量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法技术

本发明专利技术公开了一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。所述量子点材料，包括：量子点本体，第一连接体，以及含叠氮体；所述第一连接体一端与所述量子点本体连接，另一端与所述含叠氮体连接，以将所述含叠氮体与所述量子点本体连接；所述含叠氮体包括：其中，A为氢原子或卤素原子，B为氢原子或卤素原子,C为氢原子或卤素原子，D为氢原子或卤素原子。D为氢原子或卤素原子。D为氢原子或卤素原子。

【技术实现步骤摘要】
量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)作为最具有潜力的下一代自发光显示技术，与有机发光显示技术先比，QLED具有能耗更低、色纯度更高、色域更广等突出优势，而QLED亚像素区域的精确制备是实现高分辨率显示器件的前提。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种量子点材料、图案化量子点膜层、量子点器件和制作方法，以改善现有技术在制作图案化量子点膜层时，存在图案化显影精确度低，膜层厚度不均匀的问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种量子点材料，包括：量子点本体，第一连接体，以及含叠氮体；所述第一连接体一端与所述量子点本体连接，另一端与所述含叠氮体连接，以将所述含叠氮体与所述量子点本体连接；所述含叠氮体包括以下结构：
[0005]其中，A为氢原子或卤素原子，B为氢原子或卤素原子,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种量子点材料，其特征在于，包括：量子点本体，第一连接体，以及含叠氮体；所述第一连接体一端与所述量子点本体连接，另一端与所述含叠氮体连接，以将所述含叠氮体与所述量子点本体连接；所述含叠氮体包括以下结构：其中，A为氢原子或卤素原子，B为氢原子或卤素原子,C为氢原子或卤素原子，D为氢原子或卤素原子。2.如权利要求1所述的量子点材料，其特征在于，所述第一连接体包括：第一连接结构，第二连接结构，以及第三连接结构；所述第一连接结构一端与所述量子点本体连接，另一端与所述第二连接结构连接，所述第二连接结构的另一端与所述第三连接结构连接，所述第三连接结构的另一端与所述含叠氮体连接。3.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述第一连接结构包括以下之一：
‑
OH
‑
；
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SH
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；
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COOH
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NH2
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P
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PO
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R
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OH
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R
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SH
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R
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COOH
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R
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NH2
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R
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P
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R
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PO
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；其中，R表示烷烃类基团，或者连接有酯基的烷烃基团，或者连接有酰胺键的烷烃基团。4.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述第三连接结构包括以下之一：4.如权利要求2所述的量子点材料，其特征在于，所述第三连接结构包括以下之一：5.如权利要求2所述的量子点材料，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李卓，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：