一种电容器用腐蚀箔的制备方法技术

本发明专利技术公开一种电容器用腐蚀箔的制备方法，包括：将铝箔放入第一次预处理液中，50‑85℃下浸泡20s‑5min，第一次预处理液包括磷酸、亚硝酸、亚硫酸中的一种或多种；将浸泡后的铝箔放入第二次预处理液中，45‑70℃下浸泡30s‑5min，其中，第二次预处理液为氟硅酸、硫酸、盐酸中的一种或多种；将处理后的铝箔放入盐酸和硫酸的混合溶液中，在60‑80℃下，以20‑80mA/cm

【技术实现步骤摘要】
一种电容器用腐蚀箔的制备方法
本专利技术属于材料表面处理
，具体涉及一种电容器用腐蚀箔的制备方法。
技术介绍
面对当今社会高质量发展的需求，铝电解电容器特别是高压铝电解电容器的比电容量目前却提升缓慢。目前日本电容器工业有限公司(JapanCapacitorIndustrialCo.,Ltd，缩写JCC)HR系列125μm厚的520V高压化成箔比电容最高能达到0.84μF/cm2，已经很难再提升了。而问题的根本，在于作为铝电解电容器阳极材料化成箔的前驱材料腐蚀箔的有效比表面积难以提升。要想提高表面积，就要提高腐蚀箔隧道孔长度、宽度、密度。但是隧道孔长度、宽度都受到铝箔本身厚度限制(因铝电解电容小型化、扁平化的要求，高压铝箔厚度大多控制在110-130μm之间)：腐蚀孔过长会压缩中间支撑铝层的厚度，甚至导致穿孔，使得本来就较弱的机械性能有减无增，导致腐蚀箔更易断裂，提升产品不良率；细化的腐蚀孔会使得工作电解质进入困难，与电介质层接触不良，降低器件的阻抗、频率、损耗特性，甚至当腐蚀孔过于细小时，会被后续阳极氧化工艺生成的氧化膜堵住导致无本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容器用腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n1)第一次预处理/n将铝箔放入第一次预处理液中，50-85℃下浸泡20s-5min，其中，铝箔的厚度为80-150μm，且铝箔纯度大于99％，立方织构大于98％，第一次预处理液包括磷酸、亚硝酸、亚硫酸中的一种或多种；/n2)第二次预处理/n将步骤1)浸泡后的铝箔放入第二次预处理液中，45-70℃下浸泡30s-5min，其中，第二次预处理液为氟硅酸、硫酸、盐酸中的一种或多种；/n3)第一次腐蚀/n将步骤2)处理后的铝箔放入体积比为1:1的盐酸和硫酸的混合溶液中，在60-80℃下，以20-80mA/cm

【技术特征摘要】
1.一种电容器用腐蚀箔的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)第一次预处理
将铝箔放入第一次预处理液中，50-85℃下浸泡20s-5min，其中，铝箔的厚度为80-150μm，且铝箔纯度大于99％，立方织构大于98％，第一次预处理液包括磷酸、亚硝酸、亚硫酸中的一种或多种；
2)第二次预处理
将步骤1)浸泡后的铝箔放入第二次预处理液中，45-70℃下浸泡30s-5min，其中，第二次预处理液为氟硅酸、硫酸、盐酸中的一种或多种；
3)第一次腐蚀
将步骤2)处理后的铝箔放入体积比为1:1的盐酸和硫酸的混合溶液中，在60-80℃下，以20-80mA/cm2的恒定电流进行腐蚀30-120s，其中，盐酸的浓度为0.8-1.5mol/L，硫酸的浓度为0.8-...

【专利技术属性】
技术研发人员：成宗翰，谢志刚，周裕松，
申请(专利权)人：长沙麓山国际实验学校，
类型：发明
国别省市：湖南;43