半导体加工设备制造技术

本申请公开一种半导体加工设备，包括反应腔室以及门组件，门组件设置于反应腔室的设有排气口的一端，反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔，密封腔通过引入惰性气体，以使密封腔内的气体压力大于反应腔室内的气体压力；排气口用于排出反应腔室中通入的工艺气体以及密封腔内的惰性气体。本申请不仅能够阻止工艺气体(例如HCl气体)从反应腔室内逸出而腐蚀设备，还能够避免外部气体或金属颗粒等进入反应腔室内，且密封性能不受高温影响而下降。降。降。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工设备


[0001]本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种半导体加工设备。

技术介绍

[0002]在集成电路的制造过程中，硅片(晶圆)的表面会生成一层硅氧化膜，即二氧化硅(SiO2)层，以实现器件保护、隔离沾污、表面钝化、掺杂工艺时的注入掩蔽、金属导电层间的介质层等功能。业界一般采用掺氯氧化工艺，例如向反应腔室内通入工艺气体，例如氯化氢(HCl)气体，来制备二氧化硅层。HCl气体对金属具有腐蚀性，为避免HCl气体从反应腔室内逸出而腐蚀半导体加工设备的金属部件，现有技术一般是在反应腔室与门组件(例如石英基座)之间设置O型密封圈，实现密封。但是在制备过程的温度较高，密封圈在高温环境下容易损坏，密封性能受到影响。

技术实现思路

[0003]鉴于此，本申请提供一种半导体加工设备，以解决密封圈的密封性能不佳而导致工艺气体逸出并腐蚀设备的问题。
[0004]为解决上述问题，本申请采用下述技术方案：
[0005]本申请提供一种半导体加工设备，包括反应腔室以及门组件，门组件设置于反应腔室的设有排气口的一端，反应腔室上设有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工设备，包括反应腔室，其特征在于，所述半导体加工设备还包括门组件，所述门组件设置于所述反应腔室的设有排气口的一端，所述反应腔室上设有用于阻碍工艺气体泄露的密封腔，所述密封腔通过引入惰性气体，以使所述密封腔内的气体压力大于所述反应腔室内的气体压力；所述排气口用于排出所述反应腔室中通入的所述工艺气体以及所述密封腔内的所述惰性气体。2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述门组件包括支撑盘、基座和固定环，所述基座设于所述支撑盘上，所述固定环设于所述基座的外围并将所述基座固定于所述支撑盘，所述固定环和所述基座之间存在第一缝隙；所述密封腔包括第一密封腔，所述第一密封腔设置于所述基座与所述反应腔室接合的一侧；所述固定环设有进气通道，且所述进气通道与所述第一缝隙连通。3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述密封腔还包括第二密封腔，所述第二密封腔设置于所述基座与所述支撑盘接合的一侧。4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述基座与所述反应腔室接合的一侧开设有第一凹槽，所述反应腔室的腔体覆盖所述第一凹槽并形成所述第一密封腔；所述基座与所述支撑盘接合的一侧开设有第二凹槽，所述支撑盘覆盖所述第二凹槽并形成所述第二密封腔。5.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述进...

【专利技术属性】
技术研发人员：周厉颖，宋新丰，杨帅，光耀华，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：