半导体封装装置制造方法及图纸

本公开涉及半导体封装装置。该半导体封装装置包括：芯片层，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隙设置有第一底部填充材；散热件，位于所述芯片层的表面，所述散热件上设置有竖直方向的第一通孔，所述第一通孔位于与所述第一底部填充材对应的位置。该半导体封装装置去除了散热件位于第一底部填充材上表面的部分，避免了因其在受热时产生较大热膨胀而使第一底部填充材产生拉应力，能够防止第一底部填充材发生断裂，有利于在保证结构散热效果的前提下提高产品良率。于在保证结构散热效果的前提下提高产品良率。于在保证结构散热效果的前提下提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置


[0001]本公开涉及半导体封装装置
，具体涉及半导体封装装置。

技术介绍

[0002]FOCoS(Fan Out Chip on Substrate，扇出型基板上芯片)封装技术通过在典型球栅阵列基板上使用扇出复合芯片来实现。它可提供的解决方案成本较低，实践中比硅中介层结构具有更好的电气和热性能。
[0003]在FOCoS封装结构中，散热元件与基板的热膨胀系数(coefficient of thermal expansion，CTE)均大于内部结构(例如芯片和底部填充材)的热膨胀系数，因此在受热时，内部结构会因散热元件与基板的热膨胀系数较大而受到外拉作用，使其受到较大的拉应力。此外，由于通常情况下散热元件的热膨胀系数大于基板的热膨胀系数，在产生相同温度变化时散热元件的热膨胀量大于基板的热膨胀量，二者之间的内部结构(例如底部填充材)容易因散热元件的较大热膨胀量引起的拉应力而断裂。
[0004]因此，有必要提出一种新的FOCoS封装的技术方案。

技术实现思路

[0005]本公开提供了半导体封装装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装装置，包括：芯片层，包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隙设置有第一底部填充材；散热件，位于所述芯片层的表面，所述散热件上设置有竖直方向的第一通孔，所述第一通孔位于与所述第一底部填充材对应的位置。2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述散热件与所述第一芯片的接触面积相对于所述第一芯片的上表面面积的比值大于0.9。3.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔的水平截面的延伸方向与所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隙的延伸方向一致。4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔的水平截面的延伸长度大于所述第一芯片和所述第二芯片之间的间隙的延伸长度。5.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔使所述第一底部填充材料的上表面暴露在外。6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔使所述第一底部填充材料的上表面和所述第二芯片的上表面暴露在外。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔包括弧形部分，所述弧形部分位于所述第一通孔的端部。8.根据权利要求1
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6中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔包括锯齿型部分。9.根据权利要求1
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6中任一项所述的半导体封装装置，其中，所述第一通孔包括栅栏型部分。10.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述散热件上还设置有竖直方向的第二通孔，所述第二通孔的水平截面在垂直于所述第一芯片和所述第二芯片之间间隙的方向上延伸，...

【专利技术属性】
技术研发人员：萧敬霖，王铭汉，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：