用于储存和供应用于半导体工艺的不含F3NO的FNO气体和不含F3NO的FNO气体混合物的系统和方法技术方案

披露了用于供应不含F3NO含FNO的气体的系统和方法以及用于使用所述不含F3NO含FNO的气体进行蚀刻的系统和方法。所述系统包括用于储存所述不含F3NO含FNO的气体的具有抛光的内表面的NiP涂覆的钢筒、用于从所述筒释放所述不含F3NO含FNO的气体的筒阀、用于将所述不含F3NO含FNO的气体输送至目标反应器的包括压力调节器和管线部件的歧管组件。在所述歧管组件中所述压力调节器将所述不含F3NO含FNO的气体减压，从而将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。气态组合物包含含有按体积计小于大约1％的F3NO杂质的不含F3NO的FNO气体和能够抑制所述不含F3NO的FNO气体中的F3NO杂质的浓度的惰性气体。的浓度的惰性气体。的浓度的惰性气体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于储存和供应用于半导体工艺的不含F3NO的FNO气体和不含F3NO的FNO气体混合物的系统和方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2018年12月20日提交的美国申请号16/227,623的权益，出于所有的目的将所述申请以其全文通过援引并入本文。


[0003]披露了用于储存和供应用于半导体工艺的不含F3NO的气体和不含F3NO的气体混合物(诸如，不含F3NO的FNO、不含F3NO的FNO/N2、不含F3NO的FNO/F2、或不含F3NO的FNO/F2/N2等)的系统和方法，以及用于使用不含F3NO的气体和不含F3NO的气体混合物来蚀刻半导体结构的系统和方法。

技术介绍

[0004]已经使用含氟化合物来蚀刻半导体材料。亚硝酰氟(FNO)是可以用作热蚀刻气体的高反应性氟化蚀刻化合物的实例。
[0005]已经披露了生产FNO的各种方法。例如，C.Woolf(“Oxyfluoride of Nitrogen[氮的氟氧化物]”,Adv.Fluorine Chem.[氟化学进展]5(1965),第1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】的气体混合物；以及将所述不含F3NO的FNO气体与F2的气体混合物在N2中稀释以形成所述不含F3NO的FNO气体、F2和N2的气体混合物。10.一种蚀刻系统，所述系统包括反应器，将其配置成并且使其适于提供有待在其中蚀刻的膜，所述膜在保持在所述反应器内部的衬底上或在所述反应器的内表面上；NiP涂覆的钢筒，将其配置成并且使其适于储存加压的蚀刻气体不含F3NO的FNO；与所述筒流体连通的筒阀，将其配置成并且使其适于从所述NiP涂覆的钢筒释放所述蚀刻气体不含F3NO的FNO；以及在所述筒阀下游的歧管组件，其包括压力调节器和管线部件，将其配置成并且使其适于将所述蚀刻气体不含F3NO的FNO输送至所述反应器；其中将所述歧管组件中的所述压力调节器配置成并且使其适于将所述蚀刻气体不含F3NO的FNO减压，以便将所述歧管组件分成在所述压力调节器上游的第一压力区和在所述压力调节器下游的第二压力区。11.如权利要求10所述的蚀刻系统，其进一步包括与所述歧管组件平行的第一气体管线，所述第一气体管线将额外蚀刻气体进料至所述NiP涂覆的钢筒或蚀刻腔室，其中所述额外蚀刻气体选自由以下组成的组：F2、HF、cC4F8、C4F8、C4F6、C5F8、CF4、CH3F、CF3H、CH2F2、COS、CS...

【专利技术属性】
技术研发人员：西山绫香，横田二郎，徐志宇，沈鹏，南森，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：