一种二维金属锑纳米片的制备方法技术

技术编号:29120977 阅读:31 留言:0更新日期:2021-07-02 22:14
本发明专利技术公开了一种制备二维金属锑纳米片的方法,包括以下步骤:步骤a:将三氯化锑、碳源、有机溶液、硅源按2:4:10:1配置,并搅拌形成均匀透明无色溶液,即锑基前驱溶液;步骤b:将锑基前驱溶液置于有出口的容器中静置消泡后,利用静电纺丝技术进行纺丝;步骤c:纺丝结束后,将纺丝产物在150~200℃的烘箱中进行充分的热处理;步骤d:将热处理后的纺丝产物在还原性气体的氛围下恒温反应,其中恒温温度范围在500℃~800℃之间;步骤e:控制降温到250℃~350℃后再自然降温,即可在纺丝产物上得到二维金属锑纳米片。本发明专利技术将通过静电纺丝技术得到的纺丝产物进行热处理,使金属锑在高温氛围下从纺丝产物中析出,从而得到金属锑的纳米产物。

【技术实现步骤摘要】
一种二维金属锑纳米片的制备方法
本专利技术涉及一种二维金属锑纳米片的制备方法,属于无机纳米材料

技术介绍
自2004年曼切斯特大学Geim小组成功分离出单原子层的石墨材料--石墨烯(graphene)后,产生二维(2D)材料和其器件领域。二维材料因其所表现出的独特性能而备受全世界关注。经典二维材料,如石墨烯及其衍生物,过渡金属硫族化物(TMDCs),已被广泛了解。相比之下,单元素二维材料,如Va族(15族,氮族)材料的研究相对滞后。金属锑的结构为层状结构,而每层都包含相连的褶皱六元环结构。最近的和次近的锑原子形成变形八面体,在相同双层中的三个锑原子比其他三个相距略近一些。并且二维单质材料锑烯通过第一性原理计算,被预测为高度稳定并具有非凡的性能。单质锑(Sb)是类金属,预计在22层以下成为拓扑绝缘体,在8层以下表现出量子自旋霍尔相,在单层厚度下作为半导体具有2.28eV的间接间隙和高的电子和空穴迁移率。尽管上述对锑烯的理论研究进展迅速,但目前锑烯的实际应用受到限制,主要是由于缺乏大规模制备高质量锑烯的有效方法。现今只有少数的研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备二维金属锑纳米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n步骤a:将三氯化锑、碳源、有机溶液、硅源按质量比为2:4:10:1配置,并搅拌形成均匀透明无色溶液,即锑基前驱溶液;/n步骤b:将锑基前驱溶液置于有出口的容器中静置消泡后,利用静电纺丝技术进行纺丝;/n步骤c:纺丝结束后,将纺丝产物在150~200℃的烘箱中进行充分的热处理;/n步骤d:将热处理后的纺丝产物在还原性气体的氛围下恒温反应,其中恒温温度范围在500℃~800℃之间;/n步骤e:控制降温到250℃~350℃后再自然降温,即可在纺丝产物上得到二维金属锑纳米片。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备二维金属锑纳米片的方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤a:将三氯化锑、碳源、有机溶液、硅源按质量比为2:4:10:1配置,并搅拌形成均匀透明无色溶液,即锑基前驱溶液;
步骤b:将锑基前驱溶液置于有出口的容器中静置消泡后,利用静电纺丝技术进行纺丝;
步骤c:纺丝结束后,将纺丝产物在150~200℃的烘箱中进行充分的热处理;
步骤d:将热处理后的纺丝产物在还原性气体的氛围下恒温反应,其中恒温温度范围在500℃~800℃之间;
步骤e:控制降温到250℃~350℃后再自然降温,即可在纺丝产物上得到二维金属锑纳米片。


2.根据权利要求1所述的一种制备二维金属锑纳米片的方法,其特征在于:所述锑基前驱溶液是通过磁力搅拌形成的。


3.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙海斌郑文瑞谢文合梁双双刘胜红王文杰黎亚黄明月
申请(专利权)人:信阳师范学院
类型:发明
国别省市:河南;41

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