的制备方法，其特征在于，所述PVB为B76、B79或B98高分子树脂。


7.如权利要求3至6之一所述的一种晶界层半导化陶瓷基片用氧化剂浆料的涂覆方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)材料准备：晶界层半导化陶瓷基片、氧化剂浆料；
(2)设置匀...

【专利技术属性】
技术研发人员：何创创，庞锦标，杨俊，王丹琴，韩玉成，尚勇，
申请(专利权)人：中国振华集团云科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：贵州;52