【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种系统数据管理方法,特别是一种。
技术介绍
传统上,系统的非易失性存储器(non-volatile memory; NVM) 100,例如快闪存储器(flash memory),具有四个区块(以下分别称第 一 区块110、第二区块120、第三区块130及第四区块140),分别用以存储出厂预设值110a、当前设定值120a、先前设定值130a和还原用的出厂预设值140a。参照图1A,在开机的初始化(initialing)过程时,会由存储器控制单元将非易失性存储器100的第一区块110中的出厂预设值110a载入至易失性存储器200中,例如DDR (double date rate)存储器。参照图IB,然后,再将第三区块130中所记录的前次关机时所执行的设定值(以下称之为先前设定值130a)载入至易失性存储器200中,据以修改出厂预设值110a。由此,系统可快速地对易失性存储器200进行存取的动作。参照图1C,在系统执行过程中,当前所执行的设定值(以下称之为当前设定值120a)会以映射的方式存储至非易失性存储器100的第二区块120中,以保护执行数据。 ...
【技术保护点】
一种数据恢复方法,应用于存储有预设值及先前设定值的系统,该方法包括: 执行该系统的初始化; 载入该预设值; 检测第一标志的状态,以产生第一检测结果;以及 根据该第一检测结果来决定是否进入开机完成状态。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:余国豪,郑吉雄,
申请(专利权)人:瑞昱半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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