一种存储卡制造技术

一种存储卡(200)，该存储卡(200)能够与标准SIM卡(100)共用卡槽，存储卡(200)和标准SIM卡(100)分别设置有用于定义防呆缺角的缺角边缘(S1，S2)，其中当存储卡(200)的其他边缘(L21，L22，L23，L24，A21，A22，A23)与标准SIM卡(100)的其他边缘(L11，L12，L13，L14，A11，A12，A13)重叠设置时，存储卡(200)的缺角边缘(S2)的至少部分位于标准SIM卡(100)的缺角边缘(S1)在存储卡(200)上的投影线(S1')的外侧，存储卡(200)设置有存储晶片(210)，存储晶片(210)的顶角落入存储卡(200)的缺角边缘(S2)与投影线(S1')之间。在存储卡(200)与SIM卡(100)共用卡槽的情况下，改进了存储卡(200)的防呆缺角，便于在存储卡(200)内能设置更大面积尺寸的存储晶片(210)。积尺寸的存储晶片(210)。积尺寸的存储晶片(210)。积尺寸的存储晶片(210)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：李中政，高威，周健，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：