一种高纯低维电子材料制备与表征一体化方法技术

一种高纯低维电子材料制备与表征系统，包括主互联装置，材料生长平台、器件加工平台、测试分析平台和功能调节装置，其特征在于所述的主互联装置由2～10个分体装置组成，不同分体装置之间通过T型大过渡仓链接，且多个分体装置可单独使用或者两两任意组合连接构成一体化腔体使用。所述的高纯低维电子材料制备与表征系统的操作方法：(1)将实验用原料和装置放入T型过渡仓；(2)调节分体装置的功能调节装置和抗振动系统；(3)转移原料和装置到合成区；(4)进行材料合成；(5)通过T型过渡仓转移目标材料到表征区；(6)材料形貌和结构表征(7)通过T型过渡仓转移材料到器件加工和测量区(8)器件加工和测量(9)关闭设备。本发明专利技术的有益效果是：

【技术实现步骤摘要】
一种高纯低维电子材料制备与表征一体化方法


[0001]本专利技术涉及一种电子材料制备与表征一体化方法，特别是涉及一种高纯低维电子材料制 备与表征一体化方法。

技术介绍

[0002]从当前的国内外学术发展动态来看，新型电子材料的研究对象呈现其维度从高维向低维 发展。低维度上的微
‑
纳尺度体系，例如石墨烯、过渡金属硫化合物(TMDCs)、二维过渡金 属碳/氮化物(MXene)等引领的二维电子材料和以碳纳米管为代表的一维材料，正成为相关 电子材料研究的主流。正如芯片用的电子级高纯硅要求99.999999999％(11个9)，纯度也是 制约这些低维材料进一步发展的一个主要原因。造成现有低维电子材料纯度低的主要原因有 两个，一是材料自身结构复杂，如TMDCs存在2H和1T不同的相，碳纳米管分金属型和半 导体型；另外一方面是，低维材料巨大的比表面积在现有制备和加工过程中，不可避免的吸 附氧气和水，导致表面掺杂和结构变化。因此，如何获得高纯低维电子材料是抢占下一代电 子信息材料与器件制高点的关键。
[0003]公布号CN108061本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯低维电子材料制备与表征系统，包括主互联装置，材料生长平台、器件加工平台、测试分析平台和功能调节装置，其特征在于所述的主互联装置由2～10个分体装置组成，不同分体装置之间通过T型大过渡仓链接，且多个分体装置可单独使用或者两两任意组合连接构成一体化腔体使用；所述分体装置都配备独立的真空系统、净化系统、抗震动系统和2
‑
10个独立手套口；所述功能调节装置由氧气含量检测和调节系统，水汽含量检测和调节系统组成。2.根据权利要求1所述的高纯低维电子材料制备与表征系统，其特征在于所述的分体装置内部均安装10级以上洁净模块，分体装置内部为惰性气体环境。3.根据权利要求1所述的高纯低维电子材料制备与表征系统，其特征在于所述的材料生长平台包括化学气相沉积系统、电化学操作平台、磁控溅射沉积系统和常规化学合成操作设备等。4.根据权利要求1所述的高纯低维电子材料制备与表征系统，其特征在于所述的器件加工平台包括涂膜机、封装机和微型光刻机等电子材料加工设备。5.根据权利要求1所述的高纯低维电子材料制备与表征系统，其特征在于所述的测试分析平台包括扫描电子显微镜、透射电子显微镜、原子力显...

【专利技术属性】
技术研发人员：康黎星，吴操，陈舟，
申请(专利权)人：徐州工牛高新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：