冷泵真空控制装置及其控制方法、系统和半导体加工设备制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种冷泵真空控制装置及其控制方法、真空控制系统和半导体加工设备，该冷泵真空控制装置包括与冷泵的抽气口连接的冷泵抽气管路和设置在冷泵抽气管路上的气动抽气阀、开关单元、吹扫单元和泄压单元，开关单元设置在气动抽气阀的控制气路上，用于在接收到控制模块发送的关闭信号或者开启信号时，断开或接通控制气路；吹扫单元与冷泵连接，用于向冷泵内部输送吹扫气体；泄压单元与冷泵连接，用于在冷泵的内部与外部的压力差超出预设阈值时自动排出冷泵内部的气体。本发明专利技术提供的冷泵真空控制装置及其控制方法、真空控制系统和半导体加工设备，其可以解决因压力过高而导致的抽真空泵负载过高，以及气体倒灌至其他冷泵或者腔室中的问题。或者腔室中的问题。或者腔室中的问题。

【技术实现步骤摘要】
冷泵真空控制装置及其控制方法、系统和半导体加工设备


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，具体地，涉及一种冷泵真空控制装置及其控制方法、真空控制系统和半导体加工设备。

技术介绍

[0002]物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，以下简称PVD)设备主要用于金属薄膜的沉积，典型的PVD设备通常包括去气腔室、预清洗腔室、工艺腔室、传输腔室和两个装卸载腔；其中，去气腔室用于进行去气工艺(Degas)，用以加热去除晶片上的水汽和有机物；预清洗腔室用于进行预清洗工艺(Preclean)，用以去除晶片上的氧化物；工艺腔室用于进行溅射沉积工艺(PVD)，用以在晶片上沉积金属薄膜。
[0003]对于PVD设备而言，工艺腔室和传输腔室都有严格的真空度要求，通常情况下，工艺腔室的压力需要达到10
‑8Torr，而传输腔室的压力也要达到10
‑7Torr。为了实现高真空的要求，通常使用冷泵(Cryopump)来实现PVD设备腔室的抽真空。但是，冷泵在工作一段时间后通常会因气体冷凝并不断地在冷泵中积累达到冷泵的容本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种冷泵真空控制装置，用于控制冷泵对半导体设备的工艺腔室进行抽真空操作，所述冷泵真空控制装置包括与冷泵的抽气口连接的抽气管路和设置在所述抽气管路上的气动抽气阀，其特征在于，还包括开关单元、吹扫单元和泄压单元，其中，所述开关单元设置在所述气动抽气阀的控制气路上，用于在接收到控制模块发送的关闭信号或者开启信号时，断开或接通所述控制气路；所述吹扫单元与所述冷泵连接，用于向所述冷泵内部输送吹扫气体；所述泄压单元与所述冷泵连接，用于在所述冷泵的内部与外部的压力差超出预设阈值时自动排出所述冷泵内部的气体。2.根据权利要求1所述的冷泵真空控制装置，其特征在于，所述开关单元包括设置在所述控制气路上的电动开关，以及控制子单元，其中，所述控制子单元用于在接收到所述关闭信号时，向所述电动开关输出低电平信号；在接收到所述开启信号时，向所述电动开关输出高电平信号。3.根据权利要求1所述的冷泵真空控制装置，其特征在于，所述泄压单元包括冷泵泄压管路和设置在所述冷泵泄压管路上的泄压阀，其中，所述冷泵泄压管路的输入端与所述冷泵的排气口连接。4.一种真空控制系统，用于对半导体加工设备的腔室进行抽真空，其特征在于，包括至少一个第一抽真空模块、至少一个第二抽真空模块和抽真空泵，其中，所述第一抽真空模块的数量与所述腔室的数量相同，且一一对应地连接，并且每个所述第一抽真空模块均与所述抽真空泵连接；所述抽真空泵用于通过各个所述第一抽真空模块分别对各个所述腔室进行抽真空；至少一个所述腔室对应连接有所述第二抽真空模块，每个所述第二抽真空模块均包括冷泵和权利要求1
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3任意一项所述的冷泵真空控制装置，其中，所述冷泵与所述腔室连接；所述冷泵真空控制装置中的所述冷泵抽气管路的两端分别与所述冷泵和所述抽真空泵连接。5.根据权利要求4所述的真空控制系统，其特征在于，每个所述第一抽真空模块均包括腔室排气管路和设置在所述腔室排气管路上的通断阀，其中，所述腔室排气管路的两端分别与对应的所述腔室和所述抽真空泵连接；所述控制模块还用于控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：于磊杰，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：