一种芯片老化自测试方法及系统技术方案

本发明专利技术提供一种芯片老化自测试方法及系统，属于芯片老化测试领域，所述方法包括：在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；存储所述测试结果数据。本发明专利技术的芯片老化自测试方法，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试系统和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。有效简化了测试过程。有效简化了测试过程。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片老化自测试方法及系统


[0001]本专利技术涉及芯片老化测试
，尤其涉及一种芯片老化自测试方法及系统。

技术介绍

[0002]芯片老化测试是一种采用外加电压和高温来加速器件电学故障的电应力测试方法。因为老化过程中应用的电激励反映了芯片工作的最坏情况，因此老化过程基本上模拟运行了芯片的整个寿命过程。根据不同的老化时间和工作环境，测试得到的资料的可靠性可能涉及器件的早期寿命或磨损程度，也就是说，老化测试可以用来作为器件可靠性的检测或作为生产窗口的测试来发现器件的早期故障。
[0003]目前，芯片老化寿命测试需要与芯片相应的测试设备、测试工装夹具、配套的测试系统，其中，测试设备用来提供测试环境，测试工装夹具则为被测芯片与测试软件提供测试接口，在芯片测试过程中，测试指令、测试记录及测试数据通过测试系统传递、记录，过程相对复杂，芯片无法进行自测试，智能化不足，并且，由于需要配套的测试设备、测试工装夹具及测试系统，测试成本相对较高。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供一种芯片老化自测试方法及系统，用于解决目前芯片老化测试过程复杂繁琐，需要配套的设备而导致测试成本高的问题。
[0005]为解决上述技术问题，第一方面，本专利技术提供一种芯片老化自测试方法，包括：
[0006]在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
[0007]从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
[0008]执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
[0009]存储所述测试结果数据。
[0010]可选的，所述方法还包括：
[0011]在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
[0012]生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
[0013]将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
[0014]可选的，所述方法还包括：
[0015]若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
[0016]可选的，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
[0017]可选的，所述目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命测试。
[0018]第二方面，本专利技术还提供一种芯片老化自测试系统，包括：
[0019]一种芯片老化自测试系统，其特征在于，包括：
[0020]标记获取模块，用于在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；
[0021]程序获取模块，用于从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
[0022]执行模块，用于执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
[0023]存储模块，用于存储所述测试结果数据。
[0024]可选的，所述系统还包括：
[0025]测试状态获取模块，用于在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；
[0026]指令生成模块，用于生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；
[0027]发送模块，用于将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。
[0028]可选的，所述系统还包括：
[0029]中断恢复模块，用于若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。
[0030]可选的，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。
[0031]第三方面，本专利技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述任一种芯片老化自测试方法中的步骤。
[0032]本专利技术的上述技术方案的有益效果如下：
[0033]本专利技术实施例中，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试系统和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
附图说明
[0034]图1为本专利技术实施例一中的一种芯片老化自测试方法的流程示意图；
[0035]图2为本专利技术实施例二中的一种芯片老化自测试系统的结构示意图。
具体实施方式
[0036]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例的附图，对本专利技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本专利技术的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0037]请参阅图1，图1为本专利技术实施例一提供的一种芯片老化自测试方法的流程示意图，该方法包括以下步骤：
[0038]步骤11：在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目
标分类标记；
[0039]步骤12：从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；
[0040]步骤13：执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；
[0041]步骤14：存储所述测试结果数据。
[0042]本专利技术实施例提供的芯片老化自测试方法，通过读取芯片的用户配置区域中的目标分类标记，以确定芯片所要进行的老化测试项目，从而使芯片自动执行对应的老化测试项目的程序，无需搭配复杂的测试系统和存储设备，实现芯片的自测试，有效简化了测试过程。
[0043]下面举例说明上述芯片老化自测试方法。
[0044]其中一种可选的具体实施方式中，在步骤11中，待测芯片处于上电状态下时，需先读取待测芯片内部存储的目标分类标记，目标分类标记是预先存储在待测芯片的非易失性存储器内的，更具体的说，是存储在待测芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的；目标分类标记用于标记待测芯片所需进行的目标老化测试项目，也就是说，不同的分类标记用于区分不同的老化测试项目，根据读取到的目标分类标记，即可确定与目标分类标记相对应的目标老化测试项目。其中，非易失性存储器具有可以在没有电流供应的条件下也能够长久地保存数据的特性，而非易失性存储器中的用户配置区域是用于存储非本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片老化自测试方法，其特征在于，包括：在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储器的用户配置区域中的目标分类标记；从所述芯片存储的若干老化测试项目的测试程序中选出与所述目标分类标记对应的目标老化测试项目的目标测试程序；执行所述目标测试程序，并获取测试结果数据；存储所述测试结果数据。2.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，还包括：在执行所述目标测试程序时，获取测试状态；生成与所述测试状态对应的状态指示灯显示指令；将所述状态指示灯显示指令发送给与所述芯片连接的测试装置，所述测试装置包括状态指示灯，所述测试装置能够根据所述指示灯显示指令控制所述状态指示灯显示，其中，在不同的测试状态下控制所述状态指示灯处于不同的显示状态。3.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，还包括：若所述目标测试程序在测试过程中中断，再次执行所述目标测试程序时，根据存储的所述测试结果数据的数量以及位置计算出中断时刻的测试状态，并在所述中断时刻的测试状态的基础上继续进行所述目标老化测试项目的测试。4.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，所述测试结果数据存储在所述非易失性存储器的用户配置区域。5.根据权利要求1所述的芯片老化自测试方法，其特征在于，所述目标老化测试项目为非易失性存储器擦写寿命测试。6.一种芯片老化自测试系统，其特征在于，包括：标记获取模块，用于在上电状态下，读取所述芯片的非易失性存储...

【专利技术属性】
技术研发人员：卜金彪，王占粮，王生鹏，蔡斌，肖青，闫朋飞，孙东昱，姜琨，何晓，
申请(专利权)人：中国移动通信集团有限公司，
类型：发明
国别省市：