【技术实现步骤摘要】
用于蚀刻薄层的装置
本公开涉及一种用于蚀刻薄层的装置。更具体地，本公开涉及一种用于蚀刻和去除形成在如硅晶片的基板上的薄层的装置。
技术介绍
通常，半导体装置可以通过在硅晶片上重复执行的制造过程来制造。例如，可以执行用于在基板上形成薄层的沉积过程、用于在薄层上形成光阻图案的光刻过程、用于图案化或去除薄层的蚀刻过程等。蚀刻过程分为干式蚀刻过程和湿式蚀刻过程。湿式蚀刻过程被分类成构成为逐片处理基板的单晶片类型和构成为同时处理基板的批量类型。在单晶片类型蚀刻装置中，于旋转的基板上供给蚀刻剂，并且通过薄层与蚀刻剂之间的反应去除薄层。通过基板的旋转去除由反应产生的蚀刻残余物和残留蚀刻剂。例如，当在基板上形成包含氮化硅的薄层时，可以通过包含磷酸和水的蚀刻剂去除该薄层。为了提高氮化硅与蚀刻剂之间的反应速度，蚀刻剂被加热后被供给到基板的中央部分。通过基板的旋转，蚀刻剂从基板的中央部分向基板的边缘部分扩散。然而，在扩散过程中蚀刻剂的温度可能降低，因此从基板的中央部分向基板的边缘部分的蚀刻速度可能降低。因此，基板上的薄层可能未被一...
【技术保护点】
1.一种用于蚀刻薄层的装置，包括：/n蚀刻剂供给单元，其构成为于基板上供给蚀刻剂以蚀刻形成在所述基板上的薄层；/n温度测量单元，其构成为在通过所述蚀刻剂执行蚀刻过程时测量所述基板的温度；/n激光照射单元，其构成为在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在围绕所述第一部分的第二部分上以环形照射第二激光束，从而在蚀刻过程中将所述基板的温度保持于预定温度；以及/n过程控制单元，其构成为基于由所述温度测量单元所测量的所述基板的温度来控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以减小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之间的温度差。/n
【技术特征摘要】
20191213 KR 10-2019-01667951.一种用于蚀刻薄层的装置，包括：
蚀刻剂供给单元，其构成为于基板上供给蚀刻剂以蚀刻形成在所述基板上的薄层；
温度测量单元，其构成为在通过所述蚀刻剂执行蚀刻过程时测量所述基板的温度；
激光照射单元，其构成为在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在围绕所述第一部分的第二部分上以环形照射第二激光束，从而在蚀刻过程中将所述基板的温度保持于预定温度；以及
过程控制单元，其构成为基于由所述温度测量单元所测量的所述基板的温度来控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以减小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之间的温度差。
2.根据权利要求1所述的用于蚀刻薄层的装置，其中，所述蚀刻剂供给单元包括：蚀刻剂供给喷嘴，其构成为在所述基板的所述中央部分上供给所述蚀刻剂；喷嘴驱动部，其构成为在水平方向上移动所述蚀刻剂供给喷嘴；以及蚀刻剂加热部，其构成为于预定温度加热所述蚀刻剂。
3.根据权利要求2所述的用于蚀刻薄层的装置，其中，所述激光照射单元设置在所述基板的所述中央部分的上方，并且所述蚀刻剂供给喷嘴通过所述喷嘴驱动部在所述基板与所述激光照射单元之间沿水平方向移动。
4.根据权利要求3所述的用于蚀刻薄层的装置，其中，在将所述蚀刻剂以预定量供给到所述基板的所述中央部分之后，所述蚀刻剂供给喷嘴沿水平方向移动以与所述基板分隔开。
5.根据权利要求1所述的用于蚀刻薄层的装置，其中，所述薄层包含氮化硅，并且所述蚀刻剂包含磷酸和水。
6.根据权利要求1所述的用于蚀刻薄层的装置，还包括：旋转驱动单元，其构成为旋转所述基板，
其中，所述蚀刻剂供给单元在所述基板的所述中央部分上以预定量供给所述蚀刻剂，并且所述旋转驱动单元旋转所述基板，从而所述蚀刻剂完全散布在所述基板的上表面上以形成具有预定厚度的液体层。
7.根据权利要求6所述的用于蚀刻薄层的装置，其中，所述旋转驱动单元停止所述基板的旋转，从而通过表面张力来保持所述液体层。
8.根据权利要求6所述的用于蚀刻薄层的装置，还包括：碗单元，其构成为围绕所述基板以收集所述蚀刻剂。
9.根据权利要求6所述...
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