一种适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器，包括有水平外靶板、垂直外靶板、垂直内靶板、内靶板End Box、Dome靶板、高场侧挡板、低场侧挡板、被动靶板、内置水冷线圈。水平外靶板和垂直外靶板组成的直角封闭几何构型，提高了偏滤器外靶板的封闭性，能够大幅降低自然脱靶的密度阈值，也能显著减少充入杂质气体实现脱靶的杂质用量，有利于保持良好芯部约束的同时实现脱靶降低靶板热负荷；通过极向场集成控制，可以在秒量级长放电周期内在水平外靶板和垂直外靶板之间扫描打击点，有效分散热负荷。本发明专利技术设计结构简单、紧凑，便于控制钨偏滤器制造和安装精度，降低制造难度和成本，同时利于控制钨偏滤器靶板热负荷水平。热负荷水平。热负荷水平。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器


[0001]本专利技术涉及EAST托卡马克装置，具体是一种适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器。

技术介绍

[0002]偏滤器靶板所面临的高热负荷是当前制约聚变能发展的主要瓶颈之一。对于未来聚变堆，例如ITER，到达偏滤器靶板的稳态热负荷约为100MW/m2，远远超过通常采用的钨靶板忍受极限～10MW/m2；同时，到达靶板的电子温度必须要保持较在较低水平(≤5
‑
10eV)，避免导致严重的材料表面溅射，损害装置寿命。偏滤器脱靶被认为是缓解未来聚变堆热负荷的必要方案。所谓的偏滤器脱靶，是指在更高的等离子体密度或者更高的辐射损失下，偏滤器等离子体由传导限制状态自然延伸进入脱靶状态，具有如下特征：到达靶板的离子流降低；到达靶板热流降低；到达靶板的电子温度≤5eV。一般采用部分脱靶模式，即靶板饱和离子流最大的位置等离子体进入脱靶状态，而离该处较远的位置的等离子体保持未脱靶状态，其优势在于有效降低靶板热负荷和有效抑制表面溅射同时，也保持了较高的粒子和杂质排出能力。实验上在给定的输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器，其特征在于：包括有水平外靶板、垂直外靶板、垂直内靶板、内靶板End Box、Dome靶板、高场侧挡板、低场侧挡板、被动靶板、内置水冷线圈；所述水平外靶板为平行于水平面的直线型结构；所述垂直外靶板下端为垂直于水平面的直线型结构，中间为圆弧曲面型结构，上端为与低场侧挡板对齐且平行的直线型结构；所述水平外靶板和所述垂直外靶板，均采用W/Cu Monoblock结构，并组成一个直角封闭偏滤器几何构型，直角区域两侧用于接受离子扫描打击。2.根据权利要求1所述的适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器，其特征在于：所述垂直内靶板为垂直于水平面的直线型结构，采用W/Cu Monoblock结构，上端与高场侧挡板对齐且平行，下端为所述内靶板End Box，所述内靶板End Box在水平方向上凸出于所述垂直内靶板表面预定距离。3.根据权利要求1所述的适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器，其特征在于：所述Dome靶板在所述水平外靶板和所述垂直内靶板之间，采用W flat
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tile结构，其中间为圆弧曲面型结构，两端皆为直线型End Box结构。4.根据权利要求1所述的适用于托克马克核聚变装置的直角封闭全钨偏滤器，其特征在于：所述水平外靶板和垂直内靶板与所述D...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐国盛，姚达毛，王亮，刘晓菊，司杭，贾国章，陶余强，
申请(专利权)人：中国科学院合肥物质科学研究院，
类型：发明
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