一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法技术

本发明专利技术提供了一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法，所述制样方法包括如下步骤：将待测钼屑放置于导电基体的盲孔中，然后进行压片，完成对钼屑的制样。本发明专利技术通过在导电基体设置盲孔，利用导电基体的盲孔对钼屑进行制样，减少了样品可能造成的污染，提高了检测数据的准确性；所述制样方法的制样成功率可达95％以上。上。

【技术实现步骤摘要】
一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种制样方法，尤其涉及一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法。

技术介绍

[0002]钼为银白色金属，钼的熔点为2620℃，由于原子间结合力极强，所以在常温和高温下强度都很高。钼的膨胀系数小，导电率大，导热性能好，在常温下不与盐酸、氢氟酸及碱溶液反应，仅溶于硝酸、王水或浓硫酸之中，对大多数液态金属、非金属熔渣和熔融玻璃亦相当稳定。因此，钼及其合金在冶金、农业、电气、化工、环保和宇航等重要部门有着广泛的应用和良好的前景，成为国民经济中一种重要的原料和不可替代的战略物质。
[0003]材料纯度对材料性能有重要影响，在磁控溅射
，靶材的纯度越高，则磁控溅射形成的薄膜中的杂质含量越少。靶材中的杂质元素含量只能在全元素分析测试结果中体现，杂质总含量越低，靶材纯度就越高。因此，靶材样品的纯度分析是研究、生产和使用过程中的重要步骤，目前常用的方法之一是辉光放电质谱法(GDMS)，GDMS属于直接固体分析技术，具有灵敏度高、分辨率高、基体效应小、全元素分析等优势，是进行高纯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种辉光放电质谱中钼屑的制样方法，其特征在于，所述制样方法包括如下步骤：将待测钼屑放置于导电基体的盲孔中，然后进行压片，完成对钼屑的制样。2.根据权利要求1所述的制样方法，其特征在于，所述导电基体为铟圆片；优选地，所述铟圆片的纯度为5N以上。3.根据权利要求1或2所述的制样方法，其特征在于，所述盲孔的直径为0.6
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0.8mm；优选地，所述盲孔的深度为0.2
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0.4mm。4.根据权利要求1
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3任一项所述的制样方法，其特征在于，所述压片在压力机中进行；优选地，所述压片的压力为8
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12MPa；优选地，所述压片的时间为8
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16min。5.根据权利要求2所述的制样方法，其特征在于，所述铟圆片为采用如下方法进行预处理的铟圆片：(1)使用高纯钽在圆片铟表面加工盲孔；所述高纯钽的纯度为5N以上；(2)对加工盲孔后的圆片铟依次进行第一清洗与醇洗，干燥得到所述铟圆片。6.根据权利要求5所述的制样方法，其特征在于，步骤(1)所述盲孔的直径为0.6
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0.8mm，深度为0.2
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0.4mm。7.根据权利要求5或6所述的制样方法，其特征在于，步骤(2)所述第一清洗为依次进行酸洗与去离子水漂洗；优选地，所述酸洗为使用质量分数68wt％的硝酸清洗2
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4min；优选地，所述去离子水漂洗的次数为至少3次；优选地，步骤(2)所述第一清洗的次数为至少3次；优选地，步骤(2)所述醇洗为使用无水乙醇进行漂洗；优选地，步骤(2)所述醇洗的次数为至少1次；优选地，步骤(2)所述干燥的方法为风干。8.根据权利要求1
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7任一项所述的制样方法，其特征在于，所述待测钼屑为采用如下方法进行预处理的待测钼屑：对钼屑依次进行第二清洗与醇洗，烘干后得到所述待测钼屑。9.根据权利要求8所述的制样方法，其特征在于，所述第二清洗为依次进行的混合酸洗与去离子水漂洗；优选地，所述混合酸洗为使用混合酸清洗2

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，叶科奇，钟伟华，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：